电子照相处理盒和电子照相设备的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及电子照相处理盒和电子照相图像形成设备（下文中称作"电子照相设 备")。
【背景技术】
[0002] 电子照相感光构件的表面的充电方法包括使用与电子照相感光构件的表面接触 的充电构件的接触充电法。据称由于充电构件与电子照相感光构件之间的窄放电区域而使 接触充电法易于产生电子照相感光构件表面的充电不均。对于该个问题，提出在表面层包 含粗趟度形成颗粒（rou曲ness化rmingparticle)而使充电构件的表面粗趟化的充电构 件（专利文献1)。
[0003] 同时，转印步骤中未转印至如纸等转印材料的调色剂可附着至安装在电子照相设 备的电子照相感光构件的表面。下文中，该种调色剂还称作残余调色剂。为了将残余调色 剂从电子照相感光构件的表面除去并提供电子照相感光构件用于接下来的电子照相图像 形成工序，将清洁构件等与电子照相感光构件的表面接触。由于该原因，电子照相感光构件 的表面需要适度的润滑性和滑移性。对于该个问题，提出在电子照相感光构件的表面层包 含硅油如聚二甲基硅氧烷（专利文献2)。
[0004] 现有技术文献 [000引专利文献
[0006] 专利文献1;日本专利申请特开2009-175427号公报
[0007] 专利文献2;日本专利特许3278016号公报
【发明内容】
[0008] 发巧要解决的间願
[0009] 根据本发明人的研究，当使用具有粗趟化表面的充电构件W接触充电式给表面润 滑性提高的电子照相感光构件接触充电时，电子照相感光构件与充电构件之间的漉隙处的 接触面积减少，当电子照相感光构件与充电构件接触旋转时有时引起轻微滑移。该种滑移 引起电子照相感光构件的充电不均，导致在电子照相图像中产生横条纹。下文中，具有横条 纹的电子照相图像可称作"条带图像"。
[0010] 然后，本发明旨在提供电子照相处理盒，其能够获得作为接触充电法的问题的充 电不均的改进，并抑制归因于充电构件与电子照相感光构件之间的滑移的条带图像的产 生。
[0011] 本发明旨在提供可形成高品质电子照相图像的电子照相设备。
[00。] 用于解决间願的方秦
[0013] 根据本发明的一个方面，提供电子照相处理盒，其包括充电构件和与充电构件接 触而充电的电子照相感光构件，其中充电构件包括导电性基体和形成在导电性基体上的表 面层康面层至少包含粘结剂树脂、电子导电剂和内部具有多个孔（pores)的树脂颗粒康 面层的表面具有源于树脂颗粒的凸部；电子照相感光构件包括支承体和形成在支承体上的 感光层；且电子照相感光构件的表面层包含树脂（1)、树脂（2)和化合物（3):
[0014] 树脂（1);选自由末端无硅氧烷结构的聚碳酸醋树脂和末端无硅氧烷结构的聚醋 树脂组成的组的至少一种树脂；
[0015] 树脂（2);选自由末端有硅氧烷结构的聚碳酸醋树脂、末端有硅氧烷结构的聚醋 树脂和末端有硅氧烷结构的丙締酸类树脂组成的组的至少一种树脂；
[0016] 化合物（3);选自由苯甲酸甲醋、苯甲酸己醋、己酸节醋、3-己氧基丙酸己醋和二 甘醇己基甲離组成的组的至少一种化合物。
[0017] 根据本发明的另一方面，提供安装有电子照相处理盒的电子照相设备。
[001引发巧的效果
