晶片研磨设备的制作方法

本发明涉及光学晶片制作领域，具体为一种晶片研磨设备。

背景技术：

石英晶片是制造频率发生和控制用的电子元器件，石英晶片的厚度同频率成反比，石英晶体经过切割后形成晶片，再经过腐蚀达到固定频率才能使用。因此，研磨是晶片加工中的关键过程。

在对晶片进行研磨抛光处理时，通常需要用到研磨机。研磨盘是研磨机中最主要的工作部件，研磨晶片时，将待研磨的晶片放置到加工台上，下降的研磨头对晶片进行打磨操作。待研磨操作完成后，需要将晶片从加工台上取下来，并放上下一待加工的晶片进行研磨，而在现有的研磨操作中，通常是工人直接拿取晶片，从而实现加工台的上下料操作，这样一来就增加了工人的劳动量，而且，工人在拿取晶片的时候，若是出现拿取不稳的情况，容易造成晶片的磕碰，从而影响晶片的加工质量。

技术实现要素：

本发明意在提供一种能实现晶片的自动上下料的研磨设备。

本发明提供基础方案是：晶片研磨设备，包括可转动的加工台和位于加工台上方用于对晶片进行研磨的研磨机构，其中，加工台具有内腔，加工台上对称设置有用于放置晶片的放置位，放置位内设有连通加工台内腔的吸附孔，加工台的侧壁设置有可启闭的气孔，气孔连接有与气泵连接的气管；研磨机构包括研磨头和驱动研磨头运动的步进电机；放置位正下方设置有用于运输晶片的运输带，运输带上的晶片可吸附在放置位的底面。

基础方案的工作原理：加工前，转动加工台，使得加工台上的放置位处于竖直方向上，即一个放置位在加工台的上部，对称设置的另一个放置位则处在加工台的下方，同时也是运输带的正上方；

将待研磨的晶片放置在运输带上，同时也放置一块待研磨的晶片在加工台上部的放置位中，启动运输带，运输带上的晶片移动到加工台上的放置位下方时，停止运输带，晶片处于放置位的正下方；启动气泵，通过气泵将加工台内腔的气体抽出，在加工台的内腔形成真空环境后关闭气孔，加工台内部的气压小于加工台外部的气压，因此位于上部放置位内的晶片被加工台外部的气压压在了放置位内，吸附孔将晶片紧紧吸附在为了加工台上；同理，下方传输带上的晶片此刻也在外部大气压强的作用下被吸附贴到了加工台上；旋转加工台，使吸附了该晶片的加工位朝上正对研磨头，启动步进电机，研磨头下降，与晶片的上表面接触后，研磨头转动，对晶片进行研磨；研磨完成后，步进电机又驱动研磨头上升，脱离与晶片的接触；然后转动加工台，使得加工台上部的放置位转动到下部来原来下部的未研磨的晶片此时就转到了研磨头的下方；打开气孔，加工台内腔中补充进气体，由于此时加工台内腔中气体增多，内腔的气压增大，不再吸附晶片，位于下部的放置位内研磨好的晶片则在自身的重力作用下掉到运输带上，运输带运动，将研磨好的晶片传输走，后面待研磨的晶片又被运输到了放置位的下方；再次将加工台内腔中的空气抽出，位于放置位下方的待加工的晶片被吸附，研磨机构再次对晶片进行研磨加工。

转动的工作台可以实现上、下放置位的转换，只需要在初次启动时手动放上一块晶片后，配合加工台内腔气压的改变进行实现晶片的上料-研磨-下料的流水操作，即不再需要手动上料，取代了传统的人工卸载晶片的操作，提高了晶片的研磨效率，同时也避免了工人拿取晶片不稳而出现晶片的报废磕碰现象，提高了晶片的加工生产效率质量。

基础方案的有益效果是：1.完成晶片加工的自动上下料操作，无需工人手动拿取晶片，保证了晶片卸料的安全操作；

2.利用大气压的改变实现晶片的上下料，操作简单；

3.实现了晶片加工的流水化操作，提高了加工的效率。

优选方案一：作为基础方案的优选，加工台横向穿设有与电机相连的转动轴。有益效果：穿设有转动轴后，转动轴转动，带动加工台转动，结构简单。

优选方案二：作为优选方案一的优选，气孔处通过拉簧连接有盖板。有益效果：对加工台内腔进行抽气时，气流推动盖板，将内腔中的气体排出后，直接松开盖板，拉簧恢复形变，拉动盖板实现气孔的自动封闭，操作简单。

