一种蒸镀坩埚以及蒸镀装置的制作方法

本发明涉及显示屏制造技术领域，特别是涉及一种蒸镀坩埚以及蒸镀装置。

背景技术：

随着有机发光二极管(oled，organiclight-emittingdiode)显示屏广泛运用到手机屏上，越来越多的面板厂商开始建设oled显示屏量产线，其中蒸镀工艺是影响oled显示屏良率的关键制程，是在量产线制备过程中需要重点控制的项目。

现有oled器件主要包括有机膜层和金属膜层，其中，金属膜层主要使用镁/银共蒸作为oled阳极。

本申请的发明人在长期的研发过程中，发现采用蒸镀工艺在待加工产品上沉积镁的过程中，在往坩埚本体内添加镁时，因镁活性较高，与空气接触的镁易被氧化成氧化镁，同时镁的纯度高达99.99％，因提纯困难导致起始原料镁中含有部分杂质，如此，在沉积镁的过程中，起始原料中的少量杂质和氧化物氧化镁会蒸镀到产品上，从而导致代加工产品表面出现混色、黑点等情况，影响良品率。

技术实现要素：

本发明主要解决的技术问题是提供一种蒸镀坩埚以及蒸镀装置，能够将蒸镀材料中的杂质过滤，减少待加工产品中的杂质，从而提高产品的良率。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种蒸镀坩埚，所述蒸镀坩埚包括：

坩埚本体，用于容纳蒸镀材料；

至少两层垫片，间隔设置于所述坩埚本体内，每一所述垫片贯通开设多个通孔，以使得所述蒸镀材料汽化后顺利通过所述垫片，并阻挡所述蒸镀材料中的固体杂质。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种蒸镀装置，包括蒸镀坩埚，所述蒸镀坩埚为上述所述的蒸镀坩埚。

本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明提供的蒸镀坩埚包括坩埚本体，用于容纳蒸镀材料；至少两层垫片，间隔设置于所述坩埚本体内，每一所述垫片贯通开设多个通孔，以使得所述蒸镀材料汽化后顺利通过所述垫片，并阻挡所述蒸镀材料中的固体杂质。通过在坩埚本体内部间隔设置至少两层垫片，且每一层垫片贯通开设有多个通孔，如此，在加热过程中，坩埚本体内的蒸镀材料在达到一定温度时，发生汽化，随着垫片中的通孔而往上流动，而对待加工产品进行蒸镀，而蒸镀材料中所含杂质则保持为固体颗粒，受到气流的影响向上移动时，因垫片未开孔区域的阻挡作用，使得固体杂质无法继续向上移动，即使穿过通孔，则会再次受到下一层垫片的阻挡作用或重力作用而下降，从而将杂质过滤掉，在蒸镀过程中，能够有效避免了氧固体杂质蒸镀到待加工产品上，从而有效提高良品率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：

图1是本发明蒸镀坩埚一实施方式的结构示意图；

图2是图1所示的蒸镀坩埚的分解示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请结合参阅图1及图2，图1是本发明蒸镀坩埚100一实施方式的结构示意图；图2是图1所示的蒸镀坩埚100的分解示意图。本发明实施方式提供的蒸镀坩埚100包括坩埚本体10以及至少两层垫片30，坩埚本体10用于容纳蒸镀材料，例如镁、钙、钡等，当然也可以是其他蒸镀材料，至少两层垫片30间隔设置在坩埚本体10内部，每一层垫片30贯通开设多个通孔31，使得汽化后的蒸镀材料能够顺利通过垫片30，以在待加工产品上沉积蒸镀材料，同时阻挡蒸镀材料中的固体杂质，从而避免蒸镀材料中的固体杂质随着汽化后的蒸镀材料的气流向上移动掉落至待加工产品上。

本实施方式中，蒸镀材料以镁为例。在蒸镀工艺中，装填镁时，与空气接触的镁部分被氧化成氧化镁，对镁进行加热且达到一定温度后，镁将汽化成气态，而被氧化成的氧化镁和其它部分杂质仍保持为固态，为保证坩埚本体10内的镁在加热条件下能够正常对待加工产品进行沉积的同时，有效阻挡氧化镁或/和其它杂质随着汽化后的镁的气流掉落至待加工产品上，坩埚本体10内间隔设置的垫片30层数范围为3-10层，例如3层、4层、6层或8层。当然，在其它实施方式中，垫片30的层数可以根据实际情况进行调整，在此不作限定。

相邻的两层垫片30之间的通孔31相互错开设置，以使得顺利穿过该垫片30的通孔31的固体杂质随着气流上升时，会受到下一层垫片30的阻挡，从而进一步加强垫片30的阻挡作用。

每一垫片30的多个通孔31的面积和占垫片30的面积的30-50％，例如30％、40％或50％。

坩埚本体10内底层的垫片30、顶层的垫片30的通孔31密度中至少一层垫片30大于底层的垫片30与顶层的垫片30之间的垫片30的通孔31密度。其中，底层的垫片30定义为最靠近坩埚本体10底部的垫片30，顶层的垫片30定义为最靠近坩埚本体10顶部的垫片30，通孔31密度定义为每一垫片30上的通孔31的数量。

