用于转移的中间结构以及转移的多个微型装置的制备方法与流程

本发明是关于主动固态元件。

背景技术：

近年来，发光二极管广泛地用于一般与商业上的照明应用。作为光源，发光二极管具有许多优点，包含低的能量损耗、长的寿命、小的尺寸以及快的开关速度，因此传统的照明，例如白炽灯，逐渐地被发光二极管取代。

在发光二极管刚形成的时候，部分的发光二极管可能是有瑕疵的。当发光二极管分别转移至接收基板的各个像素中时，有瑕疵的发光二极管占据了对应的像素，却难以提供发光性能。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种当微型装置分别被转移至接收基板的像素时，有瑕疵的微型装置不会被转移至接收基板且也不会占据接收基板的对应像素空间的方法。

根据本发明的部分实施方式，提供一种用于转移多个微型装置的制备方法。该方法包含将微型装置暂时地黏贴至承载基板上；测试承载基板上的微型装置，以决定微型装置中是否有至少一个第一损毁微型装置；以及从承载基板上移除第一损毁微型装置。

根据本发明的部分实施方式，一种用于转移的中间结构包含承载基板、多个经测试的半导体装置以及至少一个暂时性贴合层。多个经测试的半导体装置，设置于承载基板上，其中经测试的半导体装置通过至少一个道测试，且承载基板上没有未通过测试的损毁半导体装置。暂时性贴合层设置于经测试的半导体装置以及承载基板之间。

根据本发明的部分实施方式，提供一种用以处理半导体装置阵列的方法。该方法包含将半导体装置阵列设置于接收基板上，其中半导体装置阵列具有至少一个故障部分；以及修理半导体装置阵列内的故障部分，其中该修理包含下面两者的至少一者：当故障部分包含至少一个空缺时以至少一个补丁半导体装置修补半导体装置阵列内的空缺，以及当故障部分包含至少一个损毁半导体装置时以至少一个修复半导体装置修复半导体装置阵列内的损毁半导体装置。

本发明与现有技术相比，其具有当微型装置分别被转移至接收基板的像素时，有瑕疵的微型装置不会被转移至接收基板且也不会占据接收基板的对应像素的空间的有益效果。

附图说明

图1为根据本发明的部分实施方式的用以转移多个微型装置至接收基板的制备方法的流程图。

图2a至图2n为根据本发明的部分实施方式的用以转移多个微型装置至接收基板的制备方法的剖面图。

图3为根据本发明的部分实施方式的接收基板的俯视图。

具体实施方式

以下将以附图公开本发明的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。此外，为简化附图起见，一些公知惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式为。

在此使用的“微型”装置或“微型”发光二极管(light-emittingdiode；led)等用词，指的是根据本发明的实施方式的某些元件或结构的描述性尺寸。在此使用的“微型”装置或“微型”发光二极管指的是尺度的范围为约1微米至5毫米。然而，应当理解的是，本发明并未以此为限，且这些实施方式的某些范畴可应用至更大或更小的尺度。

能理解到，当一个元件是位于另一个元件“上”，它可以是直接位于另一个元件上或者有中间元件位于两者之间。相对地，当一个元件是“直接”位于另一个元件“上”，没有中间元件设置于两者之间。

图1为根据本发明的部分实施方式的用以转移多个微型装置至接收基板的方法100的流程图。图2a至图2n为根据本发明的部分实施方式的用以转移多个微型装置200至接收基板700的方法的剖面图。能理解到，额外的步骤可能在方法100之前、之中或之后实行，且在方法100的其他实施方式中，部分提到的步骤可以被替换或取消。

同时参照图1以及图2a，方法100起始于步骤102，将微型装置200暂时性地黏贴至承载基板310上。微型装置200可通过磊晶成长与蚀刻多个半导体层而形成。换句话说，微型装置200可包含半导体装置，例如微型发光二极管。

在部分实施方式中，暂时性贴合层320可先设置于承载基板310上。半导体层堆叠以及导体层220黏贴至暂时性贴合层320，其中导体层220与暂时性贴合层320接触。半导体层被图案化，而导体层220并未被图案化。经图案化的半导体层形成贴于导体层220的微型装置200。在部分实施方式中，微型装置200阵列排列于承载基板310上，且相邻的微型装置200具有装置间距p1。

