电子照相感光构件及其制造方法、处理盒和电子照相设备、酞菁晶体及其制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种电子照相感光构件、所述电子照相感光构件的制造方法、包括所 述电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备、酞菁晶体、和所述酞菁晶体的制造方法。
【背景技术】
[0002] 现在，在电子照相领域内通常用作图像曝光装置的半导体激光器的振荡波长是 650至820nm的长波长。因此，正在开发对具有这样的长波长的光高度敏感的电子照相感光 构件。酞菁颜料作为对在这样的长波长区域内的光具有高的感光度的电荷产生材料是有效 的。特别地，氧钛酞菁和镓酞菁具有优异的感光特性，并且已经报道了多种晶体形式。
[0003] 然而，感光度不总与电场强度成比例，因此，由于感光层的厚度不均匀的影响，容 易导致感光度不均匀。
[0004] 日本专利特开No. 7-331107公开了一种羟基镓酞菁晶体，其包括选自具有酰胺基 的化合物、具有亚砜基的化合物和有机胺的至少一种极性有机溶剂。
[0005] 然而，在日本专利特开No. 7-331107中公开的羟基镓酞菁晶体依然具有对于以上 问题的改善空间。
【发明内容】
[0006] 本发明的方面提供了一种电子照相感光构件，其中抑制了由厚度不均匀导致的感 光度不均匀；和所述电子照相感光构件的制造方法。本发明的方面也提供了包括所述电子 照相感光构件的处理盒和电子照相设备。本发明的方面也提供了其中含有特定的酰胺化合 物的酞菁晶体和所述酞菁晶体的制造方法。
[0007] 在本发明的一个方面中，一种电子照相感光构件包括支承体和形成在所述支承体 上的感光层。所述感光层包括酞菁晶体，所述酞菁晶体内含有酰胺化合物的。所述酰胺化 合物是选自以下式（1)表示的化合物、以下式（2)表示的化合物和以下式（3)表示的化合 物的至少一种。
[0008]
[0009] 在本发明的一个方面中，处理盒可拆卸地安装至电子照相设备的主体并且一体化 地支承所述电子照相感光构件和选自充电装置、显影装置、转印装置和清洁构件的至少一 种。
[0010] 在本发明的一个方面中，电子照相设备包括所述电子照相感光构件、充电装置、曝 光装置、显影装置和转印装置。
[0011] 在本发明的一个方面中，一种酞菁晶体，所述酞菁晶体内含有酰胺化合物，其中所 述酰胺化合物是选自以上式（1)表示的化合物、以上式（2)表示的化合物和以上式（3)表 示的化合物的至少一种。
[0012] 在本发明的一个方面中，一种酞菁晶体的制造方法，所述酞菁晶体内含有酰胺化 合物，所述方法包括：将所述酰胺化合物和酞菁进行研磨处理从而进行所述酞菁的晶体变 换的晶体变换步骤，其中所述酰胺化合物是选自以上式（1)表示的化合物、以上式（2)表示 的化合物和以上式（3)表示的化合物的至少一种。
[0013] 根据本发明的实施方案，可以提供一种电子照相感光构件，其中抑制了由厚度不 均匀导致的感光度不均匀；和所述电子照相感光构件的制造方法。根据本发明的实施方案， 可以提供包括所述电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。
[0014] 根据本发明，可以提供其中含有特定的酰胺化合物的酞菁晶体，和所述酞菁晶体 的制造方法。
[0015] 本发明的进一步特征将参考附图从示例性实施方案的以下说明而变得明显。
【附图说明】
[0016] 图1表明包括含有电子照相感光构件的处理盒的电子照相设备的示例性结构的 实例。
[0017] 图2示出在实施例1-1中获得的羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图案。
[0018] 图3示出在实施例1-2中获得的羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图案。
[0019] 图4示出在实施例1-3中获得的羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图案。
[0020] 图5示出在实施例1-4中获得的羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图案。
[0021] 图6示出在实施例1-5中获得的羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图案。
[0022] 图7示出在实施例1-6中获得的羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图案。