坩埚本体10内设置的底层的垫片30、顶层的垫片30的通孔31的直径范围为3-5毫米，例如，3毫米、4毫米或5毫米。底层的垫片30与顶层的垫片30之间的垫片30的通孔31的直径范围为5-10毫米，例如5毫米、8毫米或10毫米。

可选的，同一垫片30中的通孔31的直径都相同。

可选的，同一垫片30中包含多种不同直径的通孔31，例如，在同一垫片30中，一部分通孔31的直径为3毫米，一部分通孔31的直径为4毫米，其它部分通孔31的直径为5毫米。

可选的，多个不同直径的通孔31可以规律性排列，亦可以无规律性排列，在此，不作限定。

可选的，底层的垫片30的通孔31密度与顶层的垫片30的通孔31密度相等，底层的垫片30与顶层的垫片30之间的垫片30的通孔31密度均相等。

本实施方式中，坩埚本体10内间隔设置的垫片30层数为4层，包括自下而上设置的第一层垫片30、第二层垫片30、第三层垫片30以及第四层垫片30，其中，第一层垫片30为底层的垫片30，第四层垫片30为顶层的垫片30，第一层垫片30、第四层垫片30的通孔31密度均大于第二层垫片30、第三层垫片30的通孔31密度。

可以理解，坩埚本体10内设置的底层的垫片30与蒸镀材料最为接近，当蒸镀材料在加热条件下汽化时，气流的压力比较大，所含的杂质在气流的作用下易跟随气流往上移动，该垫片30的通孔31密度较大，且通孔31的直径较小，能阻挡大部分固体杂质往上移动；坩埚本体10内设置的顶层的垫片30是最后一层用于阻挡杂质的垫片30，经过多层垫片30过滤后，可能还有部分杂质随着气流穿过通孔31往上移动，该垫片30的通孔31密度较大，且通孔31的直径较小，能进一步将往上移动的杂质阻挡住；底层的垫片30与顶层的垫片30之间的垫片30通孔31密度设置的较小，且通孔31的直径较大，以便于汽化后蒸镀材料的气流能够正常往上移动，同时过滤部分固体杂质。

可以理解，底层的垫片30与坩埚底部之间的距离大于蒸镀材料所堆积的高度，以使得蒸镀材料有足够的容纳空间，不会触到底层的垫片30。

在一实施方式中，蒸镀坩埚100还包括多个支撑件50，多个支撑件50可拆卸地设置于坩埚本体10内，每一垫片30置于对应的支撑件50上。

本实施方式中，支撑件50为支撑环，支撑环为中空的圆柱体，该支撑环的外径与坩埚本体10的侧壁的内径相等，以使得支撑环能够稳固地设置于坩埚本体10内。

可选的，多个支撑件50的高度相同，以使得相邻的垫片30之间的距离相等。

可选的，多个支撑件50的高度自下而上依次减小，以使相邻的两层垫片30之间的距离自下而上依次减小。

在其它实施方式中，支撑件50还可以为支架。

可选的，垫片30的材料、支撑件50的材料与蒸镀坩埚100的材料相同，例如金属钛。

当需要蒸镀时，将用于支撑底层的垫片30的支撑件50置于坩埚本体10的底部，将蒸镀材料装填至坩埚本体10内，随后将底层的垫片30置于支撑件50上，再重复放置支撑件50、垫片30，当垫片30层数达到需要的层数时，无需在垫片30上再放置支撑件50。

本发明实施方式还提供一种蒸镀装置，该蒸镀装置包括蒸镀坩埚100，该蒸镀坩埚100与上述蒸镀坩埚100的结构一致，在此不再赘述。

区别于现有技术，本发明实施方式提供的蒸镀坩埚100包括坩埚本体10，用于容纳蒸镀材料；至少两层垫片30，间隔设置于坩埚本体10内，每一垫片30贯通开设多个通孔31，以使得蒸镀材料汽化后顺利通过垫片，并阻挡蒸镀材料中的固体杂质。通过在坩埚本体10内部间隔设置至少两层垫片30，且每一层垫片30贯通开设有多个通孔31，如此，在加热过程中，坩埚本体10内的蒸镀材料在达到一定温度时，发生汽化，随着垫片30中的通孔31而往上流动，而对待加工产品进行蒸镀，而蒸镀材料中所含杂质则保持为固体颗粒，受到气流的影响向上移动时，因垫片30未开孔区域的阻挡作用，使得固体杂质无法继续向上移动，即使穿过通孔31，则会再次受到下一层垫片30的阻挡作用或重力作用而下降，从而将杂质过滤掉，在蒸镀过程中，能够有效避免了氧固体杂质蒸镀到待加工产品上，从而有效提高良品率。

以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。