本发明的部分实施方式中，暂时性贴合层320将微型装置200以及导体层220的组合黏贴至承载基板310上。暂时性贴合层320可以是可分解胶，例如热解胶(thrmalreleaseadhesive)或紫外线解胶(ultraviolet-releaseadhesive)。换句话说，暂时性贴合层320适用于通过各种机制，例如热、紫外线照或其组合而解胶。经解胶的暂时性贴合层对导体层220以及承载基板310提供非常小的黏着力。

同时参照图1以及图2b，方法100来到步骤104，测试承载基板310上的微型装置200，以决定微型装置200中是否有至少一个第一损毁微型装置200a。在测试微型装置200的各种方法的至少一种中，通过测试工具410驱动微型装置200工作，且使用光侦测器420以决定微型装置200是否被点亮。

在此，测试工具410可包含透明基板412、透明导电层416以及透明光阻层414，透明光阻层414设置于透明基板412以及透明导电层416之间。测试工具410的透明导电层416用于接触微型装置200。具体而言，测试工具410可接触微型装置200的上表面。透明光阻层414的设置是可选择的，且在部分实施方式中可以省略透明光阻层414的设置。经过此设置，微型装置200的上表面被提供第一电位。同时，导体层220被提供第二电位，第二电位不同于第一电位。透过测试工具410的透明导电层416，可以形成电位差，且第一电位与第二电位之间的电位差驱动微型装置200工作。

光侦测器420，例如高分辨率数码相机，可以感测微型装置200的发光性能。如果微型装置200没有展现发光性能或展现不规则的发光性能，微型装置200可能是有瑕疵的，且标记作为第一损毁微型装置200a(以十字点状图样表示)。更甚者，在部分实施方式中，采用分析仪以分析微型装置200的i-v(电流-电压)曲线或漏电流。如果微型装置200展现不规则的i-v曲线或者不正常的漏电流，微型装置200可能是有瑕疵的，且标记作为第一损毁微型装置200a。

在部分实施方式中，为了让来自微型装置200的光线能经由测试工具410传送至光侦测器420，测试工具410的导电层416可以由透明导电材料所形成，例如氧化铟锡(indiumtinoxide)。导电层416可以或可以不被图案化。或者，测试工具410的导电层416可以是纳米银线，其宽度在大约10纳米至大约20纳米之间，而使大部分来自微型装置200的光线不被纳米银线所遮蔽。此外，透明基板412可以由不会阻挡光线穿透的玻璃或压克力所组成。

在部分实施方式中，大部分的微型装置200被同时启动，但不应以此限制本发明的多个实施方式。在部份其他实施方式中，测试工具410每次可以接触微型装置200中的一个。举例而言，测试工具410可包含至少一个探针，以每次接触微型装置200中的至少一个，且依序测试多个微型装置200。

在此详细说明用于侦测微型装置200的方法，可了解到，可能有其他适当的方法也能用于侦测微型装置200。在其他实施方式中，可能通过测试微型装置200的光激发萤光(photo-luminescence；pl)而决定第一损毁微型装置200a，此时可不通过启动微型装置200。在此，可以用紫外线(例如紫外线激光)照射或扫描微型装置200，而使微型装置200吸收紫外线且发出萤光。配备有彩色滤光片的光侦测器420可以侦测萤光。举例而言，对于红光微型发光二极管，光侦测器420配备有红色滤光片以侦测萤光。如果微型装置200没有展现光激发萤光或展现不规则的光激发萤光，微型装置200可能是有瑕疵的，且标记作为第一损毁微型装置200a。

同时参照图1与图2c，在测试之后，导体层220(展现于图2b)可经由图案化形成多个导体垫220a，导体垫220a分别贴于微型装置200的底部。以下，每个微型装置200包含导体垫220a之一。在部分其他的实施方式中，在前述的测试(例如光激发萤光测试)不用启动微型装置200时，导体层220可在测试之前图案化。

参照图1以及图2d，方法100来到步骤106，从承载基板310上移除第一损毁微型装置200a。在部分实施方式中，步骤106的移除可包含使第一损毁微型装置200a从承载基板310上脱黏且从承载基板310上移除第一损毁微型装置200a，同时使其他微型装置200黏贴于该承载基板310。

在此，位于第一损毁微型装置200a下方的暂时性贴合层320的部分322被局部解胶，例如被局部加热或局部紫外线曝光，且位于正常的微型装置200下方的暂时性贴合层320的部分324没有被解胶。经解胶的部分322以密的点状图样表示，而部分324以疏的点状图样表示。如此一来，第一损毁微型装置200a先从承载基板310上脱黏，而正常的微型装置200仍黏贴至承载基板310。

