光模块的制作方法
【技术领域】
[0001]本文中讨论的实施方式涉及光模块。
【背景技术】
[0002]近年来，随着光传输系统的规模的增大，已经要求构成该系统的光模块的尺寸减小。虽然光模块包括光调制器芯片和电接口，但是随着光调制器芯片尺寸的减小，电接口尺寸变成了决定光模块尺寸的因素。电接口被分类为待连接到用于高速信号的射频(RF)电极的RF引脚和待连接到用于控制光调制器芯片的直流(DC)电极的DC引脚。更具体地，RF信号从设置在封装(package)的侧面或底面上的RF引脚输入，并经由中继板输入到光调制器芯片的RF电极。类似地，DC信号从设置在封装的侧面或底面上的DC引脚输入，并经由中继板输入到光调制器芯片的DC电极。
[0003]专利文献1:日本特开专利公布N0.2012-048121和专利文献2:日本特开专利公布N0.2001-083908被引入作为相关技术文献。
[0004]因为四个32Gbps信号被输入到电接口的RF引脚，所以在封装中设置了四个RF引脚。然而，如果为了减小光模块尺寸而减小这四个RF引脚之间的间距，则RF引脚(信道)之间的串扰会增加。因此，为了实现电接口尺寸的减小，在使RF引脚之间的间距保持在满足特性阻抗的水平的同时能够减少DC引脚之间的多少间距变得重要。
[0005]例如，在设置在封装中的柔性印刷电路(FPC)上将12个DC引脚水平地布置成一行。这变成了将光模块尺寸减小复杂化的因素。鉴于此，通过将DC引脚布置成两行来减小FPC的水平宽度在减小光模块尺寸方面是有效的。然而，在从外侧行中的DC引脚延伸的布线(wiring)从在中心侧(DC电极侧)行中的DC引脚之间经过的配置中，需要将DC引脚之间的间距设置得大。这强加了对光模块尺寸减小的限制。
[0006]鉴于此，如果将从外侧行中的DC引脚延伸的布线设置成绕过(circumvent)在中心侧(DC电极侧)行中的两个端部处的DC引脚的外侧，则光模块能够将DC引脚连接到相应的DC电极，而不增加DC引脚之间的间距。然而，根据这种配置，DC电极的布置不同于DC引脚的布置。因此，不能保证与相关DC电极布置的兼容性。此外，因为其上布置有DC引脚的FPC由于布线的上述绕行而朝向RF引脚延伸，所以产生了 DC信号与RF信号之间的串扰。
[0007]因此，本发明的实施方式的一个方面的目的在于提供一种能够抑制串扰的光模块。
【发明内容】
[0008]根据实施方式的方面，一种光模块包括:基板；第一端子；多个第二端子，其在所述基板上；多个第三端子，其被布置成比所述基板上的所述多个第二端子更靠近电极；以及多个布线，其从所述多个第二端子延伸穿过与所述第一端子相对的侧面并到达所述电极。
【附图说明】
[0009]图1A是例示了根据本实施方式的光模块的配置的俯视图；
[0010]图1B是例示了根据本实施方式的光模块的配置的侧视图；
[0011]图2是例示了根据第一修改实施方式的光模块的配置的侧视图；
[0012]图3是沿图2的线A-A’截取的截面图；
[0013]图4A是例示了根据第二修改实施方式的光模块的配置的俯视图；
[0014]图4B是例示了根据第二修改实施方式的光模块的配置的侧视图；以及
[0015]图5是例示了其中安装了根据上述实施方式和修改实施方式的光模块的发射器的配置的图。
【具体实施方式】
[0016]将参照附图解释优选实施方式。要注意的是，本申请公开的光模块不受以下实施方式限制。
[0017]首先将对根据本申请公开的实施方式的光模块的配置进行描述。图1A是例示了根据本实施方式的光模块10的配置的俯视图。如图1A所示，光模块10包括封装11和PBC(偏振光束耦合器)12。电极15和16被设置在形成在封装11内的晶体基板13上的光波导14的附近。晶体基板13由电光晶体(诸如LiNbO3(LN)或LiTaO2)制成。通过形成金属膜(诸如Ti)并使该金属膜经受热扩散或者通过执行构图(patterning)并随后在苯甲酸(benzoic acid)中执行质子交换来形成光波导14。光波导14构成了 Mach-Zehnder干涉系统，并且在该Mach-Zehnder干涉系统的平行波导上设置了电极15和16。
[0018]由于电极15和16利用了由z轴方向上的电场所导致的折射率变化，因此电极15和16被直接设置在光波导14上方。电极15和16是共面电极，它们都通过在光波导14上对信号电极和接地电极进行构图来形成。为了防止通过光波导14传播的光被信号电极和接地电极吸收，光模块10包括在晶体基板13与电极15和16之间的缓冲层。该缓冲层由Si02等制成，具有约0.2至2 ym的厚度。晶体基板13可以是II1-V族半导体(诸如InP或 GaAs)ο
