显示面板的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明关于一种显示面板，特别关于一种具有较高可靠度的显示面板。
【背景技术】
[0002]随着科技的进步，平面显示面板已经广泛地被运用在各种领域，因具有体型轻薄、低功率消耗及无辐射等优越特性，已经渐渐地取代传统阴极射线管显示装置，而应用至许多种类的电子产品中，例如移动电话、可携式多媒体装置、笔记本电脑、液晶电视及液晶屏墓坐坐
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[0003]以液晶显示面板为例，现有技术中一种液晶显示面板包含一薄膜晶体管基板及一彩色滤光基板，两者相对而设。其中，薄膜晶体管基板具有多个薄膜晶体管及多个像素电极设置于一基板上。于工艺中，需于薄膜晶体管的漏极的上方以刻蚀方式设置一通孔，并将一透明导电层经由该通孔内壁，以将薄膜晶体管的漏极与像素电极电连接。另外，薄膜晶体管的栅极与一扫描线电连接，而薄膜晶体管的源极与一数据线电连接。当扫描线将一扫描信号输入薄膜晶体管的栅极时，可借由控制薄膜晶体管而将数据线的数据电压经由源极及漏极而输入像素电极，借此可控制液晶的转向而显示影像。
[0004]由于市场的快速竞争，显示面板的尺寸与显示色彩饱和度的需求也快速增力口，同时也增加对薄膜晶体管电性表现与稳定度的要求。其中，金属氧化物(Metaloxide-based, MOSs)薄膜晶体管可在室温中制备，并且拥有良好的电流输出特性、较低的漏电流与高于非晶娃薄膜晶体管(amorphous silicon thin film transistor, a-Si TFT)十倍以上的电子迁移率，可分别降低显示面板的功率消耗与提升显示面板的操作频率，因此，已成为显示面板中主流的驱动元件。
[0005]然而，虽然金属氧化物薄膜晶体管虽具有较佳的电性，但是却容易受环境的水气及氧气的影响，导致显示面板的可靠性变差；另外，在高分辨的产品应用上，为了提高显示面板的开口率，也会导入有机平坦层的材料，例如全氟烷基乙烯基醚共聚物(Polyfluoroalkoxy, PFA),由于有机材料阻隔水气的能力较无机材料差，因此可能在工艺过程即会吸附水气，进而影响显示区内薄膜晶体管及其他元件的可靠度。
[0006]因此，如何提供一种显示面板，可具有较高阻水气能力而提高产品的可靠度，已成为重要课题之一。
【发明内容】
[0007]本发明的目的为提供一种显示面板，用以提高产品可靠度，并且使之具有较高的阻水气能力。
[0008]本发明的技术方案是提供一种显示面板，具有一显示区及邻设于显示区的一非显示区，并包括一第一基板、一第二基板以及一有机平坦化层。第二基板与第一基板相对设置。有机平坦化层设置于第一基板面对第二基板的一侧，并具有至少一第一贯穿部，第一贯穿部位于非显示区，且第一贯穿部曝露出有机平坦化层下方的膜层。
[0009]在一实施例中，显示面板还包括一阻隔层，其覆盖第一贯穿部。
[0010]在一实施例中，阻隔层的材料为氧化铝、氮氧化铝或氧氮化铝。
[0011]在一实施例中，第一贯穿部具有一底部，底部的宽度介于5微米与2000微米之间。
[0012]在一实施例中，底部的宽度介于5微米与200微米之间。
[0013]在一实施例中，显不面板还包括一框胶，其连结第一基板与第二基板，且第一贯穿部位于框胶与显示区之间。
[0014]在一实施例中，显示面板还包括一框胶，其连结第一基板与第二基板，且第一贯穿部位于框胶内。
[0015]在一实施例中，位于框胶内的第一贯穿部的数量为多个。
