一种CVD碳化硅材料的制备方法与流程

技术特征：

1.一种CVD碳化硅材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

(1)将基板置于冷壁式化学气相沉积腔体中的加热台上，将真空度调至10Pa以下，加热基板，并保温；

(2)以稀释气将前驱体带入反应腔体，调节反应腔体内压强(P_dep)至400～800Pa；

(3)打开激光，激光波长为808nm，照射基板；

(4)调节激光功率，使基板温度(T_dep)升至1100～1200℃沉积薄膜，保温10min；

(5)停止通入稀释气和前驱体，关闭激光，抽真空至10Pa以下，材料自然冷却至室温。

2.根据权利要求1所描述的一种CVD碳化硅材料的制备方法，其特征在于步骤(1)中加热基板温度为600℃，保温时间30min。

3.根据权利要求1所描述的一种CVD碳化硅材料的制备方法，其特征在于步骤(2)采用Ar为稀释气，HMDS为前驱体。