技术总结
本发明提供一种化学机械研磨方法,包括:启动步骤,用于使得研磨液设置、研磨压力设置、研磨垫转速设置自初始值到达预设值;主研磨步骤,用于基于所述预设值对半导体表面的待研磨材料层进行研磨;清洗步骤,用于在所述主研磨步骤结束后,停止研磨液供应并对半导体衬底和研磨垫的表面进行清洗;还包括:冷却步骤,利用很低的研磨压力、较低的研磨垫和晶圆转速,同时用高压喷水,用于对清洗步骤后的研磨垫进行冷却。本发明改善了化学机械研磨后半导体衬底的片间厚度均匀性,减少了返工步骤。
技术研发人员:张泽松;胡海天;李儒兴;陶仁峰
受保护的技术使用者:上海华虹宏力半导体制造有限公司
文档号码:201510491035
技术研发日:2015.08.11
技术公布日:2017.10.17