双扫描线像素阵列结构、显示面板、显示装置及驱动方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及显示技术领域，特别是设及一种双扫描线像素阵列结构W及具有该双 扫描线像素阵列结构的显示面板和显示装置及驱动方法。
【背景技术】
[0002] 随着显示技术的发展，液晶显示器化iquidCrystalDisplay,LCD)因其轻便、低 福射等优点越来越受到人们的欢迎。
[0003] 随着大尺寸显示面板的发展，在阵列基板的像素阵列中，有一种被称为半源极驱 动化alfsource化iving，HSD)架构。HSD架构的像素阵列中，两列子像素电极是共用一条 数据线，可使数据线的数目减半。对于显示面板而言，驱动忍片包括栅极驱动忍片（gate driver)和源极驱动忍片（sourcedriver)都是必不可少的，源极驱动忍片由于其复杂的结 构比栅极驱动忍片更为昂贵，而HSD架构由于可W使数据线数目减半，因此可降低源极驱动 忍片的成本。
[0004] 虽然采用HSD架构的显示面板可W让源极驱动忍片的驱动通道数减半，但由于同 一行子像素电极中的子像素电极分别与上下不同的扫描线连接，因此HSD架构中的扫描线 数量加倍，因此HSD架构的像素阵列又称为双扫描线像素阵列。
[0005] 图1为现有的一种具有双扫描线像素阵列结构的等效电路图，请参图1，该双扫描 线像素阵列结构包括多条扫描线11、多条数据线12、多个TFT13W及多个子像素电极14,每 个子像素电极14通过TFT13与对应的扫描线11和数据线12相连。两条相邻数据线12之间 的、位于同一行的两个子像素电极14连接在同一条数据线12上且分别与上下两条扫描线11 相连。具体地，W图中第一个子像素电极14a和第二个子像素电极14b为例，该两个子像素电 极14a、14b位于两条相邻数据线D1、D2之间且位于同一行(第一行），该两个子像素电极14a、 14b连接在同一条数据线D2上，且该两个子像素电极14b、14a分别与上下两条扫描线G1、G2 相连。
[0006] 上述双扫描线像素阵列结构中，位于两条相邻数据线12之间且位于同一行的两个 子像素电极14形成一个子像素电极组，运些子像素电极组构成Z反转(Zinversion)排布， 即每条数据线12通过TFT13与位于该条数据线12不同侧的子像素电极组形成Z字形交替连 接，且与同一条数据线12相连的子像素电极组具有相同的极性(正极线或负极性）。因此上 述双扫描线像素阵列结构在驱动时，当数据线12的极性改变时，位于一个子像素电极组内 的两个子像素电极14的极性将同时改变，只能实现极性的两点反转(2dotinversion)而 不能实现单点（1dotinversion)反转，降低了显示画质。
[0007] 图2为图1中部分的像素阵列结构的平面示意图，请同时参图1与图2,在上述双扫 描线像素阵列结构中，由于两条相邻数据线12之间的、位于同一行的两个子像素电极14连 接在同一条数据线12上，使得数据线12需要通过较长一段的源极连接线121与对应TFT13 的源极131相连。源极连接线121的存在，增大了数据线12的电阻电容负载(RCloading),同 时该源极连接线121由不透光金属制成且具有一定的线宽，因此也降低了像素的开口率。
【发明内容】
[0008]本发明的目的在于提供一种双扫描线像素阵列结构W及具有该双扫描线像素阵 列结构的显示面板和显示装置及驱动方法，W解决现有的双扫描线像素阵列结构不能实现 单点反转，并且数据线的电阻电容负载较大和降低像素的开口率的问题。
[0009]本发明的第一实施例提供一种双扫描线像素阵列结构，包括多条扫描线、多条数 据线W及多个子像素电极，该多条扫描线和该多条数据线呈交叉设置，该多个子像素电极 呈阵列分布，其中：
[0010] 每相邻两行子像素电极之间设有两条扫描线，第一行子像素电极的上方和最后一 行子像素电极的下方各设有一条扫描线；
[0011] 每相邻两条数据线之间设有一列子像素电极，所有数据线中每四条数据线为一 组，每组内的第一条数据线和第Ξ条数据线始末相连形成一条数据总线，每组内的第二条 数据线和第四条数据线始末相连形成另一条数据总线；
[0012] 位于奇数行的子像素电极中，每四个子像素电极为一组，每组内的第一个子像素 电极和第四个子像素电极连接紧靠于该行子像素电极上方的扫描线，每组内的第二个子像 素电极和第Ξ个子像素电极连接紧靠于该行子像素电极下方的扫描线；
