本实用新型涉及稀土钴永磁体制造领域,更具体的说是涉及一种稀土钴永磁多层烧结承烧装置。
背景技术:
稀土永磁体一般采用粉末冶金工艺制造,流程是:合金熔炼→制粉→模压成型→等静压→烧结→热处理→加工。烧结即将压制成型的生坯块在真空及惰性气体保护状态下,通过高温使生坯颗粒相互键联,晶粒长大,气孔减少,其总体积收缩,密度增加,最终形成具有某种显微结构的致密的烧结体。
稀土钴永磁的烧结温度一般在1200℃以上;往往需要多层装料以提高单炉次的烧结量,但现有的多层装料装置均为固定结构,不便于摆放和调整。
技术实现要素:
本实用新型克服了现有技术的不足,提供一种稀土钴永磁多层烧结承烧装置,解决了现有的多层烧结承烧装置,为固定结构且不便于摆放且层间高度不易调整的问题。
为解决上述的技术问题,本实用新型采用以下技术方案:
一种稀土钴永磁多层烧结承烧装置,它包括承烧板和伸缩支架,不同承烧板之间通过伸缩支架连接;所述承烧板包括承接环和搁板,所述搁板设置于承接环内;所述承接环上设置有多个承接通孔,所述承接通孔上连接有卡孔;所述伸缩支架包括伸缩杆和连接环,所 述伸缩杆固定在连接环上;所述伸缩杆的两端均设置有内螺纹孔,所述内螺纹孔与卡孔通过销钉连接。
更进一步的,所述的搁板上设置有多个通孔。
更进一步的,所述的伸缩杆包括内杆和外杆,所述内杆上设置有外螺纹,所述外杆上设置有内螺纹,所述内杆与外杆螺纹连接,所述内杆固定在连接环上。
更进一步的,所述的销钉的销杆上设置有外螺纹,所述销钉与内螺纹孔为螺纹连接。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
1、本实用新型将伸缩支架与承接环匹配安装,然后调整伸缩杆的高度,高度定好后,将待处理的生坯块放置在搁板上,然后将伸缩支架与另一块承烧板连接,从而实现生坯块的叠放,本实施例的伸缩支架与承烧板组合后由销钉固定,便于移动。本实用新型便于根据生坯块的高度来调节本承烧装置两个承烧板的高度,且便于摆放生坯块,且可以事先在炉外进行生坯块的摆放再移至炉内,便于操作。
2、本实用新型搁板上设置有多个通孔,便于生坯块的烧结。
3、本实用新型内杆与外杆之间为螺纹连接,便于调节相对位置,从而调节各承烧板的高度,且结构简单便于制造。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细说明。
图1为本实用新型结构示意图。
图2为本实用新型承烧板结构示意图。
图3为本实用新型伸缩杆结构示意图。
图4为本实用新型销钉结构示意图。
图中的标号为:1、承烧板;11、承接环;111、承接通孔;112、卡孔;12、搁板;121、通孔;2、伸缩支架;21、伸缩杆;211、内杆;212、外杆;22、连接环;23、内螺纹孔;3、销钉。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步的说明。本实用新型的实施方式包括但不限于下列实施例。
[实施例1]
如图1、图2、图3所示的一种稀土钴永磁多层烧结承烧装置,一种稀土钴永磁多层烧结承烧装置,它包括承烧板1和伸缩支架2,不同的承烧板1之间通过伸缩支架2连接;所述承烧板1包括承接环11和搁板12,所述搁板12设置于承接环11内;所述承接环11上设置有多个承接通孔111,所述承接通孔111上连接有卡孔112;所述伸缩支架2包括伸缩杆21和连接环22,所述伸缩杆21固定在连接环22上;所述伸缩杆21的两端均设置有内螺纹孔23,所述内螺纹孔23与卡孔112通过销钉3连接。
本实施例将伸缩支架2与承接环11匹配安装,然后调整伸缩杆21的高度,高度定好后,然后将待处理的生坯块放置在搁板12上,然后将伸缩环与另一块承烧板1连接,从而实现生坯块的叠放,本实施例的伸缩支架2与承烧板1组合后为固定结构,便于移动。
本实施例便于根据生坯块的高度来调节本承烧装置两个承烧板1 的高度,且便于摆放生坯块,且可以事先在炉外进行生坯块的摆放再移至炉内,便于操作。
[实施例2]
本实施例在实施例1的基础上做了进一步的改进,如图1、图2、图3所示的一种稀土钴永磁多层烧结承烧装置,所述的搁板12上设置有多个通孔121,便于生坯块的烧结。
[实施例3]
本实施例在实施例1的基础上做了进一步的改进,如图1、图2、图3所示的一种稀土钴永磁多层烧结承烧装置,所述的伸缩杆21包括内杆211和外杆212,所述内杆211上设置有外螺纹,所述外杆212上设置有内螺纹,所述内杆211与外杆212螺纹连接,所述内杆211固定在连接环22上,本实施例结构简单,制造成本低,且便于调节承烧装置的层高。
[实施例4]
本实施例在实施例1的基础上做了进一步的改进,如图1、图2、图3所示的一种稀土钴永磁多层烧结承烧装置,所述的销钉3的销杆上设置有外螺纹,所述销钉3与内螺纹孔23为螺纹连接;螺纹连接结构简单,便于制造且方便操作人员操作。
如上所述即为本实用新型的实施例。本实用新型不局限于上述实施方式,任何人应该得知在本实用新型的启示下做出的结构变化,凡是与本实用新型具有相同或相近的技术方案,均落入本实用新型的保护范围之内。