1.一种LED照明装置，其特征在于：该装置包括LED器件(101)、LED红光光源(102)、LED电路板(100)、散热器(200)以及电源控制器(400)，所述LED器件(101)和LED红光光源(102)设置在所述LED电路板上，所述LED电路板设置在所述散热器上方，所述电源控制器通过导线(300)与所述LED电路板相连。
2.如权利要求1所述的LED照明装置，其特征在于，所述LED器件用于提供LED白光光源。
3.如权利要求1所述的LED照明装置，其特征在于，所述电路板通过导线(300)与所述LED电路板相连，所述电路板还与外部的电源输入线相连。
4.一种如权利要求1-3任一项所述的LED照明装置的制作方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
步骤一：采用蓝宝石作为LED电路板基板，并制作成LED电路板(100)；
步骤二：在LED器件上沉积均匀的多层LED荧光薄膜；
步骤三：根据LED照明装置的光谱设计需要，确定LED照明装置的功率；
步骤四：根据所需要的LED照明装置，计算所选用的LED器件的数量和LED红光光源的数量。
5.如权利要求4所述的LED照明装置的制作方法，其特征在于所述步骤一中蓝宝石的制备方法包括以下步骤：
a)原料制备，首先以α-Al2O3原料为主原料，加入立方结构的BN、纳米ZrO2和纳米TiO2，将上述材料在混合机中混合15-30min，其中α-Al2O3、立方结构的BN和纳米ZrO2和纳米TiO2的质量比为10-25:2-5:2-3:1-4；
b)将原料放入晶体生长炉抽真空并通入氦气保护气，升温至2000-2100℃将原料融化为熔融状态的熔体，熔融后保温4-5h；
c)该晶体生长炉上部具有一模具，该模具的截面为圆形，中心具有一个小孔，通过小孔的毛细作用使得熔体导入模具顶端，选用C向的定向籽晶对该熔体进行提拉从而促进晶体生长，期间控制熔体表面温度为2089℃，该提拉的速度为10-20mm/h，待晶体生长结束后，降温至1480-1570℃，保温15-30min之后再对晶体进行降温处理，控制温度以30-60℃/h的速度降温得到晶体；
d)切割设备对晶棒进行切割，得到所需要形状的晶片；
e)研磨，采用研磨机对晶片进行研磨；研磨时，加入自制的研磨液，研磨盘对晶片加压至0.025～0.027Mpa，研磨盘的转速为1000～1200rpm/min，研磨完成后用无水乙醇清洗；
f)退火，将晶片放入退火炉内，首先升温至500℃保温1-2h，升温至800℃时保温2-4h，升温至1600℃分别保温2～4h，然后以210-220℃的温度进行降温，降温至1300℃时保温0.5-1h，降温至1000℃时保温1-2h，降温至600℃时候保温1-3h，之后温度以20-40℃/h的速度降温至室温取出；
g)抛光，先用无水乙醇对晶体进行清洗3-5遍，将清洗后的晶体放入抛光机中固定；抛光时，加入抛光液，抛光盘的转速为1000～1500rpm/min、将抛光好的晶片用无水乙醇清洗后，在室温下进行自然冷却。
6.如权利要求5所述LED照明装置的制作方法，其特征在于所述步骤a)中所述α-Al2O3原料的粒径为0.5-5μm，密度为3.98g/cm3；步骤e)中所述研磨液由0.1-2μm的金刚砂颗粒，1-μm的Al2O3颗粒，聚α－烯烃，N，N-乙撑双酯酰胺和去离子水，所述金刚砂颗粒，Al2O3颗粒，聚α－烯烃，N，N-乙撑双酯酰胺和去离子水的质量比为1-5:1-5:5-10:3-6:30-50；步骤g)中所述抛光液组分由氧化铈微米颗粒，烷基糖苷，羟甲基纤维素钠，丙三醇，羟乙基二胺和离子水组成，所述氧化铈颗粒，烷基糖苷，羟甲基纤维素钠，丙三醇和离子水的质量比为：1-5:10-15:6-8:5-10:30-50，所述羟乙基二胺用于控制抛光液的pH,使得抛光液pH值为8-10的碱性溶液。
7.如权利要求4所述的LED照明装置的制作方法，其特征在于所述步骤二，在LED器件上沉积均匀的多层LED荧光薄膜包括以下步骤：
(1)红色荧光材料的制备：
