技术总结
本发明涉及一种溅镀装置，且更具体而言涉及一种利用圆柱形阴极以双边地进行沉积的溅镀装置。根据示例性实施例，所述溅镀装置包括：腔室，被配置成提供沉积空间；多个基板支撑单元，设置于所述腔室中且被安置成彼此相对；以及圆柱形阴极，包括磁体总成及圆柱形靶部，在所述磁体总成中朝向所述基板支撑单元而分别对称地安置有多个磁体，所述圆柱形靶部被配置成提供在其中容置所述磁体总成的容置空间，且所述圆柱形阴极设置于所述多个基板支撑单元之间的空间中。因此，所述多个基板支撑单元可被安置成相对于所述圆柱形阴极而彼此相对，以对安置于两侧的所述多个基板同时进行沉积，从而提高生产率并减小设备投资成本，以节省生产成本。
技术研发人员：李宰承;具灿会
受保护的技术使用者：AP系统股份有限公司
文档号码：201610649369
技术研发日：2016.08.10
技术公布日：2017.03.22