一种无金属酞菁-氧化石墨烯复合非线性光学薄膜材料及其制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明属于复合非线性光学材料领域，具体涉及无金属酞菁-氧化石墨烯复合非 线性光学薄膜材料及其制备方法。
【背景技术】
[0002] 光子学与光电器件的发展离不开新型非线性光学材料的发现。具有极大的共 轭体系的石墨烯，由于其超快载流子弛豫时间和宽幅非线性光学响应，而被认为是很好的 超快激光饱和吸收子。但其高度的难溶性限制了它的应用，而其氧化衍生物氧化石墨烯由 于引入了含氧官能团极大的改善了溶解性，但也打破了石墨烯的原有结构。而酞菁类化合 物作为一种具有18 31电子的有机大分子，其结构高度可剪裁、非线性响应时间短，因而被 广泛用作非线性光学材料。这样，很自然地，如若能将酞菁类化合物与氧化石墨烯复合到 一起，由于二者的协同作用，其非线性光学性能显著提高，有望成为高性能的非线性光学材 料。
[0003] 目前，制备酞菁-氧化石墨烯复合材料的方法主要分物理复合法和化学键合法两 种。其中化学键合法利用酞菁类化合物的周边、非周边或轴向取代基与氧化石墨烯表面的 含氧官能团以共价键的形式结合到一起，但受限于复合材料的化学结构与性质，无法得到 可控形态的材料。而物理复合法主要利用酞菁类化合物与氧化石墨烯本身的化学结构与性 质，可以JT-JT堆积或静电作用相互复合，制备方法简单，形态可控。其中静电自组装方式 是目前较为理想的薄膜材料制备工艺。
[0004] 自组装技术（Self-assembly，SA)最先由Sagi等人于1980年报道，是指原子或 分子在基片上自发的排列成一维、二维或三维有序空间结构的过程。1991年，在前人的 工作基础上，Deche等人提出了一种新的制备自组装薄膜的技术，即带相反电荷离子之间 的静电吸引力作用下交替沉积形成的多层膜，因此这种技术被称为静电自组装薄膜技术 (electrostatic self-assembly multilayer，ESAM)。但是迄今为止，尚未见采用静电自组 装技术制备的无金属酞菁-氧化石墨烯复合薄膜并应用于非线性光学领域。
【发明内容】
[0005] 本发明的目的是为了解决现有非线性光学薄膜材料的三阶非线性光学性能较差 的问题，而提供一种无金属酞菁-氧化石墨烯复合非线性光学薄膜材料及其制备方法。
[0006] 本发明无金属酞菁-氧化石墨烯复合非线性光学薄膜材料由酞菁化合物和 氧化石墨烯的水溶液以静电自组装的方法成膜，其中所述的酞菁化合物为带电荷的 四-0 - (4-磺酸苯氧基）酞菁（-PhSPcH2)，其结构式为：
[0007] 本发明无金属酞菁-氧化石墨烯复合非线性光学薄膜材料的制备方法按下列步 骤实现：
[0008] 一、将预处理后的基片置于质量浓度为10%的roDA(聚二烯丙基二甲基氯化铵） 溶液中浸泡4~6min，取出后用蒸馏水洗净吹干，再浸入到质量浓度为10%的PSS(聚苯乙 烯磺酸钠）溶液中4~6min，取出后用蒸馏水洗净吹干，完成一次TODA-PSS浸泡过程，重复 TODA-PSS浸泡过程三次，得到带有负电荷的基片；
[0009] 二、将步骤一得到的带有负电荷的基片放入质量浓度为10%的roDA溶液中浸泡 4~6min，取出后用蒸馏水洗净吹干，再浸入到-PhSPcH 2 (四-e - (4-磺酸苯氧基）酞菁） 水溶液中4~6min，取出后用蒸馏水洗净吹干，然后浸入到质量浓度为10%的TODA溶液中 浸泡4~6min，取出后用蒸馏水洗净吹干，再浸入到GO (氧化石墨稀）水溶液中4~6min， 取出后用蒸馏水洗净吹干，完成单对层无金属酞菁-氧化石墨烯复合薄膜组装；
[0010] 三、重复多次步骤二的单对层无金属酞菁-氧化石墨烯复合薄膜组装过程，得到 无金属酞菁-氧化石墨烯复合非线性光学薄膜材料。
[0011] 本发明无金属酞菁-氧化石墨烯复合非线性光学薄膜材料由酞菁化合物与氧化 石墨烯烃静电自组装方法制备获得，其薄膜厚度与组装层数有关。所用的酞菁化合物为带 电荷的四-0 -(4-磺酸苯氧基）酞菁（0 -PhSPcH2)，选择的氧化石墨稀是采用Hummers法 制备的具有良好分散性的氧化石墨烯（GO)。本发明的复合非线性光学薄膜材料制备方法简 单，性能稳定，具有良好的三阶非线性光学性能，对本发明中的复合非线性光学薄膜材料进 行开孔Z扫描测试，该无金属酞菁-氧化石墨烯复合非线性光学薄膜的非线性吸收系数0 约为l(T 4m/W，结果表明：该无金属酞菁-氧化石墨烯复合非线性光学薄膜材料表现出明显 的反饱和吸收性质，非线性吸收系数为正值。本发明能够在光子学及光电器件领域得到广 泛应用。
