技术总结
一种钼靶材的制作方法，包括：先通过热压烧结工艺实现钼粉末的致密化处理，得到第一钼靶材坯料，之后再通过多阶段的热轧处理工艺逐步实现第一钼靶材坯料进一步致密化处理，从而获得钼颗粒晶粒小于50μm，致密度高达99.94%的钼靶材。相对于现有的钼靶材制作方法获得的钼靶材，本发明获得的钼靶材的钼晶粒粒度更小、晶粒大小更均匀，致密度更高，具有更好的电学性能和机械加工性能，完全满足钼靶材溅射要求。
技术研发人员：姚力军;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;袁海军
受保护的技术使用者：宁波江丰电子材料股份有限公司
文档号码：201310331636
技术研发日：2013.07.31
技术公布日：2017.06.30