在暂时性贴合层320被局部解胶之后，转移头500将均匀的吸力施加于全部的微型装置200上，其中包含第一损毁微型装置200a。暂时性贴合层320的经解胶的部分322对第一损毁微型装置200a提供非常小的黏着力。转移头500的吸力大于经解胶的部分322与第一损毁微型装置200a之间的黏着力，如此一来，转移头500吸取第一损毁微型装置200a，且在微型装置200中留下至少一个空缺v1。此外，暂时性贴合层320的部分324以及正常的微型装置200之间的黏着力维持不变，且大于微型装置200与转移头500之间的吸力。据此，正常的微型装置200停留在承载基板310上，而第一损毁微型装置200a被吸走。

转移头500包含至少一个静电吸头，例如但不限于，使用相反电荷之间的吸引力而吸取第一损毁微型装置200a。转移头500包含本体510、多个吸取单元520以及连接电路(未绘示)。本体510具有工作表面512，以供吸取单元520排列。在部分实施方式中，连接电路可包含多个连接线，其很薄而未绘示于图2d中。连接电路设置于工作表面512上且连接至所有吸取单元520，以同时启动吸取单元520。连接电路(未绘示)的高度低于吸取单元520的高度，因此不会实质性地妨碍吸取单元520接近第一损毁微型装置200a。

在部分实施方式中，转移头500可以使用黏性吸头或静电吸头与黏性吸头的组合，而不仅采用静电吸头。举例而言，以黏性突起物提供转移头500以及微型装置200之间的黏着力。设计此转移头500以及微型装置200之间的黏着力大于暂时性贴合层320的经解胶的部分322以及第一损毁微型装置200a之间的黏着力，如此一来，通过此转移头500与微型装置200之间的黏着力，转移头500可以吸走第一损毁微型装置200a。再于其他部分实施方式中，吸取单元520可以以真空吸头或机械吸头的原理工作，或者，吸取单元520可以是任何能用于吸取第一损毁微型装置200a的元件。

在本实施方式中，转移头500施加均匀的吸力于全部的微型装置200上，且第一损毁微型装置200a一次性地从承载基板310上脱黏且经转移头500而被移除。在部分其他实施方式中，微型装置200可以是成群的，且转移头500依序施加均匀的吸力于多个群组的微型装置200上，且多个群组的第一损毁微型装置200a依序地从承载基板310上脱黏且经转移头500而被移除。举例而言，多个第一损毁微型装置200a中的一个先从承载基板310上脱黏且经转移头500而被移除，其后，多个第一损毁微型装置200a中的另一个从承载基板310上脱黏且经转移头500而被移除。

转移头500以及经局部解胶的暂时性贴合层320的使用不应限制第一损毁微型装置200a的可确定位置的移除方式。参照图2e，不同于图2d的操作，步骤106的移除可包含使微型装置200从承载基板310上脱黏以及从承载基板310上可确定位置地移除第一损毁微型装置200a。在此，以密的点状图案标记，暂时性贴合层320实质上被整个解胶，例如被均匀地加热或紫外线曝光，且使用可确定位置转移头600可确定位置地吸取第一损毁微型装置200a。

可确定位置转移头600包含本体610、多个吸取单元620以及可确定位置周边驱动电路630。本体610具有工作表面612，工作表面612具有吸取区域612a以及至少一个电路区域612b，电路区域612b设置于吸取区域612a的至少一侧。吸取单元620排列于吸取区域612a中。可确定位置周边驱动电路630至少设置于电路区域612b中。

在部分实施方式中，可确定位置转移头600可使用静电吸头。如同非可确定位置转移头500的吸取单元520(参见图2d)，吸取单元620可以是静电吸头，例如但不限于，使用相反电荷之间的吸引力而吸取第一损毁微型装置200a。在部分其他实施方式中，吸取单元620可以以真空吸头、黏性吸头或机械吸头的原理工作，或者，吸取单元620可以是任何能用于吸取第一损毁微型装置200a的元件。

可确定位置周边驱动电路630可包含至少一个集成电路以及导线(未绘示)，集成电路设置于电路区域612b，导线(未绘示)设置于吸取区域612a以及电路区域612b两个区域中，以电性连接集成电路与吸取单元620。通过此设置，可确定位置周边驱动电路630能够可确定位置地启动吸取单元620。

