N或者排出喷嘴N1供给了显影液L的区域的顺序，使液体接触部件N或者排出喷嘴N1在晶片W的表面Wa的上方移动。该情况下，由于液体接触部件N或者排出喷嘴N1按照抗蚀剂膜R的溶解容易进行的区域的顺序移动，所以能够在晶片W的表面Wa的整体将线宽的大小控制为相同。因此，能够进一步提高面内线宽分布的均匀性。
[0114]抗蚀剂膜R也可以使用负型的光致抗蚀剂形成，也可以使用正型的光致抗蚀剂形成。
[0115]【实施例】
[0116]在使用具有与上述实施方式的显影单元U1相同的构成的显影单元进行了显影处理的情况下，为了确认能够提高面内线宽分布的均匀性，进行了下述的试验例1?4的试验。
[0117](试验例1)
[0118]准备直径300mm的晶片和负型的光致抗蚀剂。接着，使用该光致抗蚀剂，在晶片的表面形成厚度为0.1 ym的抗蚀剂膜。接着，关于抗蚀剂膜，使用具有规定图案的开口的掩模(中间掩模)，利用曝光装置将抗蚀剂膜曝光。接着，在使晶片旋转的状态下，从液体接触部件的排出口对由抗蚀剂膜的表面和液体接触部件的下端面(直径20_)形成的缝隙(参照图6的附图标记G)供给显影液，并且使液体接触部件从晶片的周缘部向中央部(旋转轴)移动。此时，将晶片的转速设定为30转/分钟，将液体接触部件的移动速度设定为20mm/秒，将来自排出口的显影液的排出流量设定为lcc/秒。液体接触部件从晶片的周缘部移动至中央部的移动时间为7.5秒。
[0119]液体接触部件到达晶片的旋转轴上后，停止从排出口排出显影液。接着，使液体接触部件从晶片的中央部向周缘部移动。液体接触部件从晶片的中央部移动至周缘部的所需的时间是1秒左右。之后，在使晶片旋转的状态下，使液体接触部件在晶片的周缘部上静止5秒左右。此时，将晶片的转速设定为30转/分钟。在试验例1中，液体接触部件的中心位置是距离晶片W的中心130mm的位置。S卩，试验例1的液体接触部件的中心位置是晶片的表面之中最先从液体接触部件的排出口供给显影液的区域。
[0120]接着，从显影液的排出停止开始经过的时间(显影时间)经过了 10秒后，使液体接触部件从晶片的表面上退避。接着，用清洗液清洗晶片的表面，干燥晶片。根据以上，显影处理结束，在晶片的表面上形成了规定的抗蚀剂图案。之后，针对形成的该抗蚀剂图案，根据自晶片的中心起的距离测量线宽。该线宽的测量中使用测长SEM(日立高新技术股份有限公司制)。图16表示该测量结果。在试验例1中，线宽的最大值与最小值之差为1.6nm左右。
[0121](试验例2)
[0122]除了使液体接触部件的静止位置为距离晶片的中心80mm的位置以外，与试验例1同样地进行显影处理，根据自晶片的中心起的距离测量线宽。图17表示该测量结果。在试验例2中，线宽的最大值与最小值之差为2.3nm左右。
[0123](试验例3)
[0124]除了使液体接触部件的静止位置为距离晶片的中心40mm的位置以外，与试验例1同样地进行显影处理，根据自晶片的中心起的距离测量线宽。图18表示该测量结果。在试验例3中，线宽的最大值与最小值之差为3.7nm左右。
[0125](试验例4)
[0126]除了使液体接触部件的静止位置为距离晶片的中心0mm的位置(晶片的正上)以夕卜，与试验例1同样地进行显影处理，根据自晶片的中心起的距离测量线宽。图19表示该测量结果。在试验例4中，线宽的最大值与最小值之差为3.8nm左右。
[0127](试验结果)
[0128]如图19所示，在液体接触部件的静止位置为晶片的中心的试验例4中，越是在先进行了显影液的供给的晶片的周缘部，显影液对抗蚀剂膜的接液时间越长。因此，确认了越是在先进行了显影液的供给的晶片的周缘部，抗蚀剂膜向显影液的溶解越被促进，有线宽变小的倾向，而越是在后进行显影液的供给的晶片的中央部，越不进行抗蚀剂膜的向显影液的溶解，有线宽变大的倾向。
[0129]与此相对，如图16?图18所示，在试验例1?3中，确认了在液体接触部件的静止位置有线宽变大的倾向。特别是，如图16所示，在晶片的表面之中成为最先从液体接触部件的排出口供给显影液的区域使接液部材静止的试验例1中，确认了从晶片的中央部向周缘部去线宽的分布大致恒定，面内线宽分布的均匀性极高。