原料采用Gd(NO3)3·6H2O，Li2CO3，MgCO3，Nb2O5，H3BO3，Sm2O3，Na2CO3和去离子水，所述Gd(NO3)3·6H2O，Li2CO3，MgCO3，Nb2O5，H3BO3，Sm2O3和Na2CO3的摩尔比为(1-x-y):1-2:1-2:1-2:1-2:x:y,其中0.01≤x≤0.08，x/y＝1-2，所述Gd(NO3)3·6H2O与去离子水的质量比为1:1-2；将Gd(NO3)3·6H2O，Li2CO3，MgCO3，Nb2O5，Sm2O3和Na2CO3加入至去离子水中，配置成悬浊液，将悬浊液在50-60℃条件下搅拌30-45min后开始滴加H3BO3，滴加完毕后，将沉淀物采用去离子水清洗3-5次后放于烘干箱中烘干，将烘干后的材料进行球磨混合均匀，放入坩埚中并在高温室中于450℃下烧结4-5h，升温至1000-1200℃烧15-20h，之后自然降温至室温，对焙烧后的产物进行研磨获得即可制得Gd1-x-yLi3Mg2(NbO6)(BO3):xSm3+,yNa1+；
(2)绿色荧光材料的制备
a、称取BaCO3、SiO2和Tb2O3，加入至容器中添加乙醇，经混合、充分研磨后放于坩埚中，将坩埚置于烧结炉中，在氮气的作用下，升温至1200～1300℃，烧结3-6h，所述氮气的气流量衡量为30ml/min，降温至900℃温度烧结2小时后冷却得到中间体Ba1.94SiO4:0.06Tb3+；所述BaCO3、SiO2和Tb2O3的摩尔比为1-2:1-2:0.01-0.1，所述BaCO3与乙醇的质量比为1:2-3，；
b、将中间体Ba1.94SiO4:0.06Tb3+、α-Si3N4和Ce2O3混合并添加H3BO3，将上述各成份研磨后放入钼坩埚中，将钼坩埚移入高温炉中，在N2∶H2＝95∶5气氛下1400℃烧结3-6小时，气体流量计控制气体在25ml/min以内，之后冷却至室温取出，合成粉体Ba0.92Si2O2N2:0.06Tb3+,0.02Ce3+，将粉体置于异丙醇中，所述粉体和异丙醇的质量比为1:1-2，经过超声波破碎仪进行分散，超声时间为1-2h，经过分散后的粉体干燥后即得到氮氧化物绿色荧光粉Ba0.92Si2O2N2:0.06Tb3+,0.02Ce3+；所述Ba1.94SiO4:0.06Tb3+、α-Si3N4和H3BO3的质量比为2-4:1-2:0.01-0.1，Tb元素与Ce元素的摩尔比为3:1；
(3)蓝色荧光材料的制备
a、将摩尔比为1-n:1:1:2:n的BaCO3，MgO，CaCO3,NH4H2PO4、Tm(NO3)3·5H2O在玛瑙研钵混合，添加复合助剂研磨40-60min，取出后放入坩埚中，首先在900℃预烧2-3h，自然冷却后，取出样品，进一步的研磨40-60min，将样品重新放入坩埚中，在N2∶H2＝95∶5气氛下，再于1200℃烧结3-6h，而后自然冷却至室温，得到Ba1-nMgCa(PO4)2:nTm3+蓝色荧光粉；
b、蓝色荧光粉改性，将前面所制备的Ba1-nMgCa(PO4)2:nTm3+加入蒸馏水经充分分散后形成悬浊液，加入MgF2溶胶，混合后制成混合体，经过球磨分散30-60min后，在100℃下烘干，之后置于500℃下2-3h，得到改性的蓝色荧光材料，所述蓝色荧光粉、蒸馏水和MgF2溶胶的质量比为1-2:2-3:0.05-0.5；
(4)通过化学气相沉积法将第一层红色荧光材料，第二层绿色荧光材料，第三层蓝色荧光材料分别沉积在LED器件上，形成LED荧光薄膜。
8.如权利要求6中所述LED照明装置的制作方法，其特征在于所述红色荧光材料的制备中其中x＝0.02，y＝0.02，所得的红色荧光材料为Gd0.96Li3Mg2(NbO6)(BO3):0.02Sm3+,0.02Na1+，该材料的粒径小于10μm，其中1-6μm的占75％；蓝色荧光材料的制备中n＝0.03，所得到的蓝色荧光粉为Ba0.97MgCa(PO4)2:0.03Tm3+，所述复合助剂由质量比为1:1的H3BO3+BaF2组成，该复合助剂为BaCO3质量的10％，所述蓝色荧光粉的粒径小于10μm，其中1-5μm的占70％。
9.如权利要求4所述的LED照明装置的制作方法，其特征在于，步骤二中在LED上沉积均匀的三层LED荧光薄膜。