如同图2e所示，在部分实施方式中，吸取区域612a配置大于或等于承载基板310的承受表面312，且因此，吸取单元620能够接近第一损毁微型装置200a。

在图2d与图2e的实施方式中，非可确定位置转移头500的相邻的吸取单元520或可确定位置转移头600的相邻的吸取单元620具有间距pu1。虽然间距pu1实质上与间距p1相同，但不应以此限制本发明的各种实施方式，在部分其他实施方式中，间距pu1可以是间距p1的整数倍，例如n倍的间距p1，其中n为整数。在更进一步的实施方式中，非可确定位置转移头500或可确定位置转移头600可以先移除一部分的第一损毁微型装置200a，之后再以同样的非可确定位置转移头500或可确定位置转移头600移除另一部分的第一损毁微型装置200a。在部分实施方式中，可以将第一损毁微型装置200a分成n个群组，而此移除第一损毁微型装置200a的步骤可以重复n次。

参考图2f，在移除步骤之后，可以得到用于转移的中间结构s1。中间结构s1包含承载基板310，多个经测试的微型装置200以及至少一个暂时性贴合层320。经测试的微型装置200位于暂时性贴合层320上，其中经测试的微型装置200通过至少一道测试，且承载基板310上没有未通过测试的损毁微型装置200。在部分实施方式中，经测试的微型装置200以一阵列排列，且该阵列具有至少一个空缺v1。暂时性贴合层320可将经测试的微型装置200黏贴至该承载基板310。或者，在部分实施方式中，暂时性贴合层320可以被完全解胶。

参考图1以及图2g至图2j。方法100来到步骤108，在移除步骤后，将剩余的微型装置200从承载基板310上转移至接收基板700。此转移步骤可以通过至少一个非可确定位置转移头800而进行，非可确定位置转移头800适用于非可确定位置地吸取剩余的微型装置200。在部分实施方式中，可以进行一脱黏程序以局部地使暂时性贴合层320解胶，如此一来，非可确定位置转移头800能够吸取剩余的微型装置200。

非可确定位置转移头800可以使用静电吸头、黏性吸头或其组合。在部分实施方式中，非可确定位置转移头800的结构与非可确定位置转移头500(参见图2d)相似。如同非可确定位置转移头500(参见图2d)的配置，非可确定位置转移头800包含本体810、多个吸取单元820以及连接电路(未绘示)。连接电路(未绘示)电性连接所有吸取单元820以同时启动吸取单元820。

在部分实施方式中，接收基板700具有像素阵列，对应微型装置200的阵列。同时参考图2g、图2h以及图3。图3为根据本发明的部分实施方式的接收基板700的俯视图。在部分实施方式中，接收基板700可承载像素区域pa以及至少一个非像素区域na，非像素区域na设置于像素区域pa的至少一侧。像素区域pa包含由多个次像素sp以矩阵排列所构成的阵列。相邻的次像素sp具有间距p2。非像素区域na包含至少一个数据线驱动电路720以及至少一个扫描线驱动电路730。数据线驱动电路720以及扫描线驱动电路730电性连接每个次像素sp。

如同图3所示，在部分实施方式中，每个次像素sp包含多个相连的电极710a、710b以及710c。当微型装置200的阵列设置于接收基板700上时，微型装置200分别位于次像素sp上，且每个微型装置200连接至每个次像素sp的一个电极710a、710b以及710c。

再回到图2g至图2j。如同图2g所示，微型装置200分成多个群组，举例而言，群组a1、群组a2以及群组a3。群组a1至a3的微型装置200具有实质相同的间距，且此间距与非可确定位置转移头800的吸取单元820的间距pu2实质相同。因此，在转移过程中，非可确定位置转移头800可依序地将部分的群组a1至a3转移至接收基板700(参见图2h)。

详细而言，如同图2g以及图2h所示，非可确定位置转移头800吸取群组a1的微型装置200且将其放置于接收基板700上。在此，位于群组a1的微型装置200下方的暂时性贴合层320被解胶而标记为经解胶的部分326，而位于群组a2与a3的微型装置200下方的暂时性贴合层320未被解胶而标记为未经解胶的部分324。经由此设置，暂时性贴合层320的部分324维持群组a2与a3的微型装置200黏贴于承载基板310，而非可确定位置转移头800能吸取且转移群组a1的微型装置200。