【主权项】
1.一种显影方法，其使配置于基板的表面上且曝光了的抗蚀剂膜显影而形成抗蚀剂图案，所述显影方法的特征在于，包括: 使所述基板绕与水平地保持的所述基板的表面正交的方向上延伸的旋转轴旋转，并且从位于所述基板的上方的排出口将显影液排出到所述抗蚀剂膜上，使显影液遍布于所述抗蚀剂膜的表面上的步骤；和 将具有与所述基板的表面相对的相对面的液体接触部件配置于作为所述基板的表面之中在先从所述排出口进行了显影液的供给的区域的在先区域的上方的步骤。2.如权利要求1所述的显影方法，其特征在于: 在使显影液遍布于所述抗蚀剂膜的表面上的所述步骤中，使所述排出口从所述基板的周缘向所述旋转轴移动。3.如权利要求1所述的显影方法，其特征在于: 在使显影液遍布于所述抗蚀剂膜的表面上的所述步骤中，使所述排出口从所述旋转轴向所述基板的周缘移动。4.如权利要求1?3中任一项所述的显影方法，其特征在于: 在将所述液体接触部件配置于所述在先区域的上方的所述步骤中，使所述液体接触部件在所述在先区域的上方静止规定时间。5.如权利要求1?4中任一项所述的显影方法，其特征在于: 在将所述液体接触部件配置于所述在先区域的上方的所述步骤中，对所述液体接触部件施加正电位。6.如权利要求1?5中任一项所述的显影方法，其特征在于: 所述基板的旋转速度是5转/分钟?100转/分钟。7.如权利要求1?6中任一项所述的显影方法，其特征在于: 所述抗蚀剂膜的表面与所述液体接触部件的所述相对面的离开距离是0.1mm?2.0mmο8.如权利要求1?7中任一项所述的显影方法，其特征在于: 在将所述液体接触部件配置于所述在先区域的上方的所述步骤中，按照所述基板的表面之中从所述排出口供给了显影液的区域的顺序，使所述液体接触部件在所述基板的表面的上方移动。9.如权利要求1?8中任一项所述的显影方法，其特征在于: 所述排出口形成于所述液体接触部件的所述相对面。10.如权利要求1?9中任一项所述的显影方法，其特征在于: 在与所述液体接触部件分体设置的排出喷嘴形成有所述排出口。11.一种显影装置，其使配置于基板的表面上且被曝光了的抗蚀剂膜显影而形成抗蚀剂图案，所述显影装置的特征在于，包括: 旋转保持部，其将所述基板保持为水平，并且使所述基板绕与所述基板的表面正交的方向上延伸的旋转轴旋转； 将显影液排出到所述抗蚀剂膜上的排出口； 具有与所述基板的表面相对的相对面的液体接触部件； 使所述液体接触部件移动的移动机构；和 控制部，其控制所述移动机构，使得所述液体接触部件位于所述所述显影液被供给到了所述抗蚀剂膜上的状态下的所述基板的表面之中要调整所述抗蚀剂图案的线宽的规定的区域的上方。12.如权利要求11所述的显影装置，其特征在于: 所述液体接触部件呈柱状或者板状。13.如权利要求11或者12所述的显影装置，其特征在于: 在所述液体接触部件的周缘设置有从所述相对面向所述基板的表面延伸的环状的突条部。14.如权利要求11?13中任一项所述的显影装置，其特征在于: 在所述液体接触部件的所述相对面设置有从所述相对面向所述基板的表面延伸的多个突起部。
【专利摘要】本发明提供使面内线宽分布的均匀性提高的显影方法。本发明提供一种显影方法，将配置于晶片(W)的表面(Wa)上且被曝光了的抗蚀剂膜(R)显影而形成抗蚀剂图案，该显影方法包括：使晶片(W)绕在与水平地保持的晶片(W)的表面(Wa)正交的方向上延伸的旋转轴旋转，并且从位于晶片(W)的上方的液体接触部件(N)的排出口(Na)将显影液(L)排出到抗蚀剂膜(R)上，使显影液(L)遍布于抗蚀剂膜(R)的表面上的步骤；和将具有与晶片(W)的表面(Wa)相对的下端面(Nb)的液体接触部件(N)配置于作为晶片(W)的表面(Wa)之中在先从液体接触部件(N)进行了显影液(L)的供给的区域的在先区域的上方的步骤。
【IPC分类】G03F7/30, H01L21/67
【公开号】CN105278265
【申请号】CN201510436986
【发明人】井关智弘, 竹口博史, 寺下裕一
【申请人】东京毅力科创株式会社
【公开日】2016年1月27日
【申请日】2015年7月23日
【公告号】US20160026087