[0023] 图8示出在实施例1-7中获得的羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图案。
[0024] 图9示出在实施例1-9中获得的羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图案。
[0025] 图10示出在实施例1-10中获得的羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图案。
【具体实施方式】
[0026] 根据本发明的实施方案的电子照相感光构件包括支承体和形成在支承体上的感 光层。感光层包含酞菁晶体，所述酞菁晶体内含有酰胺化合物。酰胺化合物是选自由以下 式（1)表示的化合物、以下式（2)表示的化合物和以下式（3)表示的化合物组成的组的至 少一种。这些酰胺化合物下文中称为"特定的酰胺化合物"。
[0027]
[0028] 根据本发明的实施方案的构成其中含有特定的酰胺化合物的酞菁晶体的酞菁的 实例包括无金属的酞菁和可以具有轴向配体的金属酞菁，并且这样的酞菁可以具有取代 基。其中，可以使用氧钛酞菁和镓酞菁，这是因为其具有高的感光度，因此明显地抑制了感 光度不均匀。
[0029] 镓酞菁的实例是其中镓酞菁分子的镓原子具有卤素原子、羟基或烷氧基作为轴向 配体的镓酞菁。镓酞菁可以在其酞菁环上具有取代基，例如卤素原子。
[0030] 在镓酞菁晶体中，使用羟基镓酞菁晶体、溴镓酞菁晶体和碘镓酞菁晶体。特别地， 可以使用羟基镓酞菁晶体。羟基镓酞菁晶体是其中镓原子具有羟基作为轴向配体的镓酞菁 晶体。溴镓酞菁晶体是其中镓原子具有溴原子作为轴向配体的镓酞菁。碘镓酞菁晶体是其 中镓原子具有碘原子作为轴向配体的镓酞菁。
[0031] 羟基镓酞菁晶体可以是在CuKa X射线衍射中在布拉格角2 Θ ±0. 2°为7. 7°、 16. 5°、24. 2°和27. 7°处具有峰的羟基镓酞菁晶体。
[0032] 在感光层中，基于酞菁晶体的质量，在酞菁晶体中的酰胺化合物的含量优选0.5 质量％以上且20质量％以下，并且更优选1质量％以上且2质量％以下。
[0033] 其中含有特定的酰胺化合物的酞菁晶体是引入了特定的酰胺化合物的酞菁晶体。
[0034] 当酞菁晶体含有特定的酰胺化合物时，光电转换量子效率线性地依赖于电场强 度。因此，相信抑制了由厚度不均匀导致的感光度不均匀。
[0035] 将描述其中含有特定的酰胺化合物的酞菁晶体的制造方法。
[0036] 将其中含有酰胺化合物的酞菁晶体通过将酰胺化合物和酞菁进行研磨处理从而 进行所述酞菁的晶体变换的晶体变换步骤来生产。用于研磨处理的酞菁是例如通过酸溶法 获得的酿菁。
[0037] 研磨处理是使用具有分散介质例如玻璃珠、钢珠或氧化铝球的研磨机例如砂磨机 或球磨机来进行的处理。在研磨处理中添加的特定的酰胺化合物的量是例如以质量基准的 酞菁的量的5至30倍。
[0038] 在本发明中，酞菁晶体是否含有特定的酰胺化合物可以通过分析获得的酞菁晶体 的NMR数据来确定。
[0039] 在本发明中，X射线衍射和NMR的测量在以下条件下进行。
[0040] 粉末X射线衍射测量
[0041] 使用的测量仪=Rigaku Corporation制造的X射线衍射仪RINT-TTR II
[0042] X 射线管：Cu
[0043] 管电压：5OkV
[0044] 管电流：300mA
[0045] 扫描模式：2 θ / Θ扫描
[0046] 扫描速度：4. 0° /分钟
[0047] 采样间隔：0.02°
[0048] 起始角度（2 Θ) :5. 0°
[0049] 终止角度（2 Θ) :40.0。
[0050] 附件：标准样品架
[0051] 过滤器：不使用
[0052] 入射单色仪：使用
[0053] 计数器单色仪（Counter monochromator):不使用
[0054] 发散狭缝：打开
[0055] 发散垂直限制狭缝：10.0 Omm
[0056] 散射狭缝：打开
[0057] 接收狭缝：打开
[0058] 平板单色仪：使用
[0059] 计数器：闪烁计数器
[0060] 匪R测量
[0061] 使用的测量仪：BRUKER制造的AVANCE III 500
[0062] 溶剂：硫酸-d2 (D2SO4)
[0063] 扫描次数：2000
[0064] 其中含有特定的酰胺化合物的酞菁晶体具有作为光电导体的优异功能，因此除了 电子照相感光构件以外，还可以应用于太阳能电池、传感器和开关元件等。
[0065] 下一步，将描述其中含有特定的酰胺化合物的酞菁晶体用作电子照相感光构件的 电荷产生材料的情况。