参考图2i以及图2j，非可确定位置转移头800吸取群组a2的微型装置200，且将群组a2的微型装置200转移至接收基板700，同时，群组a1的微型装置200已预先放置于接收基板700上。在此，位于群组a2的微型装置200下方的暂时性贴合层320标记为经解胶的部分326。经由这些步骤，群组a2的微型装置200将被转移至接收基板700上。在本本发明的部分实施方式中，由于第一损毁微型装置200a已经被移除，接收基板700上可能会有至少一个空缺v2存在于微型装置200的阵列中。

虽然群组a1的微型装置200以及群组a2的微型装置200是交互排列的，但不应以此限制本发明的各种实施方式。在部分其他的实施方式中，在接收基板700上的群组a1的微型装置200以及群组a2的微型装置200可以有不同的排列。

如同图2g所示，非可确定位置转移头800的相邻的吸取单元820具有间距pu2，且间距pu2是间距p1的整数倍。通过此设置，非可确定位置转移头800能够在不同时间点吸取承载基板310上群组a1的微型装置200以及群组a2的微型装置200。另一方面，如同图2j所示，接收基板700上相邻的微型装置200具有间距p2，即为次像素sp的间距p2(参考图3)，且间距pu2是间距p2的整数倍。换句话说，同时参考图2g以及第2j图，间距pu2配置为间距p1以及间距p2的公倍数。

在部分实施方式中，微型装置200是有不同型态的，例如红光微型发光二极管、绿光微型发光二极管以及蓝光微型发光二极管。在不同承载基板上的微型装置200可以具有相同的间距p1。当不同型态的微型装置200从不同承载基板被转移至同一接收基板700时，吸取单元820的间距pu2配置为间距p1、间距p2以及微型装置200的型态数量的公倍数。

参照图2h，在部分实施方式中，非可确定位置转移头800具有工作表面812以供吸取单元820排列。在此，工作表面812小于接收基板700的承受表面702。工作表面812可大于或等于接收基板700的像素区域pa(参考图3)。在部分其他实施方式中，工作表面812可以大于或等于接收基板700的承受表面702。

参考图2k，在部分实施方式中，此转移步骤可以通过至少一个转移头900而进行，而非图2g至图2j所示的非可确定位置转移头800，转移头900适用于可确定位置地吸取剩余的微型装置200的至少一个。同时参考图2f以及图2k，此转移步骤包含将承载基板310上剩余的至少一个群组的微型装置200可确定位置地转移至接收基板700，且将承载基板310上剩余的至少一个另一群组的微型装置200可确定位置地转移至接收基板700。图2k展示了转移过程的初始步骤，其中从承载基板310上吸取群组a1的微型装置200，而群组a2以及群组a3的微型装置200仍留在承载基板310上。

在部分实施方式中，由于转移头900能够可确定位置地吸取剩余的微型装置200，中间结构s1的暂时性贴合层320(参考图2f)整体可以大致上被解胶，举例而言，被均匀地加热或紫外线曝光。

在部分实施方式中，转移头900可以具有与可确定位置转移头600(参见图2e)相似的结构。可确定位置转移头900包含本体910、多个吸取单元920以及可确定位置周边驱动电路930。本体910具有工作表面912，工作表面912具有吸取区域912a以及至少一个电路区域912b，电路区域912b设置于吸取区域912a的至少一侧。吸取单元920排列于该吸取区域912a中。可确定位置周边驱动电路930至少设置于电路区域912b中。在此，吸取区域912a可大于接收基板700的承受表面702(参见图2h或图2j)。详细而言，吸取区域912a大于接收基板700的承受表面702(参见图2h或图2j)，如此一来，转移头900可接近接收基板700(参见图2h或图2j)。转移头900的详细结构与可确定位置转移头600(参见图2e)的配置相似，而不再赘述。

参见图2j，在部分实施方式中，在转移过程中，接收基板700上的微型装置200的阵列具有至少一个故障部分，此故障部分是由空缺v2或者部分未与接收基板700的电极成功贴合的微型装置200所造成的。

