用于euv掩模的薄膜及其制造方法
【专利说明】
[0001] 优先权数据
[0002] 本申请要求于2014年11月26日提交的标题为"Pellicle for EUV Mask and F油rication化ereof"的临时专利申请第62/084, 729号的优先权，其全部内容通过引用结 合于此作为参考。
技术领域
[0003] 本发明实施例设及用于EUV掩模的薄膜及其制造方法。
【背景技术】
[0004] 半导体集成电路（1C)产业经历了指数式发展。1C材料和设计中的技术进步已经 产生了数代的1C，其中每代1C都具有比上一代1C更小和更复杂的电路。在1C发展过程 中，部件密度（即，每一忍块面积上互连器件的数量）通常已经增加而几何尺寸（即，使用 制造工艺可W制造的最小的组件（或线））却已减小。通常运种按比例缩小工艺通过提高 生产效率和降低相关成本而带来益处。运种按比例缩小已经增加了处理和制造1C的复杂 度。为了实现运些进步，需要1C处理和制造中的类似发展。例如，对实施更高分辨率光刻 工艺的需要增长了。一种光刻技术是极紫外光刻巧UVL)。其他技术包括X-射线光刻、离子 束投影光刻、电子束投影光刻和多个电子束无掩模光刻。
[0005] EUVL采用使用极紫外巧UV)区中的光的扫描仪，极紫外巧UV)区中的波长为约 1-lOOnm。一些EUV扫描仪提供4X缩小投影印刷，类似于一些光学扫描仪，除了 EUV扫描仪 使用反射而不是折射光学器件，即，反射镜代替透镜。EUV扫描仪在形成于反射掩模上的吸 收层（"EUV"掩模吸收件）上提供期望的图案。目前，在用于制造集成电路的EUVL中采用 二元强度掩模度IM)。除了 EWL采用EUV区中的光（即，在13.5nm处）之外，EWL非常类 似于光学光刻，类似之处在于其需要掩模W印刷晶圆。在13. 5nm左右的波长处，所有材料 都高度吸收。因此，使用反射光学器件而不是折射光学器件。多层（ML)结构作为EUV空白 掩模。
[0006] 然而，常规的EVU掩模及其制造仍具有缺陷。例如，EVU掩模具有吸收层。传统的 EUV掩模吸收层可W导致较大的投影移位（aerial image shifts),运是不期望的。作为另 一个实例，EUV掩模通常需要薄膜，其可W用作保护罩W保护EUV掩模免受损坏和/或污染 粒子的影响。然而，根据特定的传统制造工艺的薄膜的制造可能导致薄膜变得扭曲、损坏或 W其他方式受到破坏，从而使得薄膜不可用。
[0007] 因此，虽然抓V光刻系统和工艺通常已经满足它们的预期目的，但是它们没有在 所有方面都尽如人意。需要一种EUV光刻方法系统W解决上述问题。
【发明内容】
[0008] 根据本发明的一些实施例，提供了一种方法，包括：从背侧研磨晶圆；将所述晶圆 插入到通过框架保持架限定的开口内，其中，通过临时层将所述框架保持架附接至载体，其 中，实施所述插入从而使得所述晶圆的正侧附接至所述临时层；之后，从背侧蚀刻所述晶圆 直到所述晶圆达到预定厚度；W及之后，将其中的所述框架保持架和所述晶圆从所述临时 层和所述载体分离。
[0009] 根据本发明的另一些实施例，还提供了一种方法，包括：从背侧研磨晶圆的部分； 之后，将所述晶圆的部分插入到通过框架保持架限定的开口内，其中，通过临时接合层将所 述框架保持架附接至载体，并且其中，将所述晶圆的部分的正侧接合至所述临时接合层；之 后，从所述背侧蚀刻所述晶圆的部分，直到所述晶圆的部分达到介于约10纳米至约100纳 米的范围内的预定厚度；W及之后，实施加热工艺或者紫外固化工艺W将所述临时接合层 与所述晶圆的部分分离，从而形成具有所述晶圆的分离部分的薄膜。
[0010] 根据本发明的又一些实施例，还提供了一种方法，包括：提供晶圆，所述晶圆含有 衬底、设置在衬底上方的绝缘层和设置在所述绝缘层上方的外延层；将所述晶圆切割成多 个块，其中，至少一个所述块的横向几何结构与通过框架保持架限定的开口的横向几何结 构匹配W用于极紫外巧UV)光刻掩模；从背侧研磨所述晶圆的至少一个所述块；之后，将 研磨的所述晶圆的块插入到通过所述框架保持架限定的所述开口内，其中，所述框架保持 架通过粘合层附接至载体，并且其中，实施所述插入，从而使得研磨的所述晶圆的块的正侧 附接至所述粘合层；之后，从背侧蚀刻研磨的所述晶圆的块，直到所述晶圆的块达到预定厚 度；W及之后，实施加热工艺或紫外固化工艺W将蚀刻的所述晶圆的块与所述粘合层分离， 其中，蚀刻的所述晶圆的块用作所述EUV掩模的薄膜。
