1.一种制备纳米晶合金的热处理方法，
包括快淬凝固制备带材的过程；
还包括将所述带材经热处理制得纳米晶合金材料的过程；或者，将所述带材绕制为磁芯，然后经热处理制得纳米晶合金材料的过程；
其特征是：所述的热处理分为如下两步：
第一步，称为预热处理：将所述带材“快速”升温至预处理温度并“短时间”保温后冷却，所述的升温速率高于100℃/min，所述的预处理温度在最佳形核温度区间，所述的保温时间小于5分钟；
第二步：采用常规纳米晶化热处理工艺，将预热处理后的带材升温至热处理温度并保温一定时间后冷却；或者，采用常规纳米晶化热处理工艺，将预热处理后的带材绕制成磁芯，将磁芯升温至热处理温度并保温一定时间后冷却；所述的热处理温度在最佳晶粒长大温度区间；
所述带材的DSC晶化曲线中，第一晶化结束温度到第二晶化起始温度之间的温度区间为最佳形核温度区间，第一晶化起始温度到第一晶化结束温度之间的温度区间为最佳晶粒长大温度。
2.如权利要求1所述的制备纳米晶合金的热处理方法，其特征是：在第一步中，所述的升温速率等于或高于200℃/min；
作为优选，所述的升温速率等于或高于400℃/min。
3.如权利要求1所述的制备纳米晶合金的热处理方法，其特征是：在第一步中，所述的保温时间小于2分钟；
作为优选，所述的保温时间等于或小于1分钟。
4.如权利要求1所述的制备纳米晶合金的热处理方法，其特征是：所述的预热处理温度在最佳形核温度区间的中间值附近。
5.如权利要求1所述的制备纳米晶合金的热处理方法，其特征是：所述的热处理温度在最佳晶粒长大温度区间的中间值附近。
6.如权利要求1所述的制备纳米晶合金的热处理方法，其特征是：在第二步中，所述的升温速率小于50℃/min；
作为优选，所述的升温速率小于30℃/min。
7.如权利要求1所述的制备纳米晶合金的热处理方法，其特征是：在第二步中，所述的保温时间大于30分钟；
作为优选，所述的保温时间等于或大于60分钟。
8.如权利要求1至7中任一权利要求所述的制备纳米晶合金的热处理方法，其特征是：所述的带材包括Fe基、FeCo、Al基，Au基、Ag基、Zr基、Ni基、Ti基、Cu基合金带材。
9.如权利要求1至7中任一权利要求所述的制备纳米晶合金的热处理方法，其特征是：所述的带材是具有高饱和磁感应强度的合金带材。
10.如权利要求8所述的制备纳米晶合金的热处理方法，其特征是：所述的 带材是高铁含量Fe(Si,B,P,C)Cu系列合金带材。