[0013]位于偶数行的子像素电极中，每四个子像素电极为一组，每组内的第一个子像素 电极和第二个子像素电极连接紧靠于该行子像素电极上方的扫描线，每组内的第Ξ个子像 素电极和第四个子像素电极连接紧靠于该行子像素电极下方的扫描线；
[0014] 位于奇数行的子像素电极中，每个子像素电极连接紧靠于该子像素电极左侧的数 据线；W及
[0015] 位于偶数行的子像素电极中，每个子像素电极连接紧靠于该子像素电极右侧的数 据线。
[0016]本发明的第二实施例提供一种双扫描线像素阵列结构，包括多条扫描线、多条数 据线W及多个子像素电极，该多条扫描线和该多条数据线呈交叉设置，该多个子像素电极 呈阵列分布，其中：
[0017]每相邻两行子像素电极之间设有两条扫描线，第一行子像素电极的上方和最后一 行子像素电极的下方各设有一条扫描线；
[0018]每相邻两条数据线之间设有一列子像素电极，所有数据线中每四条数据线为一 组，每组内的第一条数据线和第Ξ条数据线始末相连形成一条数据总线，每组内的第二条 数据线和第四条数据线始末相连形成另一条数据总线；
[0019]位于奇数行的子像素电极中，每四个子像素电极为一组，每组内的第一个子像素 电极和第四个子像素电极连接紧靠于该行子像素电极上方的扫描线，每组内的第二个子像 素电极和第Ξ个子像素电极连接紧靠于该行子像素电极下方的扫描线；
[0020] 位于偶数行的子像素电极中，每四个子像素电极为一组，每组内的第一个子像素 电极和第二个子像素电极连接紧靠于该行子像素电极上方的扫描线，每组内的第Ξ个子像 素电极和第四个子像素电极连接紧靠于该行子像素电极下方的扫描线；
[0021] 位于奇数行的子像素电极中，每个子像素电极连接紧靠于该子像素电极右侧的数 据线；W及
[0022] 位于偶数行的子像素电极中，每个子像素电极连接紧靠于该子像素电极左侧的数 据线。
[0023]进一步地，该双扫描线像素阵列结构还包括多个TFT，每个子像素电极通过一个 TFT与对应的扫描线和数据线相连。
[0024]进一步地，每个TFT的栅极与对应的扫描线相连，每个TFT的源极与对应的数据线 相连，每个TFT的漏极与对应的子像素电极相连。
[0025]进一步地，该双扫描线像素阵列结构还包括公共电极、第一绝缘层和第二绝缘层， 该第一绝缘层形成在每个TFT的源极和漏极上，该公共电极形成在该第一绝缘层上，该第二 绝缘层形成在该公共电极上，该多个子像素电极设置在该第二绝缘层上，该第一绝缘层和 该第二绝缘层上于对应每个TFT的漏极位置设有通孔，每个TFT的漏极通过该通孔与对应的 子像素电极相连。
[0026]本发明还提供一种显示面板，包括上述的双扫描线像素阵列结构。
[0027] 本发明还提供一种显示装置，包括上述的显示面板。
[00%]本发明还提供一种显示面板的驱动方法，用于驱动上述的显示面板，该驱动方法 包括如下步骤：
[0029]在一帖画面中，向位于奇数的数据总线上输出具有第一极性的数据电压信号，向 位于偶数的数据总线上输出具有第二极性的数据电压信号，其中该第一极性与该第二极性 相反；W及
[0030]在下一帖画面中，向位于奇数的数据总线上输出具有该第二极性的数据电压信 号，向位于偶数的数据总线上输出具有该第一极性的数据电压信号。
[0031]本发明实施例提供的双扫描线像素阵列结构，可使数据线的数目减半，有利于降 低源极驱动忍片的成本，另外将所有数据线中每四条数据线形成为一组，每组内的第一条 数据线和第Ξ条数据线始末相连形成一条数据总线，每组内的第二条数据线和第四条数据 线始末相连形成另一条数据总线，再通过各数据总线与源极驱动忍片相连，能够实现单点 (1dotinversion)反转驱动，有利于提升显示画质，而且每条数据线与邻近的子像素电极 相连，可减小数据线的电阻电容负载(RCloading)，并提高像素的开口率和穿透率。
【附图说明】
[0032]图1为现有的一种具有双扫描线像素阵列结构的等效电路图。
[0033]图2为图1中部分的像素阵列结构的平面示意图。
[0034]图3为本发明第一实施例中的双扫描线像素阵列结构的等效电路图。
[0035]图4为本发明第二实施例中的双扫描线像素阵列结构的等效电路图。
[0036]图5为图4中部分的像素阵列结构的平面示意图。
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