正的掩模板图形替换上述步骤201中的掩模板图形，再对该经步骤206修正的掩模板图形重新执行该方法；以及
[0040]步骤207:如果该轮廓的边缘定位误差达到该轮廓目标范围，则完成对掩模板图形的光学邻近修正。
[0041]以下结合图3来更详细地讨论本发明及其原理。
[0042]图3示出了掩模板图形的局部示意图。该掩模板图形主要包括:通孔301、多晶硅桥302以及散射条303。在图3中，上述元件均用不同的填充条纹加以区分。此外，通孔301周围的方框304表示该通孔的目标图形。
[0043]现有技术的OPC流程如图1所示。其中，该方法100主要包括对掩模板图形进行光学模拟(步骤101);该掩模板图形中包含通孔；解析该通孔的包含多条边的轮廓(步骤102);计算出该轮廓的边缘定位误差(步骤103);判断该轮廓的边缘定位误差是否达到预设的轮廓目标范围(步骤104);如果该轮廓的边缘定位误差超出该轮廓目标范围，则移动边的各分段(步骤105)接着，用经步骤105修正的掩模板图形替换上述步骤101中的掩模板图形，再对该经步骤105修正的掩模板图形重新执行该方法；以及如果该轮廓的边缘定位误差达到该轮廓目标范围，则完成对掩模板图形的光学邻近修正(步骤106)。根据该图1所示的OPC流程，要求所有边的EPE都趋于零。特别是，在现有技术中，在修正每条边(即移动边的各个分段或者整条边)时不会考虑其他边的情况。
[0044]例如，根据现有技术的原理，当掩模图形的修正边与相邻的掩模图形之间的距离等于掩模板的最小设计尺寸时，由于掩模板设计规则的限制，相应的边将不会向外移动，被冻结(frozen)，即使该被冻结的边的EPE不能满足目标值。在下次进行修正时，被冻结的待修正边还是不会移动，使得光学邻近修正进入死循环，并使得最终得到的曝光图形也不能满足工艺的要求，具有很大的EPE误差。比如，在图3所示的掩模板图形中，边B已经达到了 MRC的极限，因此该边B将被冻结。而，边A此时已满足其EPE目标，因此边A也将不再移动。这样的结果是，边B将保持很高的EPE，进而有很高的风险造成通孔遗漏。
[0045]相对地，本发明首先划分各边的优先级，例如根据该边的边缘定位误差规范的严格程度来划分。特别是，根据本发明的基于优先级的OPC价值函数的原理，当高优先级边同低优先级边之间发生冲突时，要求确保高优先级的边的边缘定位误差满足目标值同时允许其余的低优先级的边具有较大的边缘定位误差。
[0046]根据本发明的一个优选实施例，可以使得邻近多晶硅桥(例如图3中的多晶硅桥302)的边的优先级高于邻近有源区边缘(例如图3中的有源区边缘305)的边的优先级，并使得该邻近有源区边缘的边的优先级高于远离多晶硅桥和有源区边缘的边的优先级。对于远离多晶硅桥和有源区边缘的边来说，只要它们的EPE为正值，这它们对通孔的电气性能基本没有影响。
[0047]这样，在图3所示的掩模板图形中，由于邻近一多晶硅桥，边B的优先级高于边A的优先级。因此，按照本发明的降低关键尺寸的光学邻近修正的边缘定位误差的方法200，边B已触及MRC极限，且边A已满足EPE目标值，则必须优先确保边B的EPE趋于零。因此，本发明将使得边B不移动，而是通过将边A向外移动来调节边B的EPE。最终，将使得边B满足目标值，并使得边A保持正的EPE。如上所述，边A的该正EPE对于电气性能没有影响。
[0048]较佳地，在上述的步骤206中的再调整具有低优先级的边的过程中，允许调整该具有低优先级的边，以使该具有低优先级的边的边缘定位误差超出其目标范围。或者，在该再调整具有低优先级的边的过程中，允许调整该具有低优先级的边，以使该具有低优先级的边的边缘定位误差更远离其目标范围。
[0049]因此，本发明的降低关键尺寸的光学邻近修正的边缘定位误差的方法主要利用了基于优先级的价值函数，因此本发明可以显著改善光学邻近修正的质量，获得较小的边缘定位误差。此外，本发明还可以减少手动调试时间，并在不影响电气性能的前提下改善制程范围。
[0050]本领域技术人员可显见，可对本发明的上述示例性实施例进行各种修改和变型而不偏离本发明的精神和范围。因此，旨在使本发明覆盖落在所附权利要求书及其等效技术方案范围内的对本发明的修改和变型。
【主权项】
1.一种降低关键尺寸的光学邻近修正的边缘定位误差的方法，包括: a.对掩模板图形进行光学模拟，以模拟所述掩模板图形经光刻后于硅片上所形成的图像，所述掩模板图形中包含通孔； b.解析所述通孔的轮廓，其中所述轮廓包含多条边； c.将解析出的通孔的轮廓同该通孔的目标图形进行比较，以计算出该轮廓的边缘定位误差; d.判断该轮廓的边缘定位误差是否达到预设的轮廓目标范围； e.如果该轮廓的边缘定位误差超出所述轮廓目标范围，则 el.检查所述轮廓的多条边中的每一条的优先级； e2.依照所述优先级的次序，对所述掩模板图形进行修正，其中该修改包括:先调整所述多条边中的具有高优先级的边以使该具有高优先级的边的边缘定位误差达到其目标范围，然后再调整具有低优先级的边； e3.用经步骤e2修正的掩模板图形替换上述步骤a中的掩模板图形，再对该经步骤e2修正的掩模板图形重新执行该方法；以及 f.如果该轮廓的边缘定位误差达到所述轮廓目标范围，则完成对掩模板图形的光学邻近修正。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤e2中的再调整具有低优先级的边的过程中，允许调整所述具有低优先级的边，以使该具有低优先级的边的边缘定位误差超出其目标范围。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述边的优先级是根据该边的边缘定位误差规范的严格程度来划分。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，邻近多晶硅桥的边的优先级高于邻近有源区边缘的边的优先级，且所述邻近有源区边缘的边的优先级高于远离多晶硅桥和有源区边缘的边的优先级。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤e2中的再调整具有低优先级的边的过程中，调整所述具有低优先级的边，以使该低优先级的边的边缘定位误差为正值。
【专利摘要】本发明提供了一种降低关键尺寸的光学邻近修正的边缘定位误差的方法，包括：a.对掩模板图形进行光学模拟，所述掩模板图形中包含通孔；b.解析所述通孔的轮廓，其中所述轮廓包含多条边；c.计算出该轮廓的边缘定位误差；d.判断该轮廓的边缘定位误差是否达到预设的轮廓目标范围；e.如果该轮廓的边缘定位误差超出所述轮廓目标范围，则e1.检查所述轮廓的多条边中的每一条的优先级；e2.依照所述优先级的次序，对所述掩模板图形进行修正；e3.用经步骤e2修正的掩模板图形替换上述步骤a中的掩模板图形，再对该经步骤e2修正的掩模板图形重新执行该方法；以及f.如果该轮廓的边缘定位误差达到所述轮廓目标范围，则完成对掩模板图形的光学邻近修正。
【IPC分类】G03F1/36
【公开号】CN105093810
【申请号】CN201410219282
【发明人】张婉娟
【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2014年5月22日