本发明设计太阳能电池领域，具体是一种太阳能电池pecvd多层钝化减反膜的制备方法。
背景技术：
pecvd工艺是在硅片表面镀上一层深蓝色的氮化硅薄膜，从而充分吸收太阳光，降低反射，并且氮化硅膜有钝化的作用，保护电池片不受污染。为了提高晶体硅太阳能电池的效率，通常需要减少太阳电池正表面的反射外，还需要对晶体硅表面进行钝化处理，以降低表面缺陷对于少数载流子的复合作用。
技术实现要素：
本发明所要解决的技术问题是：如何提供一种太阳能电池pecvd多层钝化减反膜的制备方法，更好的减反射效果。
本发明所采用的技术方案是：一种太阳能电池pecvd多层钝化减反膜的制备方法，按照如下的步骤进行
步骤一、使用臭氧生成机对经过清洗制绒、扩散、刻蚀后的晶体硅进行氧化，臭氧流量设定为500-1000l/h；
步骤二、使用pecvd在氧化硅膜上进行第一次预清理后，使用pecvd在氧化硅膜上制作第一氮化硅膜，其中氮气流量为3-10l/min、氨气流量为3-6l/min、硅烷流量为1450-1500ml/min，压力1000-2000mtorr，射频功率5k-8kwatt,时间20-60s,处理温度为350-450℃；
步骤二、使用pecvd在第一层氮化硅膜上进行第二次预清理后，使用pecvd在第一层氮化硅膜上制作第二层氮化硅膜，其中氮气流量为3-10l/min、氨气流量为3-6l/min、硅烷流量为1350-1450ml/min，压力1000-2000mtorr，射频功率5k-8kwatt,时间20-50s,处理温度为350-450℃；
步骤三、使用pecvd在第二层氮化硅膜上进行第三次预清理后，使用pecvd在第二层氮化硅膜上制作第三层氮化硅膜，其中氮气流量为3-10l/min、氨气流量为3-6l/min、硅烷流量为1300-1350ml/min，压力1000-2000mtorr，射频功率5k-8kwatt,时间20-50s,处理温度为350-450℃；
步骤四、使用pecvd在第三层氮化硅膜上进行第四次预清理后，使用pecvd在第三层氮化硅膜上制作第四层氮化硅膜，其中氮气流量为3-10l/min、氨气流量为3-6l/min、硅烷流量为1250-1300ml/min，压力1000-2000mtorr，射频功率5k-8kwatt,时间20-50s,处理温度为350-450℃；
步骤五、使用pecvd在第四层氮化硅膜上进行第五次预清理后，使用pecvd在第四层氮化硅膜上制作第五层氮化硅膜，其中氮气流量为3-10l/min、氨气流量为3-6l/min、硅烷流量为1200-1250ml/min，压力1000-2000mtorr，射频功率5k-8kwatt,时间20-50s,处理温度为350-450℃；
步骤六、使用pecvd在第五层氮化硅膜上进行第六次预清理后，使用pecvd在第五层氮化硅膜上制作第六层氮化硅膜，其中氮气流量为3-10l/min、氨气流量为3-6l/min、硅烷流量为1200-1250ml/min，压力1000-2000mtorr，射频功率5k-8kwatt,时间20-50s,处理温度为350-450℃。
作为一种优选方式：每次预清理中，氮气流量为3-10l/min、氨气流量为3-10l/min，压力1000-2000mtorr，射频功率6-8kw，持续时间10-20s，处理温度为350-450℃。
本专利方法氧化硅膜的厚度为1-10nm，第一层氮化硅膜厚度为15-20nm，折射率为2.0-2.5，第二层氮化硅膜的厚度为10-15nm，折射率为1.9-2.4，第三层氮化硅膜的厚度为10-15nm，折射率1.5-2.0，第四层氮化硅膜厚度为15-20nm，折射率为1.3-1.9，第五层氮化硅膜的厚度为15-25nm，折射率为1.3-1.8，第六层氮化硅膜的厚度为15-25nm，折射率为1.2-1.7。
本发明的有益效果是:在不改变整体折射率的前提下，镀了六层sinx薄膜，薄膜由里到外，折射率依次递减，以进一步提高了可见光的吸收，达到更好的减反射效果。并在每次镀膜前添加一次预清理，预清理主要作用是用nh3中的h离子钝化硅片表面，置换杂质，在每次镀膜前预清理可以有效的减少镀膜过程中的污染，并生成更纯净的sinx膜，有效防止烧结后银浆将sinx膜中的杂质烧过pn结，从而使短路电流得到很大提升。
具体实施方式
实施例1
1、使用臭氧生成机对经过清洗制绒、扩散、刻蚀后的晶体硅进行氧化，臭氧流量设定为500-1000l/h；
2、使用pecvd在氧化硅膜上进行第一次预清理，其中氮气流量为3-10l/min、氨气流量为3-10l/min，压力1000-2000mtorr，射频功率6-8kw，持续时间8-15s，处理温度为350-450℃；使用pecvd在氧化硅膜上制作第一氮化硅膜，其中氮气流量为3-10l/min、氨气流量为3-6l/min、硅烷流量为1460ml/min，压力1000-2000mtorr，射频功率5k-8kwatt,时间20-60s,处理温度为350-450℃；
3、使用pecvd在第一层氮化硅膜上进行第二次预清理，其中氮气流量为3-10l/min、氨气流量为3-10l/min，压力1000-2000mtorr，射频功率6-8kw，持续时间10-20s，处理温度为350-450℃；使用pecvd在第一层氮化硅膜上制作第二层氮化硅膜，其中氮气流量为3-10l/min、氨气流量为3-6l/min、硅烷流量为1360ml/min，压力1000-2000mtorr，射频功率5k-8kwatt,时间20-50s,处理温度为350-450℃；