优选方案三：作为基础方案的优选，工作台的表面设有放置位的导向通道。有益效果：设置导向通道对运输带上放置的晶片进行导向，确保晶片能准确停留在放置位的下方，从而确保了晶片可以顺利地被吸附在放置位内。

优选方案四：作为优选方案三的优选，导向通道包括对称设置的两块倾斜的导向板。有益效果：由两块倾斜的导向板组成导向通道，利用倾斜的导向板对运输带上的晶片进行导向，保证了晶片能顺利的被传输到放置位的下方。

优选方案五：作为基础方案的优选，放置位内设置有橡胶垫。有益效果：设置橡胶垫后，利用橡胶垫的弹性，可以减少放置位对晶片的挤压，从而减少了晶片在放置位内的磨损。

附图说明

图1为本发明晶片研磨设备实施例的结构示意图；

图2为图1的俯视图；

图3为图1中加工台的俯视图；

图4为图1中加工台的纵剖图。

具体实施方式

下面通过具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：

说明书附图中的附图标记包括：加工台10、转动轴11、放置位13、运输带30、导向板101、晶片1、研磨头23、步进电机21、吸附孔131。

如图1、图2和图3所示的晶片1研磨设备，包括可转动的加工台10和上方用于对晶片1进行研磨的研磨机构，如图4所示，中空的加工台10上对称设置有用于放置晶片1的放置位13，放置位13内设有连通加工台10内腔的吸附孔131，放置位13内还设置有橡胶垫；加工台10的侧壁设置有可启闭的气孔，气孔连接有与气泵连接的气管，气孔处连接有盖板，盖板的一端转动连接在加工台10的内壁上，盖板的另一端与加工台10的内壁之间连接有拉簧；加工台10横向穿设有转动轴11，转动轴11连接有电机的输出轴；工作台的表面沿放置位13的中心堆成设置有两块导向板101，导向板101在工作台的表面倾斜设置，两块导向板101之间构成晶片1的导向通道；

研磨机构包括研磨头23和驱动研磨头23运动的步进电机21；放置位13正下方设置有用于运输晶片1的运输带30，运输带30上的晶片1可与放置位13的底面接触。

加工前，启动电机，电机带动加工台10转动，当转动到加工台10上的放置位13处于竖直方向上，即一个放置位13在加工台10的上部，对称设置的另一个放置位13则处在加工台10的下方，同时也是运输带30的正上方的时候，停止电机的转动；

将待研磨的晶片1放置在运输带30上，同时也放置一块待研磨的晶片1在加工台10上部的放置位13中，启动运输带30，运输带30上的晶片1移动到加工台10上的放置位13下方时，停止运输带30，晶片1处于放置位13的正下方；启动气泵，通过气泵将加工台10内的气体抽出，在加工台10的内腔形成真空环境后关闭气孔，加工台10内部的气压小于加工台10外部的气压，因此位于上部放置位13内的晶片1被加工台10外部的气压压在了放置位13内，吸附孔131将晶片1紧紧吸附在为了加工台10上；同理，下方传输带上的晶片1此刻也在外部大气压强的作用下被吸附贴到了加工台10上；启动步进电机21，研磨头23下降，与晶片1的上表面接触后，研磨头23转动，对晶片1进行研磨；研磨完成后，步进电机21又驱动研磨头23上升，脱离与晶片1的接触；然后转动加工台10，使得加工台10上部的放置位13转动到下部来，原来下部的未研磨的晶片1此时就转到了研磨头23的下方；打开气孔，由于此时加工台10中气体增多，内腔的气压增大，下部放置位13内研磨好的晶片1则在自身的重力作用下掉到运输带30上，运输带30运动，将研磨好的晶片1传输走，后面待研磨的晶片1又被运输到了放置位13的下方；再次将加工台10中的空气抽出，放置位13内待加工的晶片1被吸附，研磨机构再次对晶片1进行研磨加工。

以上所述的仅是本发明的实施例，方案中公知的具体结构及特性等常识在此未作过多描述。应当指出，对于本领域的技术人员来说，在不脱离本发明结构的前提下，还可以作出若干变形和改进，这些也应该视为本发明的保护范围，这些都不会影响本发明实施的效果和专利的实用性。本申请要求的保护范围应当以其权利要求的内容为准，说明书中的具体实施方式等记载可以用于解释权利要求的内容。