1.陶瓷-铜复合体，其为具备陶瓷层、铜层和存在于所述陶瓷层与所述铜层之间的钎料层的平板状陶瓷-铜复合体，
将该陶瓷-铜复合体沿着与其主面垂直的面切断时，在所述铜层的切面中，
将具有自(102)面的晶体取向的倾斜为10°以内的晶体取向的铜晶体所占的面积率设为s(102)％、
具有自(101)面的晶体取向的倾斜为10°以内的晶体取向的铜晶体所占的面积率设为s(101)％、
具有自(111)面的晶体取向的倾斜为10°以内的晶体取向的铜晶体所占的面积率设为s(111)％、
具有自(112)面的晶体取向的倾斜为10°以内的晶体取向的铜晶体所占的面积率设为s(112)％时，满足下述式(1)，
式(1)s(102)+s(101)>s(111)+s(112)。
2.如权利要求1所述的陶瓷-铜复合体，其中，所述铜层由轧制铜板构成，所述轧制铜板具有与陶瓷层相对的第一面、和与该第一面相反的第二面。
3.如权利要求2所述的陶瓷-铜复合体，其中，所述第二面中的由截距法测定的铜晶体的平均晶体粒径为250μm以下。
4.如权利要求2或3所述的陶瓷-铜复合体，其中，所述轧制铜板中，ag的含量为5ppm以上且100ppm以下。
5.如权利要求2至4中任一项所述的陶瓷-铜复合体，其中，所述轧制铜板中，al的含量为2.0ppm以下。
6.如权利要求2至5中任一项所述的陶瓷-铜复合体，其中，所述轧制铜板在所述第一面的外缘部的一部分或整周具有朝向所述陶瓷层凸出的毛刺。
7.如权利要求6所述的陶瓷-铜复合体，其中，所述轧制铜板在所述第一面的外缘部的一部分存在不具有朝向所述陶瓷层凸出的毛刺的部分、或者在所述第一面的外缘部的一部分具有朝向所述陶瓷层凸出且其高度为20μm以下的毛刺。
8.如权利要求1至7中任一项所述的陶瓷-铜复合体，其中，所述钎料层包含sn及in中的任一者、以及ag、cu及ti；或者包含sn及in两者、以及ag、cu及ti。
9.如权利要求8所述的陶瓷-铜复合体，其中，所述钎料层中，ag为85质量份以上且93.1质量份以下，cu为5.0质量份以上且13质量份以下，ti为1.5质量份以上且5.0质量份以下，sn及in的总量为0.40质量份以上且3.5质量份以下。
10.如权利要求1至9中任一项所述的陶瓷-铜复合体，其中，相对于所述陶瓷层与所述铜层的接合部的面积1cm2，具有1.0mg以上且15.0mg以下的所述钎料层。
11.陶瓷电路基板，其是权利要求1至10中任一项所述的陶瓷-铜复合体的、至少所述铜层的一部分被除去而形成了电路的陶瓷电路基板。
12.功率模块，其搭载有权利要求11所述的陶瓷电路基板。
13.陶瓷-铜复合体的制造方法，其包括介由钎料将陶瓷基板与铜板接合的接合工序，
就所述铜板而言，在沿着与其主面垂直的面切断的切面中，
将具有自(102)面的晶体取向的倾斜为10°以内的晶体取向的铜晶体所占的面积率设为s(102)％、
具有自(101)面的晶体取向的倾斜为10°以内的晶体取向的铜晶体所占的面积率设为s(101)％、
具有自(111)面的晶体取向的倾斜为10°以内的晶体取向的铜晶体所占的面积率设为s(111)％、
具有自(112)面的晶体取向的倾斜为10°以内的晶体取向的铜晶体所占的面积率设为s(112)％时，
满足下述式(1)，
式(1)s(102)+s(101)>s(111)+s(112)。
14.如权利要求13所述的陶瓷-铜复合体的制造方法，其中，在所述接合工序中包括下述接合工序：在真空下或非活性气体气氛下，通过于770℃以上且830℃以下的温度加热10分钟以上且60分钟以下，介由钎料将陶瓷基板与铜板接合。