[0019] 本发明通过使用具有粗趟化表面的充电构件，可抑制归因于窄放电区域的、作为 接触充电法中的问题的充电不均。此外，即使当具有粗趟化表面的充电构件与表面润滑性 提高的电子照相感光构件接触而充电时，本发明也可抑制充电构件与电子照相感光构件之 间的滑移，并因此有效地抑制归因于该滑移的条带图像的产生。
【附图说明】
[0020] 图1A为根据本发明的包括形成在导电性基体上的表面层的充电漉的截面图。
[0021] 图1B为根据本发明的包括形成在导电性基体与表面层之间的导电性弹性层的充 电漉的截面图。
[0022] 图1C为根据本发明的包括形成在导电性基体与表面层之间的导电性粘合层和导 电性弹性层的充电漉的截面图。
[0023] 图2A为在根据本发明的充电漉中形成的表面层中分散的多孔颗粒的截面图，其 说明孔存在于凸部的上部的状态。
[0024] 图2B为在根据本发明的充电漉中形成的表面层中分散的多孔颗粒的截面图，其 说明孔存在于凸部内部的状态。
[0025] 图3为在根据本发明的充电漉中形成的表面层中分散的中空颗粒的截面图。
[0026] 图4为说明充电漉的电阻值的测量方法的示意图。
[0027] 图5为说明根据本发明的电子照相设备的实例的截面示意图。
[002引图6为说明根据本发明的电子照相处理盒的实例的截面示意图。
[0029] 图7为说明在充电构件中形成的表面层中形成凸部的树脂颗粒的截面图。
[0030] 图8为在充电构件中形成的表面层中形成凸部的树脂颗粒的立体示意图。
[0031] 图9为说明用于观察由充电漉形成的漉隙内放电的设备的示意图。
[0032] 图10A为描述在由根据本发明的表面层形成用涂布液形成的涂膜的干燥步骤中 粘结剂树脂和溶剂流动的图。
[0033] 图10B为描述在由根据本发明的表面层形成用涂布液形成的涂膜的干燥步骤中 粘结剂树脂和溶剂流动的图。
[0034] 图10C为描述在由根据本发明的表面层形成用涂布液形成的涂膜的干燥步骤中 粘结剂树脂和溶剂流动的图。
[00巧]图10D为描述在由根据本发明的表面层形成用涂布液形成的涂膜的干燥步骤中 粘结剂树脂和溶剂流动的图。
[0036] 图10E为描述在由根据本发明的表面层形成用涂布液形成的涂膜的干燥步骤中 粘结剂树脂和溶剂流动的图。
[0037] 图11为描述树脂颗粒的孔隙率的计算方法的图。
【具体实施方式】
[003引 <条带图像的抑制机理〉
[0039] 根据本发明的电子照相处理盒包括充电构件，和与充电构件接触而充电的电子照 相感光构件。
[0040] 充电构件包括导电性基体和形成在导电性基体上的表面层。表面层至少包含粘结 剂树脂、电子导电剂和内部具有多个孔的树脂颗粒。表面层的表面具有源于树脂颗粒的凸 部。
[0041] 电子照相感光构件包括支承体和形成在支承体上的感光层，且电子照相感光构件 的表面层包含树脂（1)、树脂（2)和化合物（3):
[0042] 树脂（1);选自由末端无硅氧烷结构的聚碳酸醋树脂和末端无硅氧烷结构的聚醋 树脂组成的组的至少一种树脂；
[0043] 树脂（2);选自由末端有硅氧烷结构的聚碳酸醋树脂、末端有硅氧烷结构的聚醋 树脂和末端有硅氧烷结构的丙締酸类树脂组成的组的至少一种树脂；和
[0044] 化合物（3);选自由苯甲酸甲醋、苯甲酸己醋、己酸节醋、3-己氧基丙酸己醋和二 甘醇己基甲離组成的组的至少一种化合物。
[0045] 本发明人推定由充电构件和电子照相感光构件组合形成的电子照相处理盒可抑 制条带图像的产生的机理如下。