同时参考图1以及图2l至图2m。方法100来到步骤110，修理微型装置200的阵列内的至少一个故障部分。接收基板700上的空缺v2的位置可以由第一损毁微型装置200a(参见图2c)的位置推论出来。在部分实施方式中，在转移过程之中或之后，测试接收基板700上的微型装置200，以决定接收基板700上是否有至少一个第二损毁微型装置200b，并借此获得第二损毁微型装置200b的位置。第二损毁微型装置200b是指未与电极710a、710b以及710c(参见图3)的正确贴合的微型装置200。详细而言，第二损毁微型装置200b的接触垫(即导体垫220a)不成功电性连接接收基板700的电极710a、710b以及710c(参见图3)，且以交错斜纹表示。

在此，针对空缺v2以及第二损毁微型装置200b的修理分别在图2l以及图2m中进行。详细而言，此修理包含下面两者其中至少一者：当故障部分包含空缺v2时以至少一个补丁微型装置200x修补微型装置200的阵列内的空缺v2，以及当故障部分包含至少一个第二损毁微型装置200b时以至少一个修复微型装置200y修复微型装置200的阵列内的第二损毁微型装置200b。在部分实施方式中，多个故障部分可以多个步骤来修理，且此修理包含先修理多个故障部分的至少一个，再修理多个故障部分的至少另一个。可以透过静电吸头、黏性吸头或其组合，来修理空缺v2以及第二损毁微型装置200b。

参考图2l，以至少一个补丁微型装置200x修补接收基板700上的空缺v2。在此，转移头1000具有与非可确定位置转移头800(参见图2g)相似的结构，且可使用转移头1000以进行此修补过程，其中转移头1000的工作表面1002可小于非可确定位置转移头800(参见图2g)的工作表面。详细而言，由于转移头1000是用于修补微型装置200的阵列内的特定区域，而非微型装置200的阵列内的整个区域，转移头1000的工作表面1002可小于接收基板700的承受表面702。更甚者，转移头1000的工作表面1002可小于接收基板700的像素区域pa(参考图3)。

在部分实施方式中，转移头1000可以多次地修补多个空缺v2，其中每次转移头1000将一个或多个补丁微型装置200x放置于接收基板700上。

在部分实施方式中，第一损毁微型装置200a可能是有规律形式的，而因此空缺v2也可能会以规律形式存在。在部分实施方式中，此修补过程可以透过具有图案化吸取表面的至少一个转移头1000进行，图案化吸取表面对应空缺v2的规律形式，如此一来，转移头1000透过非可确定位置吸取补丁微型装置200x来修补空缺v2。举例而言，转移头1000的吸取单元1010具有间距pu3，且间距pu3实质上与两个空缺v2之间的距离相同。

在部分实施方式中，补丁微型装置200x可能是设置于另一个承载基板(未绘示)上的微型装置。或者，在部分其他实施方式中，承载基板310上的微型装置200(参见图2f)可能并未完全被转移至接收基板700，且补丁微型装置200x可能是承载基板310上的部分剩余的微型装置200(参见图2i)，例如群组a3的微型装置200。

在部分实施方式中，吸取单元1010的间距pu3是间距p2以及位于对应承载基板(未绘示)上的补丁微型装置200x的间距的公倍数。在部分其他实施方式中，微型装置200是有不同型态的，例如红光微型发光二极管、绿光微型发光二极管以及蓝光微型发光二极管。吸取单元1010的间距pu3是间距p2、微型装置200的型态数量以及位于对应承载基板(未绘示)上的补丁微型装置200x的间距的公倍数。

在部分实施方式中，在修补过程之前或之后，测试接收基板700上的微型装置200，以决定接收基板700上是否有至少一个第二损毁微型装置200b。同时参考图2m以及图3。在部分实施方式中，可以使用测试工具(例如图2b的测试工具410)以及光侦测器(例如图2b的(例如图2b的测试工具410)。接收基板700上的像素电路(包含电极710a、710b以及710c、数据线驱动电路720以及扫描线驱动电路730)以及测试工具驱动微型装置200以电位差工作，如此一来，光侦测器可以决定微型装置200是否被点亮。如同图1与图2b所述的步骤104，如果微型装置200没有展现发光性能、展现不规则的发光性能、展现不规则的i-v曲线或展现不正常的漏电流，微型装置200可能是有瑕疵的，且标记作为第二损毁微型装置200b。