【附图说明】
[0011] 当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可W更好地理解本发明的方面。应 该强调的是，根据工业中的标准实践，各个部件没有被按比例绘制。实际上，为了清楚的讨 论，各种部件的尺寸可W被任意地增大或减小。
[0012] 图1是根据一些实施例构建的光刻系统的示意图。
[001引图2是根据一些实施例构建的抓V掩模的剖视图。
[0014] 图3至图4是示出不同EUV掩模的投影移位的图。
[0015] 图5是根据一些实施例的制造抓V掩模的方法的流程图。
[0016] 图6是根据一些实施例的晶圆的简化的顶视图。
[0017] 图7至图14是根据一些实施例的示出EUV掩模薄膜的制造的各个器件的简化的 截面侧视图。
[0018] 图15是根据一些实施例的形成EUV掩模薄膜的方法的流程图。
【具体实施方式】
[0019] W下公开内容提供了许多用于实现本发明的不同特征的不同实施例或实例。W下 将描述组件和布置的具体实例W简化本发明。当然，运些仅仅是实例并且不旨在限制。例 如，在W下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可W包括第一部件和第二部件直接 接触的实施例，也可W包括形成在第一部件和第二部件之间的附加部件使得第一部件和第 二部件不直接接触的实施例。此外，本发明可W在各个实例中重复参考标号和字符。运种 重复是为了简化和清楚的目的，并且其本身并不表示所论述多个实施例和/或配置之间的 关系。
[0020] 而且，为便于描述，在此可W使用诸如"在...之下"、"在...下方"、"下部"、 "在...之上"、"上部"等的空间相对术语，W描述如图所示的一个元件或部件与另一（或另 一些）元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对位置术语旨在包括器件在使 用或操作中的不同方位。器件可其他方式定向（旋转90度或在其他方位上），而本文 使用的空间相对描述符可W同样地作相应的解释。
[0021] 图1是根据一些实施例构建的光刻系统10的示意图。光刻系统10也可通常称为 扫描仪，可操作扫描仪W利用相应的福射源和曝光模式实施光刻曝光工艺。在本实施例中， 光刻系统10是设计为通过EUV光曝光光刻胶层的极紫外巧UV)光刻系统。光刻胶层是对 EUV光敏感的材料。EUV光刻系统10采用福射源12产生W EUV光，诸如具有介于约Inm和 约lOOnm之间的范围内的波长的EUV光。在一个特定的实例中，福射源12产生具有集中在 约13. 5皿的波长的EUV光。因此，福射源12也被称为紫外福射源12。
[0022] 光刻系统10还采用了照明器14。在各个实施例中，该照明器14包括各种折射光 学组件，诸如单透镜或具有多个透镜的透镜系统（波带板）或者可选地反射光学器件（W 用于EUV光刻系统），诸如单反射镜或具有多个反射镜的反射镜系统，W将光从福射源12导 向至掩模台16,特别是导向至固定在掩模台16上的掩模18。在本实施例中，其中，福射源 12产生EUV波长范围内的光，照明器14采用反射光学器件。在一些实施例中，该照明器14 包括偶极照明组件。
[0023] 在一些实施例中，该照明器14是可操作的W配置反射镜，从而向掩模18提供适当 的照明。在一个实例中，该照明器14的反射镜是可切换的W将EUV光反射至不同的照明位 置。在一些实施例中，照明器14之前的工作台可W额外地包括其他可切换的反射镜，该其 他可切换的反射镜是可控制的W利用照明器14的反射镜将EUV光导向至不同的照明位置。 在一些实施例中，照明器14配置为向掩模18提供同轴照