[0046] 存在于根据本发明的电子照相感光构件的表面层中的化合物（3)具有极性。由 于该原因，当在电子照相图像的形成中将直流电压施加至充电构件时，表面层中化合物（3) 极化，且电吸引力（electricallyattractive化rce)在电子照相感光构件和与电子照相 感光构件接触的充电构件的凸部之间起作用。因此，将电子照相感光构件压向充电构件的 表面的凸部。此时，在充电构件的表面层的表面形成凸部的树脂颗粒在内部具有多个孔。由 于该原因，凸部因电子照相感光构件的压力接触而崎变（distod)，使电子照相感光构件与 充电构件之间的接触面积增加。因此，抑制电子照相感光构件和充电构件之间的漉隙处的 轻微滑移的产生，导致条带图像的抑制。
[0047] <电子照相感光构件〉
[0048] 根据本发明的电子照相感光构件包括支承体和形成在支承体上的感光层。感光 层的实例包括单层型感光层、其中电荷输送物质和电荷产生物质包含在同一层，和层压型 (机能分离型）感光层、其中包含电荷产生物质的电荷产生层与包含电荷输送物质的电荷 输送层分离。本发明中，优选层压型感光层。可选地，电荷产生层可具有层压结构，或电荷 输送层可具有层压构造。此外，为了改进电子照相感光构件的耐久性，可在感光层上形成保 护层。
[0049] [表面层]
[0050] 根据本发明的电子照相感光构件中，表面层包含树脂（1)、树脂（2)和化合物（3)。 此处，当电荷输送层为电子照相感光构件的表面层时，电荷输送层为表面层。当在电荷输送 层上设置保护层时，保护层为表面层。
[0051] 树脂（1)为选自由末端无硅氧烷结构的聚碳酸醋树脂和末端无硅氧烷结构的聚 醋树脂组成的组的至少一种树脂。树脂（2)为选自由末端有硅氧烷结构的聚碳酸醋树脂、 末端有硅氧烷结构的聚醋树脂和末端有硅氧烷结构的丙締酸类树脂组成的组的至少一种 树脂。化合物（3)为选自由苯甲酸甲醋、苯甲酸己醋、己酸节醋、3-己氧基丙酸己醋和二甘 醇己基甲離组成的组的至少一种化合物。
[0052][树脂（1)]
[0053] 树脂（1)中，末端无硅氧烷结构的聚碳酸醋树脂可为具有由下式（A)表示的结构 单元的聚碳酸醋树脂A。末端无硅氧烷结构的聚醋树脂可为具有由下式炬）表示的结构单 元的聚醋树脂B。
[0054]
[00巧]式（A)中，护至R24各自独立地表示氨原子或甲基；XI表示单键、环己叉基、或具有 由下式（C)表示的结构单元的二价基团。
[0056]
[0057] 式炬）中，护1至R34各自独立地表示氨原子或甲基；X2表示单键、环己叉基、或具 有由下式（C)表示的结构单元的二价基团；和表示间-亚苯基、对-亚苯基、或其中两个 对-亚苯基经由氧原子键合的二价基团。
[0058]
[0059] 式（C)中，R"和R42各自独立地表示氨原子、甲基、或苯基。
[0060] 包括在聚碳酸醋树脂A中的由式（A)表示的结构单元的具体实例示出如下：
[0061]
[0062] 聚碳酸醋树脂A可为具有选自由上式（A-1)至（A-8)表示的结构单元的仅一种结 构单元的聚合物，或具有两种或更多种上述结构单元的共聚物。该些结构单元中，优选由式 (A-1)、（A-2)和（A-4)表示的结构单元。
[0063] 包括在聚醋树脂B中的由式做表示的结构单元的具体实例示出如下：
[0064]
[0065]
[0066] 聚醋树脂B可为具有选自由上式炬-1)至炬-9)表示的结构单元的仅一种结构 单元的聚合物，或具有两种或更多种上述结构单元的共聚物。该些结构单元中，优选由式 炬-1)、炬-2)、炬-3)、炬-6)、炬-7)和炬-8)表示的结构单元。