4、使用pecvd在第二层氮化硅膜上进行第三次预清理，其中氮气流量为3-10l/min、氨气流量为3-10l/min，压力1000-2000mtorr，射频功率6-8kw，持续时间10-20s，处理温度为350-450℃；使用pecvd在第二层氮化硅膜上制作第三层氮化硅膜，其中氮气流量为3-10l/min、氨气流量为3-6l/min、硅烷流量为1320ml/min，压力1000-2000mtorr，射频功率5k-8kwatt,时间20-50s,处理温度为350-450℃；
5、使用pecvd在第三层氮化硅膜上进行第四次预清理，其中氮气流量为3-10l/min、氨气流量为3-10l/min，压力1000-2000mtorr，射频功率6-8kw，持续时间10-20s，处理温度为350-450℃；使用pecvd在第三层氮化硅膜上制作第四层氮化硅膜，其中氮气流量为3-10l/min、氨气流量为3-6l/min、硅烷流量为1280ml/min，压力1000-2000mtorr，射频功率5k-8kwatt,时间30-80s,处理温度为350-450℃；
6、使用pecvd在第四层氮化硅膜上进行第五次预清理，其中氮气流量为3-10l/min、氨气流量为3-10l/min，压力1000-2000mtorr，射频功率6-8kw，持续时间10-20s，处理温度为350-450℃；使用pecvd在第四层氮化硅膜上制作第五层氮化硅膜，其中氮气流量为3-10l/min、氨气流量为3-6l/min、硅烷流量为1230ml/min，压力1000-2000mtorr，射频功率5k-8kwatt,时间50-100s,处理温度为350-450℃；
7、使用pecvd在第五层氮化硅膜上进行第六次预清理，其中氮气流量为3-10l/min、氨气流量为3-10l/min，压力1000-2000mtorr，射频功率6-8kw，持续时间10-20s，处理温度为350-450℃；使用pecvd在第五层氮化硅膜上制作第六层氮化硅膜，其中氮气流量为3-10l/min、氨气流量为3-6l/min、硅烷流量为1000ml/min，压力1000-2000mtorr，射频功率5k-8kwatt,时间50-100s,处理温度为350-450℃。
实施例2
1、使用臭氧生成机对经过清洗制绒、扩散、刻蚀后的晶体硅进行氧化，臭氧流量设定为8000l/h；
2、使用pecvd在氧化硅膜上进行第一次预清理，其中氮气流量为8l/min、氨气流量为8l/min，压力2000mtorr，射频功率8kw，持续时间10s，处理温度为350℃；使用pecvd在氧化硅膜上制作第一氮化硅膜，其中氮气流量为7l/min、氨气流量为5l/min、硅烷流量为1480ml/min，压力1560mtorr，射频功率8kwatt,时间30s,处理温度为450℃；
3、使用pecvd在第一层氮化硅膜上进行第二次预清理，其中氮气流量为8l/min、氨气流量为8l/min，压力2000mtorr，射频功率8kw，持续时间10s，处理温度为350℃；使用pecvd在氧化硅膜上制作第一氮化硅膜，其中氮气流量为7l/min、氨气流量为5l/min、硅烷流量为1380ml/min，压力1560mtorr，射频功率8kwatt,时间30s,处理温度为450℃；
4、使用pecvd在第二层氮化硅膜上进行第三次预清理，其中氮气流量为8l/min、氨气流量为8l/min，压力2000mtorr，射频功率8kw，持续时间10s，处理温度为350℃；使用pecvd在氧化硅膜上制作第一氮化硅膜，其中氮气流量为7l/min、氨气流量为5l/min、硅烷流量为1320ml/min，压力1560mtorr，射频功率8kwatt,时间30s,处理温度为450℃；
5、使用pecvd在第三层氮化硅膜上进行第四次预清理，其中氮气流量为8l/min、氨气流量为8l/min，压力2000mtorr，射频功率8kw，持续时间10s，处理温度为350℃；使用pecvd在氧化硅膜上制作第一氮化硅膜，其中氮气流量为7l/min、氨气流量为5l/min、硅烷流量为1480ml/min，压力1260mtorr，射频功率8kwatt,时间30s,处理温度为450℃；
6、使用pecvd在第四层氮化硅膜上进行第五次预清理，其中氮气流量为8l/min、氨气流量为8l/min，压力2000mtorr，射频功率8kw，持续时间10s，处理温度为350℃；使用pecvd在氧化硅膜上制作第一氮化硅膜，其中氮气流量为7l/min、氨气流量为5l/min、硅烷流量为1480ml/min，压力1210mtorr，射频功率8kwatt,时间30s,处理温度为450℃；
7、使用pecvd在第五层氮化硅膜上进行第六次预清理，其中氮气流量为8l/min、氨气流量为8l/min，压力2000mtorr，射频功率8kw，持续时间10s，处理温度为350℃；使用pecvd在氧化硅膜上制作第一氮化硅膜，其中氮气流量为7l/min、氨气流量为5l/min、硅烷流量为1480ml/min，压力1000mtorr，射频功率8kwatt,时间30s,处理温度为450℃。