同时参考图2m以及图3，通过转移头1100，以至少一个修复微型装置200y修复基板700上的第二损毁微型装置200b。

通过每个次像素sp的多个电极710a、710b以及710c，如果电极710a上有第二损毁微型装置200b，可以不移除电极710a上的第二损毁微型装置200b。因为次像素sp中还有电极710b以及710c(参考图3)，可以将修复微型装置200y黏贴于电极710b以及/或710c。如此一来，可以避免因为移除第二损毁微型装置200b所带来的损坏，并改善发光二极管显示装置的制造良率。

在此，转移头1100具有与非可确定位置转移头800(参见图2g)相似的结构，且可采用此转移头1100进行此修复过程。详细而言，转移头1100的工作表面1102可以小于接收基板700的像素区域pa(参见图3)。

虽然图2m中并未绘示，在部分实施方式中，第二损毁微型装置200b可能是有规律形式的。因此，此修复过程可以透过具有图案化吸取表面的转移头1100进行，图案化吸取表面对应第二损毁微型装置200b，如此一来，转移头1100透过非可确定位置吸取修复微型装置200y来修复第二损毁微型装置200b。详细而言，在部分实施方式中，转移头1100的吸取单元1110具有间距pu4，且间距pu4实质上与两个第二损毁微型装置200b之间的距离相同，而使吸取单元1110能够将修复微型装置200y放置于次像素sp(参见图3)，其中第二损毁微型装置200b位于次像素sp。

在部分实施方式中，转移头1100能多次地修复多个第二损毁微型装置200b，其中每次转移头1100将一个或多个修复微型装置200y放置于接收基板700上。

在部分实施方式中，修复微型装置200y可能是设置于另一个承载基板(未绘示)上的微型装置。或者，在部分其他实施方式中，修复微型装置200y可能是承载基板310上的部分剩余的微型装置200(参见图2i)，例如群组a3的微型装置200。

在部分实施方式中，吸取单元1110的间距pu4是间距p2以及位于对应承载基板(未绘示)上的修复微型装置200y的间距的公倍数。在部分其他实施方式中，微型装置200是有不同型态的，例如红光微型发光二极管、绿光微型发光二极管以及蓝光微型发光二极管。吸取单元1110的间距pu4是间距p2、微型装置200的型态数量以及位于对应承载基板(未绘示)上的修复微型装置200y的间距的公倍数。

图2l中的转移头1000以及图2m中的转移头1100以非可确定位置转移头为例来介绍，其可采用静电吸头、黏性吸头或其组合。这些非可确定位置转移头可具有对应故障部分的规律形式的图案化吸取表面。然而，在部分实施方式中，转移头1000以及转移头1100可能是可确定位置转移头，其中可确定位置驱动电路可以形成在本体的背侧，而使可确定位置驱动电路不会妨碍吸取单元1010或吸取单元1110接近接收基板700上的微型装置200。

在修复过程之后，测试接收基板700上的微型装置，以决定每个次像素sp(参见图3)是否有至少一个正常的微型装置。在测试过程之后，数据获取模组(未绘示)可以搜集每个次像素sp(参见第3图)的测试结果以及损毁微型装置的位置信息。此后，如果大部分或全部的次像素sp(例如超过99.8％的次像素sp)测试后是具有正常的微型装置，则通过此测试。另一方面，如果至少有一个预定比例的次像素sp(例如至少0.2％的次像素sp)测试后是不具有正常的微型装置，则重复修复程序。应了解到，上述关于进行步骤110的损坏率可以适当调整以符合生产管制。

参考图2n，可以得到一种装置，其具有微型装置的阵列，且微型装置的阵列中几乎或完全没有故障区域。具体而言，此装置具有补丁微型装置200x、修复微型装置200y以及具有良好半导体层的微型装置200(即至少通过图2b的测试的微型装置200)。在部分实施方式中，补丁微型装置200x、修复微型装置200y以及微型装置200具有实质相同的结构。

在本本发明的部分实施方式中，承载基板上的微型装置经过测试，且从承载基板上移除有瑕疵的微型装置。当微型装置分别被转移至接收基板的像素时，有瑕疵的微型装置不会被转移至接收基板且也不会占据接收基板的对应像素的空间。以补丁微型装置修补接收基板上的空缺，且以修复微型装置修复未成功黏贴至接收基板的损毁的微型装置。

虽然本发明已以多种实施方式公开如上，然仍有其他实施方式的可能。因此不应以此所涵盖的实施方式的叙述而限制权利要求的精神和范围。

任何本领域的一般技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。因此，本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准，且企图涵盖的更动与润饰。