[0016]在一实施例中，有机平坦化层还具有至少一第二贯穿部，第二贯穿部位于框胶内，第二贯穿部曝露出有机平坦化层下方的膜层，且阻隔层覆盖第二贯穿部。
[0017]在一实施例中，显不面板还包括一电子兀件，其设置于第一基板上，并位于非显不区，且第一贯穿部位于电子元件与显示区之间。
[0018]在一实施例中，显示面板还包括一薄膜晶体管，其设置于第一基板与有机平坦化层之间，薄膜晶体管具有一通道层，且通道层的材料为氧化物半导体。
[0019]承上所述，因本发明的显示面板中，有机平坦化层设置于第一基板面对第二基板的一侧，并具有至少一第一贯穿部，其中第一贯穿部位于非显示区，且第一贯穿部曝露出有机平坦化层下方的膜层。借此，当外部的水气由外部渗入显示面板时，可通过第一贯穿部的设置来阻断水气于有机平坦化层的传递路径，故水气将不致影响到显示区的薄膜晶体管或其他元件，因此显示面板可具有较高的阻水气能力，进而可提高产品的可靠度。
【附图说明】
[0020]图1为一种有机材料的吸水率与时间的关系意图。
[0021]图2A为本发明较佳实施例的一种显示面板的俯视示意图。
[0022]图2B为图2A中，直线A_A的剖视示意图。
[0023]图3A至图3D分别为本发明较佳实施例不同实施态样的显示面板的示意图。
[0024]图4为本发明较佳实施例的一种显示装置的示意图。
【具体实施方式】
[0025]以下将参照相关图式，说明依本发明较佳实施例的显示面板，其中相同的元件将以相同的参照符号加以说明。
[0026]为了降低显示面板的功率消耗、提升操作频率以及提高开口率，于显示面板的工艺中导入氧化物薄膜晶体管及有机的平坦化层材料，但是氧化物薄膜晶体管容易受环境的水气及氧气的影响，且有机材料的水气吸附能力也大于无机材料，因此容易造成薄膜晶体管的特性偏移，进而降低显示面板的可靠度。
[0027]请参照图1所示，其为一种有机材料的吸水率(water absorpt1n rate)与时间的关系不意图。由图1可知，大约5分钟之后,有机材料的吸水率就上升至1.8%左右。因此本发明提出一种较佳实施例的显示面板，可降低的吸水率，进而提高显示面板的可靠度。
[0028]请参照图2A及图2B所示，其中，图2A为本发明较佳实施例的一种显示面板1的俯视示意图，而图2B为图2A中，直线A-A的剖视示意图。显示面板1可为液晶显示面板或为有机发光二极管显示面板。本实施例以液晶显示面板为例。
[0029]显示面板1具有一显示区AA(active area)及邻设于显示区AA的一非显示区NAA (non-active area)。其中，显示区AA即为光线可穿过显示面板1的区域，借此显示影像画面，而非显示区NAA为光线无法穿透的区域。本实施例的非显示区NAA是以环设于显示区AA的外围为例。
[0030]如图2B所不，显不面板1包括一第一基板11、一第二基板12及一显不介质层13。第一基板11与第二基板12相对而设，而显7K介质层13则夹设于第一基板11与第二基板12之间。其中，第一基板11及第二基板12为透光材质所制成,并例如为一玻璃基板、一石英基板或一塑料基板，并不限定。另外，本实施例的显示介质层13为一液晶层，并具有多个液晶分子(图未显示)。在另一实施例中，若显示面板1为有机发光二极管显示面板时，则显不介质层13可为一有机发光层，此时，第二基板12可为一保护盖板(Cover plate),以保护有机发光层不受外界水气或异物的污染。
[0031]另外，本实施例的显示面板1还可包括一薄膜晶体管T、一绝缘层141、一刻蚀终止(etch stop)层142、一有机平坦化层15、一像素电极层16、一共同电极层17及一框胶18。另外，显示面板1还可包括一黑色矩阵层BM及一滤光层CF。