[0067] 聚碳酸醋树脂A和聚醋树脂B可由例如已知的光气法合成。可选地，该些树脂可 由醋交换合成。
[0068] 当上述聚碳酸醋树脂A或聚醋树脂B为共聚物时，共聚的形式可为嵌段共聚、无规 共聚和交替共聚的任意。该些聚碳酸醋树脂A和聚醋树脂B可由已知方法合成。例如，该 些可由日本专利申请特开2007-047655号公报和特开2007-072277号公报中描述的方法来 合成。
[0069] 聚碳酸醋树脂A的重均分子量和聚醋树脂B的重均分子量优选20, 000W上且 300, 000W下，更优选50, 000W上且200, 000W下。树脂的重均分子量意指根据其中通过 日本专利申请特开2007-079555号公报中描述的方法进行测量的标准方法的聚苯己締换 算的重均分子量。
[0070] 作为树脂（1)的聚碳酸醋树脂A或聚醋树脂B可为具有除由上式（A)或式炬）表 示的结构单元W外的在主链上包含硅氧烷结构的结构单元的共聚物。具体地，该种结构单 元的实例包括由下式（H-1)或（H-2)表示的结构单元。此外，该些树脂可具有由下式（H-3) 表示的结构单元。
[0071]
[0072] 用作树脂（1)的具体树脂示出如下。
[0073][表1]
[0074]表1
[00巧]
[0076] 表1中，树脂B(l)和树脂B(2)中由式炬-1)和炬-6)表示的结构单元中，对苯二 甲酸结构与间苯二甲酸结构的摩尔比（对苯二甲酸骨架/间苯二甲酸骨架）为5/5。
[0077][树脂（2)]
[0078] 树脂（2)为选自由末端有硅氧烷结构的聚碳酸醋树脂、末端有硅氧烷结构的聚醋 树脂和末端有硅氧烷结构的丙締酸类树脂组成的组的至少一种树脂。该些树脂（2)具有与 树脂（1)的高的相溶性（miscibility),保持高的电子照相感光构件的表面层的机械耐久 性。由于树脂（2)在末端具有硅氧烷部分（siloxanemoiety),所W表面层可获得高的润 滑性，并且可减少表面层的初期摩擦系数。推测因为当树脂（2)在末端具有二甲基聚娃氧 烧（硅氧烷）部分时，硅氧烷部分的自由度增加，W升高树脂（2)迁移（migrates)至表面 层的表层部的可能性；因此，树脂（2)有可能存在于电子照相感光构件的表面。
[0079] 本发明中，末端有硅氧烷结构的聚碳酸醋树脂可为具有由下式（A'）表示的结构 单元和由下式值）表示的末端结构的聚碳酸醋树脂A'。此外，末端有硅氧烷结构的聚醋树 脂可为具有由下式炬'）表示的结构单元和由下式值）表示的末端结构的聚醋树脂B'。
[0080]
[0081] 式（A'）中，R25至R28各自独立地表示氨原子或甲基；X3表示单键、环己叉基、或具 有由下式（C'）表示的结构单元的二价基团。
[0082]
[0083] 式炬'）中，R35至R38各自独立地表示氨原子或甲基；X4表示单键、环己叉基、或具 有由下式胆）表示的结构单元的二价基团；Y2表示间-亚苯基、对-亚苯基、或其中两个 对-亚苯基经由氧原子键合的二价基团。
[0084]
[0085] 式（C'）中，R43和R44各自独立地表示氨原子、甲基、或苯基。
[0086]
[0087]式值）中，a和b表示括弧内的结构单元的重复数，a的平均值为20W上且100W下，和b的平均值为1W上且10W下。更优选地，a的平均值为30W上且60W下，和b的 平均值为3W上且10W下。
