1.一种研磨带，其特征在于，包括：基膜层和研磨层，其中，所述研磨层固定于所述基膜层的表面，所述研磨层包括多个二氧化硅磨粒，所述二氧化硅磨粒的粒径在10～1000nm的范围内，并且所述研磨层的厚度为2～15um。
2.如权利要求1所述的研磨带，其特征在于，
所述二氧化硅磨粒的粒径在50～500nm的范围内。
3.如权利要求2所述的研磨带，其特征在于，
所述二氧化硅磨粒的粒径在100～200nm的范围内。
4.如权利要求1-3中任一项所述的研磨带，其特征在于，
所述研磨层的厚度为5～15um。
5.如权利要求4所述的研磨带，其特征在于，
所述研磨层的厚度为5～10um。
6.如权利要求4所述的研磨带，其特征在于，
所述基膜层的表面设置有多个凹槽，所述凹槽相互平行；
多个所述二氧化硅磨粒均设置于所述基膜层表面，并且多个所述二氧化硅磨粒均位于所述凹槽的两侧。
7.如权利要求6所述的研磨带，其特征在于，
所述基膜层包括基膜层本体和凸出部，所述凸出部有多个，分别固定于所述基膜层本体的表面，同一表面上相邻的两个所述凸出部之间形成所述凹槽,多个所述凸出部之间相互平行，从而使得多个所述凹槽之间相互平行。
8.如权利要求7所述的研磨带，其特征在于
所述研磨层中的二氧化硅磨粒均固定于所述凸出部，并且所述二氧化硅磨粒在一个所述凸出部上排成一行。
9.如权利要求8所述的研磨带，其特征在于，
所述研磨层包括第一研磨层和第二研磨层，所述第一研磨层和第二研磨层分别设置于所述基膜层的上下表面；
所述第一研磨层中的各个所述二氧化硅磨粒的粒径相等，所述第二研磨层中的各个所述二氧化硅磨粒的粒径相等；并且所述第一研磨层中的二氧化硅磨粒的粒径大于所述第二研磨层中的二氧化硅磨粒的粒径。
10.如权利要求8所述的研磨带，其特征在于，
所述研磨层包括第一研磨层和第二研磨层，所述第一研磨层和第二研磨层分别设置于所述基膜层的上下表面；
所述第一研磨层包括第一二氧化硅磨粒和第二二氧化硅磨粒，相邻的两个所述凸出部分别固定有第一二氧化硅磨粒和第二二氧化硅磨粒，并且一个所述凸出部只固定有第一二氧化硅磨粒或第二二氧化硅磨粒中的一种；
所述第二研磨层包括第三二氧化硅磨粒和第四二氧化硅磨粒，相邻的两个所述凸出部分别固定有第三二氧化硅磨粒和第四二氧化硅磨粒，并且一个所述凸出部只固定有第三二氧化硅磨粒或第四二氧化硅磨粒中的一种。
11.如权利要求8所述的研磨带，其特征在于，
所述研磨层包括第一研磨层和第二研磨层，所述第一研磨层和第二研磨层分别设置于所述基膜层的上下表面；
所述第一研磨层和第二研磨层中二氧化硅磨粒的粒径相等。