[0032]薄膜晶体管T设置于第一基板11与有机平坦化层15之间。本实施例的薄膜晶体管T包含一栅极G、一栅极介电层G1、一通道层C、一源极S及一漏极D。栅极G设置于第一基板11上，且栅极G的材质可为金属(例如为铝、铜、银、钥、或钛)或其合金所构成的单层或多层结构。部分用以传输驱动信号的导线，可以使用与栅极G同层且同一工艺的结构，彼此电性相连，例如扫描线(图未显示)。栅极介电层G1设置并覆盖于栅极G上，且栅极介电层G1可为有机材质例如为有机硅氧化合物，或无机材质例如为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铝、氧化铪、或上述材质的多层结构。栅极介电层G1需完整覆盖栅极G，并可选择部分或全部覆盖第一基板11。
[0033]通道层C相对栅极G位置设置于栅极介电层G1上。在实施上，通道层C例如可包含一氧化物半导体。其中，前述的氧化物半导体包括氧化物，且氧化物包括铟、镓、锌及锡其中之一，例如为氧化铟镓锌(Indium Gallium Zinc Oxide, IGZ0)。
[0034]刻蚀终止层142设置于通道层C上，而源极S与漏极D分别设置于通道层C及刻蚀终止层142上，且源极S和漏极D的一端通过刻蚀终止层142的开口分别与通道层C接触。于此，刻蚀终止层142部分覆盖通道层C，且源极S和漏极D分别穿过刻蚀终止层142的开口而与通道层C接触；于薄膜晶体管T的通道层C未导通时，源极S和漏极D电性分离。部分用以传输驱动信号的导线，可以使用与源极S与漏极D同层且同一工艺的结构，例如数据线(图未显示)。源极S与漏极D的材质可为金属(例如铝、铜、银、钥、或钛)或其合金所构成的单层或多层结构，而刻蚀终止层可为有机材质例如为有机硅氧化合物，或单层无机材质例如氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铝、氧化铪、或上述材质组合的多层结构，并不限定。
[0035]值得一提的是，本实施例的薄膜晶体管T的源极S与漏极D设置于刻蚀终止层142上，且源极S与漏极D的一端可分别自刻蚀终止层的开口与通道层C接触，但在其他的实施例中，可以不设置刻蚀终止层142，使得薄膜晶体管T的源极S与漏极D直接设置于通道层C上。
[0036]绝缘层141设置于第一基板11面对第二基板12的一侧。于此，绝缘层141设置于源极s及漏极D上，并覆盖源极S及覆盖部分漏极D。其中，绝缘层141设置于漏极D上，并具有一通孔。绝缘层141的材料可包含氧化硅(S1x)或氮化硅(SiNx)，并不限定。
[0037]有机平坦化层15置于第一基板11面对第二基板12的一侧并覆盖于绝缘层141上。有机平坦化层15的材料可例如为全氟烷基乙烯基醚共聚物(PFA)，而像素电极层16设置于有机平坦化层15上，并穿过有机平坦化层15及绝缘层141的通孔与薄膜晶体管T的漏极D电性连接。像素电极层16的材质例如可为铟锡氧化物(ΙΤ0)、铟锌氧化物(ΙΖ0)、铝锌氧化物(ΑΖ0)、镉锡氧化物(CT0)、氧化锡(Sn02)、或氧化锌(ZnO)等透明导电材料，并不限定。
[0038]另外，黑色矩阵层BM设置于第一基板11或第二基板12上，并对应于薄膜晶体管T，而滤光层CF则设置于第一基板11面对第二基板12的一侧上，或设置于第二基板12上，且滤光层CF对应于像素电极层16。另外,滤光层CF具有多个滤光部,且两相邻滤光部之间可具有黑色矩阵层BM。本实施例的黑色矩阵层BM与滤光层CF分别设置于第二基板12上，不过，在其他的实施态