蚀刻材料中定义第一子结构10。
[0036]为能产生期望的整体结构，必须在精确定义的相对于已记录子结构的位置上产生下一子结构。在此例举一种整体结构，其中的下一子结构应当被定义成直接抵接已记录子结构(Stitching，拼接)。
[0037]为达此目的，基本已知的做法是在记录第一子结构10 (分图a.))后在衬底表面移动记录区12，以便能将下一子结构10’定义成抵接已记录子结构10。用于移动记录区12的定位装置(未图示)若不具有必要精度，为下一记录步骤定位记录区12时就会产生极大的定位误差。在此情况下，下一子结构10’不会如所期望的那样与已记录子结构10无缝相接，而是如分图b.)所示存在一定偏移。
[0038]为了解决这个问题，需要在蚀刻材料中现场(即在记录第一子结构(图2.))的方法步骤之前、期间或之后)定义参考结构元素14。如图la所示，参考结构元素14可被定义成与真正的子结构10隔开。
[0039]如前所述，参考结构元素14以能被成像型测量装置(未图示)识别到的方式产生。识别参考结构元素14的作用是对记录区12进行定位以记录下一子结构并且这样来校准该子结构，使其如所期望的那样与已经存在的子结构10相接。
[0040]为此，例如先借助定位装置来移动记录区12。该定位装置例如可采用已知的机械实施方式，例如实施为可二维调节的衬底工作台。本发明所使用的定位装置不需要满足高精度定位要求。
[0041]移动记录区12后，根据本发明如图1所示的技术方案，先用成像型测量装置识别在上一步骤中(图la)定义的参考结构元素14。优选在移动后的记录区12内进行该识别。
[0042]在分图c.)所示的情形中，记录区12的位置由于上述定位误差而使得参考结构元素14的实际位置16在记录区12的坐标系中偏离于参考结构元素14的期望标称位置。也可以旋转或倾斜记录区12 (未图示)。
[0043]根据识别到的参考结构元素14所测定的标称位置与实际位置之间的偏差可以被用来在记录区12内如此这般变换待产生的子结构10，使得该子结构在记录区12可能存在定位误差的情况下仍能如所期望的那样与已记录子结构10直接相接。相关图示参见分图
d.) ο
[0044]为能根据识别到的参考结构元素14来可靠地识别和校准待记录子结构10，该参考结构元素优选具有不同于旋转对称形状的形状。可以采用如图1所示的十字形。但也可以使用箭头形结构或复杂的多边形结构。
【主权项】
1.一种在蚀刻材料中制造结构的方法，其中借助曝光装置的记录束以依序记录数个子结构(10)的方式在所述蚀刻材料中定义所述结构，其中为了记录所述子结构(10)，依序移动并定位所述曝光装置的记录区(12)并且每次在所述记录区(12)内记录一个子结构(10)，并且为了定位所述记录区(12)，用成像型测量装置在所述蚀刻材料中检测参考结构，其特征在于，在移动后的所述记录区(12)内，在记录子结构(10)之前、期间或之后，借助所述记录束在所述蚀刻材料中产生至少一个对应于这个子结构(10)的参考结构元素(14)，其中在移动所述记录区(12)以记录另一子结构(10)之后，用所述成像型测量装置检测所述参考结构元素(14)。2.如权利要求1所述的在蚀刻材料中制造结构的方法，其特征在于，使用蚀刻材料，所述蚀刻材料由于被所述记录束局部照射而改变光学特性特别是其折射率，其中利用所述蚀刻材料的局部改变的光学特性来识别所述参考结构元素(14)。3.如权利要求1或2所述的在蚀刻材料中制造结构的方法，其特征在于，移动所述记录区(12)后检测先前所定义的参考结构元素(14)的位置和/或形状，并且根据所述参考结构元素(14)被识别到的位置和/或形状来校正所述记录区(12)的定位和/或有待在所述记录区内记录的所述子结构(10)。4.如权利要求1或2所述的在蚀刻材料中制造结构的方法，其特征在于，所述记录束用以产生所述参考结构元素(14)的强度小于用以记录所述子结构(10)的强度。5.如权利要求1或2所述的在蚀刻材料中制造结构的方法，其特征在于，记录另一子结构(10)时将所述参考结构元素(14)覆盖。6.如权利要求1或2所述的在蚀刻材料中制造结构的方法，其特征在于，各个已记录子结构(10)不相互抵接，其中这样来产生所述参考结构元素(14)，使得其位于各个子结构(10)之间。7.如权利要求1或2所述的在蚀刻材料中制造结构的方法，其特征在于，记录所述子结构(10)后实施显影方法，其中在实施所述显影方法时移除所述参考结构元素(14)。8.如权利要求1或2所述的在蚀刻材料中制造结构的方法，其特征在于，借助定位装置以下述方式实现所述记录区(12)的移动和定位:容纳所述蚀刻材料的衬底相对于位置固定的所述曝光装置进行移动，和/或，所述曝光装置相对于位置固定的所述衬底进行移动。9.如权利要求1或2所述的在蚀刻材料中制造结构的方法，其特征在于，借助所述成像型测量装置在所述记录区(12)内部进行图像记录，并且实施图像评价方法以识别所述参考结构元素(14)。10.如权利要求1或2所述的在蚀刻材料中制造结构的方法，其特征在于，用所述记录束扫描所述记录区(12)以检测所述参考结构元素(14)，并且用光学测量系统检测背散射辐射、反射辐射、透射辐射或因荧光而产生的辐射，以达到成像目的。11.如权利要求1或2所述的在蚀刻材料中制造结构的方法，其特征在于，用测量摄像机记录包含所述记录区(12)的视场以检测所述参考结构元素(14)。12.如权利要求1或2所述的在蚀刻材料中制造结构的方法，其特征在于，所述参考结构元素(14)在所述记录区(12)内的位置和/或所述参考结构元素(14)的形状因子结构(10)不同而不同。13.如权利要求1或2所述的在蚀刻材料中制造结构的方法，其特征在于，用所述记录束在聚焦区内进行局部照射，所述聚焦区特定而言既可在所述记录区(12)的平面内移动，又可沿垂直于所述记录区(12)的平面的竖向移动。
【专利摘要】本发明涉及一种在蚀刻材料中制造结构的方法，其中借助曝光装置的记录束以依序记录数个子结构的方式在所述蚀刻材料中定义所述结构，其中为了记录所述子结构，依序移动并定位所述曝光装置的记录区并且每次在所述记录区内记录一个子结构，并且为了定位所述记录区，用成像型测量装置检测参考结构。为了校准所述记录区，在移动后的所述记录区内，在记录子结构之前、期间或之后，借助所述记录束在所述蚀刻材料中产生至少一个对应于这个子结构的参考结构元素，其中在移动所述记录区以记录另一子结构之后，用所述成像型测量装置检测所述参考结构元素。
【IPC分类】G03F7/20
【公开号】CN105334704
【申请号】CN201510472718
【发明人】于尔克·霍夫曼, 菲利普·西蒙, 米夏埃尔·蒂尔, 马丁·赫尔马特施格, 霍尔格·费舍尔
【申请人】纳侬斯桧布有限责任公司
【公开日】2016年2月17日
【申请日】2015年8月4日
【公告号】DE102014215439A1, US20160041477