【附图说明】
[0012] 图1为1-10对层无金属酞菁-氧化石墨烯复合非线性光学薄膜的紫外-可见吸 收光谱，沿箭头方向非线性光学薄膜的层数降低，1一 e -PhSPcHjK溶液，2-GO水溶液；
[0013] 图2为Q带吸收值与对层数的线性关系；
[0014]图3为实施例三20对层无金属酞菁-氧化石墨烯复合非线性光学薄膜的原子力 三维立体图；
[0015]图4为实施例三20对层无金属酞菁-氧化石墨烯复合非线性光学薄膜的拉曼谱 图；
[0016] 图5为实施例三20对层无金属酞菁-氧化石墨烯复合非线性光学薄膜的开孔 z-扫描曲线。
【具体实施方式】
[0017] 【具体实施方式】一：本实施方式无金属酞菁-氧化石墨烯复合非线性光学薄 膜材料由酞菁化合物和氧化石墨烯的水溶液以静电自组装的方法成膜，其中所述的 酞菁化合物为带电荷的四-0-(4-磺酸苯氧基）酞菁（0 -PhSPcH2)，其结构式为：
【具体实施方式】 [0018] 二：本实施方式与一不同的是所述的氧化石墨烯采用 Hummers法制备得到。
【具体实施方式】 [0019] 三：本实施方式无金属酞菁-氧化石墨烯复合非线性光学薄膜材料 的制备方法按下列步骤实施：
[0020] 一、将预处理后的基片置于质量浓度为10%的roDA(聚二烯丙基二甲基氯化铵） 溶液中浸泡4~6min，取出后用蒸馏水洗净吹干，再浸入到质量浓度为10%的PSS (聚苯乙 烯磺酸钠）溶液中4~6min，取出后用蒸馏水洗净吹干，完成一次TODA-PSS浸泡过程，重复 TODA-PSS浸泡过程三次，得到带有负电荷的基片；
[0021] 二、将步骤一得到的带有负电荷的基片放入质量浓度为10%的roDA溶液中浸泡 4~6min，取出后用蒸馏水洗净吹干，再浸入到-PhSPcH 2 (四-e - (4-磺酸苯氧基）酞菁） 水溶液中4~6min，取出后用蒸馏水洗净吹干，然后浸入到质量浓度为10%的TODA溶液中 浸泡4~6min，取出后用蒸馏水洗净吹干，再浸入到GO (氧化石墨稀）水溶液中4~6min， 取出后用蒸馏水洗净吹干，完成单对层无金属酞菁-氧化石墨烯复合薄膜组装；
[0022] 三、重复多次步骤二的单对层无金属酞菁-氧化石墨烯复合薄膜组装过程，得到 无金属酞菁-氧化石墨烯复合非线性光学薄膜材料。
[0023] 本实施方式无金属酞菁-氧化石墨烯复合非线性光学薄膜材料性能提高主要是 由于在形成静电自组装薄膜的过程中，成膜的两种分子高度有序排列，使得薄膜中酞菁分 子和氧化石墨烯分子间的聚集程度极大提高，两种分子间由于堆积作用在复合薄膜 内部形成更大的共轭体系，而光学薄膜材料的共轭体系越大三阶非线性光学性质越好。此 外还由于紧密有序堆积增强了酞菁分子与氧化石墨烯分子间的电子转移，则进一步提高了 材料非线性光学性质。
【具体实施方式】 [0024] 四：本实施方式与三不同的是步骤一所述的基片为石 英片或硅片。其它步骤及参数与三相同。
【具体实施方式】 [0025] 五：本实施方式与三或四不同的是步骤一所述的预处 理后的基片是将基片先用丙酮擦拭干净，然后浸入lmol/L的NaOH溶液中5min，取出后洗净 吹干，得到预处理后的基片。其它步骤及参数与三或四相同。
【具体实施方式】 [0026] 六：本实施方式与三至五之一不同的是步骤二所述的 0 -PhSPcHjK溶液的浓度为0. 8~1. 5mg/ml。其它步骤及参数与三至五之 一相同。
【具体实施方式】 [0027] 七：本实施方式与六不同的是步骤二所述的 e-PhSPcHjK溶液的浓度为lmg/ml。其它步骤及参数与六相同。
【具体实施方式】 [0028] 八：本实施方式与三至七之一不同的是步骤二所述的 GO水溶液的浓度为0. 08~0. 15mg/ml。其它步骤及参数与三至七之一相同。
【具体实施方式】 [0029] 九：本实施方式与八不同的是步骤二所述的GO水溶 液的浓度为〇. lmg/ml。其它步骤及参数与八相同。
【具体实施方式】 [0030] 十：本实施方式与三至九之一不同的是步骤三重复 5~20次步骤二的单对层无金属酞菁-氧化石墨烯复合薄膜组装过程。其它步骤及参数与 三至九之一相同。
[0031] 实施例一：本实施例无金属酞菁-氧化石墨烯复合非线性光学薄膜材料的制备