[0019]当光模块10被高速驱动时，信号电极和接地电极的端子(terminat1n)使用电阻器相互连接以形成行波电极，并且从其输入侧施加微波信号。此时，构成Mach-Zehnder干涉系统的两个光波导14(例如，光波导14a和14b)的折射率由于电场而被分别改变了诸如+ Ana和-Anb。随着这种变化，光波导14之间的相位差也被改变。因此，由于Mach-Zehnder干涉而从光波导14输出了相位调制的信号光。光模块10能够通过借助于改变电极15和16的横截面形状而控制微波的有效折射率来获得高速光响应特性，以使得光和微波的速度相匹配。
[0020]TEC(热电冷却器)17是利用Peltier结的小冷却装置。TEC 17调节容纳晶体基板13、光波导14以及电极15和16的封装11中的温度。封装11通过中继板18设置有FPC19。如果在FPC 19上的电极中高频波传播损失大，则调制带宽变窄，从而增大了其驱动电压。因此，在处理高频信号的光模块10中，期望FPC 19具有尽可能最短的长度以减小高频波损耗。
[0021]如图1A所示，中继板18包括四个RF引脚18a至18d，这些RF引脚连接到封装11的输入侧侧面的后部部分中的电极15。此外，FPC 19包括12个DC引脚19a至191，这些DC引脚连接到封装11的输入侧侧面的前部部分中的电极16。
[0022]图1B是例示了根据本实施方式的光模块10的配置的侧视图。如图1B所示，这12个DC引脚19a至191在FPC 19上被布置成两行。更具体地，DC引脚19a、19c、19e、19g、19i和19k被布置在上面的行中，并且DC引脚19b、19d、19f、19h、19j和191被布置在下面的行中。此外，形成从下面的行中的DC引脚19b、19d、19f、19h、19j和191延伸到DC电极19b-l、19d-l、19f-l、19h-l、19j-l和191-1的布线，以便绕过上面的行中的左端部上的DC引脚19a的左侧。因此，抑制了由来自RF引脚18a至18d的干涉所导致的RF信号与DC信号之间的串扰。
[0023]要注意的是，可以在FPC 19的前表面或后表面上形成覆盖材料(例如，覆盖膜(coverlay))，以防止DC电极19a_l至191-1或布线图案的分离。
[0024]如上所述，光模块10包括RF引脚18a、在FPC 19上的多个DC引脚19b和19d、多个DC引脚19a和19c以及多个布线。多个DC引脚19a和19c被布置成在FPC 19上比多个DC引脚19b和19d更靠近电极19a-1至19d_l。多个布线从多个DC引脚19b和19d延伸穿过与RF引脚18a相对的侧面并到达电极19b-l至19d_l。例如，多个布线形成在光模块10中，以便绕过多个DC引脚19a和19c当中的离RF引脚18a最远的DC引脚(DC引脚19a)。这使得从多个DC引脚19b和19d流过的DC信号远离从RF引脚18a流过的RF信号，从而抑制了这些信号间的串扰。
[0025]第一修改实施方式
[0026]接下来将描述第一修改实施方式。除了 FPC 19中的布线以外，根据第一修改实施方式的光模块具有与根据上述实施方式的光模块10的配置相似的配置。因此，在第一修改实施方式中，将使用相同的附图标记来表示与上述实施方式的组件相同的组件，并且将省略对其的详细描述。
[0027]图2是例示了根据第一修改实施方式的光模块10的配置的侧视图。在图2中，FPC 19中的实线表示其前表面上的布线，而虚线表示其后表面(更靠近封装11的表面)上的布线。如图2所示，上面的行中的DC引脚19a、19c、19e、19g、19i和19k经由形成在FPC19的前表面上的布线分别连接到DC电极19a-l、19c-l、19e-l、19g-l、191-l和19k_l。另一方面，下面的行中的DC引脚19b、19d、19f、19h、19j和191经由形成在FPC 19的两个表面上的布线分别连接到DC电极19b-l、19d-l、19f-l、19h-l、19j-l和191-1。此外，在下面的行中，仅DC引脚19b、19d、19f、19h、19j和191当中的DC引脚19d、19h和191的布线形成在FPC 19的后表面上，使得相邻信道在FPC 19的相反表面上被布线。这使得能够增大相邻DC引脚的布线之间的间距，并且从