本发明涉及半导体技术领域,特别涉及晶圆的化学气相沉淀腔。
背景技术:
低压化学气相沉淀是指将沉淀腔中抽成低压状态,将反应气体置入沉淀腔中,反应气体扩散至沉淀腔中的晶圆表面,在晶圆表面附近的反应区发生反应形成薄膜。现有的低压化学沉淀腔的结构设计不合理,反应气体不能均匀的扩散至晶圆表面,导致形成的薄膜厚度不均匀。
技术实现要素:
针对现有技术存在的上述问题,申请人进行研究及改进,提供一种低压化学气相沉淀腔的导气支撑管,其提高反应气体的扩散均匀性,提高薄膜的成型均匀度。
为了解决上述问题,本发明采用如下方案:
一种低压化学气相沉淀腔的导气支撑管,包括一竖直置于腔体中的导气支撑管,所述导气支撑管的管壁上间隔设有多个导气孔,所述导气孔处套设有转套,所述转套上安装有横置的导气管,所述导气管的管壁上均布有出气孔,上下相邻的转套之间的导气支撑管上安装有夹持晶圆的夹头。
本发明的技术效果在于:
本发明中,将导气结构及用于支撑晶圆的支撑结构结合一起,简化腔体内部结构,并且合理设置的导气管,大大提高反应气体与晶圆的接触均匀度。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
图2为本发明中导气支撑管的结构图。
图3为本发明中导气支撑管的局部结构图。
图中:1、腔体;2、导气支撑管;3、转套;4、导气管;5、出气孔;6、晶圆;7、夹头。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步说明。
如图1、图2及图3所示,本实施例的低压化学气相沉淀腔的导气支撑管,包括一竖直置于腔体1中的导气支撑管2,导气支撑管2的管壁上间隔设有多个导气孔,导气孔处套设有转套3,转套3上安装有横置的导气管4,导气管4的管壁上均布有出气孔5,上下相邻的转套3之间的导气支撑管2上安装有夹持晶圆6的夹头7。使用时,将反应气体从导气支撑管2中通入腔体1中,反应气体进入导气管4中,并从管壁的出气孔5中导出至晶圆表面。
以上所举实施例为本发明的较佳实施方式,仅用来方便说明本发明,并非对本发明作任何形式上的限制,任何所属技术领域中具有通常知识者,若在不脱离本发明所提技术特征的范围内,利用本发明所揭示技术内容所作出局部改动或修饰的等效实施例,并且未脱离本发明的技术特征内容,均仍属于本发明技术特征的范围内。