用于移除光致抗蚀剂的剥离剂组合物及使用其的光致抗蚀剂的剥离方法
【技术领域】
[0001] 本公开内容涉及用于移除光致抗蚀剂的剥离剂组合物和使用其剥离光致抗蚀剂 的方法，所述剥离剂组合物可表现出优异的光致抗蚀剂移除和剥离性能，并有效地抑制污 点或异物在含铜下膜（lowerfilm)等上的产生和残留。
【背景技术】
[0002] 液晶显示装置的微电路工艺或半导体集成电路制造工艺中包括以下的许多过程： 形成各种不同的下膜，例如铝、铝合金、铜、铜合金、钼、钼合金等的导电金属膜，或如氧化硅 膜、氮化硅膜、丙烯酸绝缘体膜等绝缘体膜；将光致抗蚀剂均匀地涂布在下膜上；选择性地 将其曝光并显影以形成光致抗蚀剂图案；然后，利用该图案作为掩模将下膜图案化。在图案 化过程后，进行移除下膜上的残留光致抗蚀剂的步骤，且在该过程中使用用于移除光致抗 蚀剂的剥离剂组合物。
[0003] 包含胺化合物、极性质子溶剂和极性非质子溶剂等的剥离剂组合物是熟知的，特 别是，广泛使用包含亚烷基二醇单烷基醚作为极性质子溶剂的剥离剂组合物。已知所述剥 离剂组合物表现出某定程度的移除和剥离性能。
[0004] 同时，近来随着大面积、超精细和高分辨率TFT-LCD的发展，人们尝试使用含铜布 线图案（wiringpattern)作为栅电极或信号电极等。然而，由于铜的特性，当使用光致抗 蚀剂图案经光刻法将含铜层图案化，然后使用先前已知的剥离剂组合物剥离并移除含铜层 上残留的光致抗蚀剂图案时，含铜层上会产生和残留大量微小的污点或异物。这被认为是 由于铜的疏水性造成的。
[0005] 所述微小污点或异物可劣化TFT-LCD的显示性，其在近来具有高分辨率和超精细 像素的TFT-IXD中成为更加重要的问题。
[0006] 因此，持续需要开发一种具有优异光致抗蚀剂剥离性能而不在含铜下膜上产生和 留下污点或异物的剥离剂组合物或相关技术。
【发明内容】
[0007][技术问题]
[0008] 本发明的目的是提供一种用于移除光致抗蚀剂的剥离剂组合物和一种使用其剥 离光致抗蚀剂的方法，所述剥离剂组合物可表现出优异的光致抗蚀剂移除和剥离性能，且 有效地抑制污点或异物在含铜下膜等上的产生和残留。
[0009][技术方案]
[0010] 本发明提供一种用于移除光致抗蚀剂的剥离剂组合物，其包含至少一种胺化合 物；极性有机溶剂；亚烷基二醇溶剂；和防腐蚀剂。
[0011] 本发明还提供一种用于剥离光致抗蚀剂的方法，其包括：在形成有含铜下膜的基 板上形成光致抗蚀剂图案；使用光致抗蚀剂图案将下膜图案化；并使用上述剥离剂组合物 剥离光致抗蚀剂。
[0012] 在下文中，将说明根据本发明具体实施方案的用于移除光致抗蚀剂的剥离剂组合 物和使用其剥离光致抗蚀剂的方法。
[0013] 根据本发明一个实施方案，提供一种用于移除光致抗蚀剂的剥离剂组合物，其包 含至少一种胺化合物；极性有机溶剂；亚烷基二醇溶剂；和防腐蚀剂。
[0014] 根据试验结果，发明人证实了，通过使用亚烷基二醇溶剂如二（2-羟基乙基）醚 等，与极性溶剂如质子极性溶剂和/或非质子极性溶剂一起，则在含铜下膜等上基本上不 产生和残留污点或异物，同时表现出优异的光致抗蚀剂剥离和移除性能，进而完成本发明。
[0015] 更具体而言，亚烷基二醇溶剂可从根本上降低剥离剂组合物的表面张力从而改善 光致抗蚀剂润湿性，并表现出优异的光致抗蚀剂溶解性。此外，亚烷基二醇溶剂可表现出与 构成剥离剂组合物的其他有机溶剂的优异的相容性。因此，本发明的一个实施方案的包含 亚烷基二醇溶剂的剥离剂组合物可表现出优异的光致抗蚀剂剥离和移除性能。