[008引本发明中，聚碳酸醋树脂A'和聚醋树脂B'在树脂的一端或两端具有由上式值） 表示的末端结构。当所述树脂在其一端具有由上式值）表示的末端结构时，使用分子量调 整剂（末端停止剂）。分子量调整剂的实例包括苯酪、对-枯基酪、对-叔了基酪、或苯甲 酸。本发明中，优选苯酪或对-叔了基酪。
[0089] 当所述树脂在一端具有由上式值）表示的末端结构时，另一端的结构（其它末端 结构）为如下所示的结构：
[0090]
[00川由式做表示的末端硅氧烷结构的具体实例示出如下；
[0092]
[0093] 聚碳酸醋树脂A'中，由式（A'）表示的结构单元的具体实例包括由上式（A-1)至 (A-8)表示的结构单元。聚碳酸醋树脂A'可为具有选自由上式（A-1)至（A-8)表示的结构 单元的仅一种结构单元的聚合物，或具有两种或更多种上述结构单元的共聚物。该些结构 单元中，优选由式（A-l)、(A-2)和（A-4)表示的结构单元，特别优选由式（A-4)表示的结构 单元。
[0094] 聚醋树脂B'中，由式炬'）表示的结构单元的具体实例包括由上式炬-1)至炬-9) 表示的结构单元。聚醋树脂B'可为具有选自由上式炬-1)至炬-9)表示的结构单元的仅 一种结构单元的聚合物，或具有两种或更多种上述结构单元的共聚物。该些结构单元中，优 选由式炬-1)、炬-2)、炬-3)、炬-6)、炬-7)和炬-8)表示的结构单元，且进一步地特别优选 由式（B-1)和（B-3)表示的结构单元。
[0095] 当聚碳酸醋树脂A'或聚醋树脂B'为共聚物时，共聚的形式可为嵌段共聚、无规共 聚和交替共聚的任意。聚碳酸醋树脂A'或聚醋树脂B'可具有在主链上具有硅氧烷结构的 结构单元。所述树脂的实例包括具有由下式（H)表示的结构单元的共聚物。
[0096]
[0097] 式做中，f和g表示括弧内的结构单元的重复数，f的平均值为20W上且100 W下，和g的平均值为1W上且10W下。由式化）表示的结构单元的具体实例包括由上式 (H-1)或（H-2)表示的结构单元。
[009引本发明中，聚碳酸醋树脂A'或聚醋树脂B'中的"硅氧烷部分"指由下式值-巧表 示的末端结构中被虚线环绕的部分。此外，当聚碳酸醋树脂A'或聚醋树脂B'具有由式化） 表示的结构单元时，硅氧烷部分包括由下式（H-巧表示的结构单元中被虚线环绕的结构。
[0099]
[0100]
[0101] 本发明中，聚碳酸醋树脂A'和聚醋树脂B'可由已知的方法如日本专利申请特开 2007-199688号公报中描述的方法来合成。本发明中，使用相同的合成方法和根据聚碳酸醋 树脂A'和聚醋树脂B'的原料，可合成表2的合成例中示出的聚碳酸醋树脂A'和聚醋树脂 B'。聚碳酸醋树脂A'的组成和聚醋树脂B'的组成可确定如下；使用尺寸排阻色谱将树脂 分馈并分离后，由iH-NMR测量分馈组分，并测定树脂中上述硅氧烷部分的相对比。合成的 聚碳酸醋树脂A'和聚醋树脂B'中，重均分子量和硅氧烷部分的含量如表2所示。
[0102] 聚碳酸醋树脂A'和聚醋树脂B'的具体实例示出如下。
[0103][表引
[0104]表 2 「01051
[010引表2中，树脂A'（3)中，主链的结构单元的质量比（A-4) : (H-。为9:1。
[0107] 本发明中，末端有硅氧烷结构的丙締酸类树脂可为具有选自由下式（F-1)、（F-2) 和（F-3)表示的结构单元组成的组的至少一种结构单元的丙締酸类树脂F。
[010 引
[0109] 式（F-1)中，RS1表示氨或甲基；C表示括弧内的结构