[0016] 此外，即使是用于含铜的疏水性下膜等，亚烷基二醇溶剂也可改善剥离剂组合物 的润湿性。因此，一个实施方案的包含亚烷基二醇溶剂的剥离剂组合物可对含铜下膜表现 出优异的冲洗性能，因此，即使在使用剥离剂组合物处理后，下膜上也基本上不会产生和残 留污点或异物，并可有效地移除污点和异物。
[0017] 因此，一个实施方案的剥离剂组合物可克服现有剥离剂组合物的问题，其可表现 出优异的光致抗蚀剂剥离性能，而基本上不会在含铜下膜上产生和残留污点和异物。
[0018] 此外，由于一个实施方案的剥离剂组合物同时包括防腐蚀剂和上述组分，因此可 抑制在使用其剥离光致抗蚀剂的过程中因剥离剂组合物（例如胺化合物）而导致的含铜下 膜等的腐蚀。因此，可抑制铜布线图案等的电特性劣化，并可提供具有改善特性的器件。
[0019] 在下文中，将详细地说明一个实施方案的剥离剂组合物的每一组分。
[0020] 根据一个实施方案的剥离剂组合物包括具有光致抗蚀剂剥离性的胺化合物。所述 胺化合物可起到溶解光致抗蚀剂并将其移除的作用。
[0021] 就一个实施方案的剥离剂组合物的优异的剥离性能而言，胺化合物可包括选自链 状胺化合物和环状胺化合物的至少一种。更具体而言，对于链状胺化合物，可使用至少一种 选自如下的化合物：（2_氨基乙氧基）-1-乙醇（AEE)、氨基乙基乙醇胺（AEEA)、单甲醇胺、 单乙醇胺、N-甲基乙基胺（N-MEA)、1-氨基异丙醇（AIP)、甲基二甲胺（MDEA)、二亚乙基三 胺（DETA)和三亚乙基四胺（TETA)，其中，可合适地使用（2-氨基乙氧基）-1_乙醇或氨基乙 基乙醇胺。并且，对于环状胺化合物，可使用至少一种选自如下的化合物：咪唑基-4-乙醇 (ME)、氨基乙基哌嗪（AEP)、羟基乙基哌嗪（HEP)，且可合适地使用咪唑基-4-乙醇。
[0022] 环状胺化合物可表现出更优异的光致抗蚀剂剥离性能，链状胺化合物可合适地移 除下膜，例如在含铜膜上的自然氧化物膜，以进一步改善含铜膜与其上的绝缘膜（例如氮 化硅膜）之间的粘附性等，并同时表现出光致抗蚀剂剥离性能。
[0023] 就一个实施方案的剥离剂组合物的优异的剥离性能和自然氧化物膜移除性能而 言，链状胺化合物：环状胺化合物的重量比可约为5 : 1至1 : 5,或约为3 : 1至1 : 3。
[0024] 可包括含量约为0. 1至10重量％、或约0.5至7重量％、或约1至5重量％、或约 1. 5至3重量％的胺化合物，基于全部组合物计。当所述胺化合物在所述含量范围内时，一 个实施方案的剥离剂组合物可使因为胺过量所导致的工艺的经济效率的降低最小化并可 减少废液的产生等，同时表现出优异的剥离性能。如果包括了过量的胺，则其可导致下膜 (例如含铜下膜）的腐蚀，为了避免该问题，可能需要使用大量的防腐蚀剂。在这种情况下， 大量的防腐蚀剂将被吸附并残留在下膜的表面上，从而降低含铜下膜等的电特性。
[0025] 同时，一个实施方案的剥离剂组合物包括极性有机溶剂。极性有机溶剂可令人满 意地溶解胺化合物，并使剥离剂组合物适当地渗透通过待移除的光致抗蚀剂图案和下膜， 因此确保了剥离剂组合物的优异剥离性能和冲洗性能。
[0026] 更具体而言，极性有机溶剂可包括非质子极性溶剂、质子极性溶剂（例如亚烷基 二醇单烷基醚）和其混合物。
[0027]非质子极性溶剂包括至少一种选自如下的化合物：N_甲基甲酰胺（NMF)、二甲基 亚砜（DMS0)、二甲基乙酰胺（DMAc)、二丙二醇单甲醚（DPM)、二乙基亚砜、二丙基亚砜、环丁 砜、N-甲基-2-吡咯烷