本实用新型涉及有机发光二极管显示技术领域，具体涉及一种减少蒸镀速率波动的线性蒸镀源喷嘴结构。
背景技术：
有机电激发光器件(Organic Light-Emitting Diode,OLED)由于同时具有独特的自发光性、广视角、高对比、高亮度、低功耗、响应速度快和面板厚度薄等优点，已成为目前平面显示器行业最热门的技术之一。OLED器件的核心部分由阳极金属膜层、有机材料膜层以及阴极金属膜层构成。通常，有机材料膜层蒸镀使用的蒸发源是线性蒸发源。有机材料在线性蒸发源的坩埚中通过电阻丝加热，经过内板(Inner Plate)和喷嘴(Nozzle)后均匀地蒸发出来。目前使用的线性源喷嘴大多采用的是直立型的圆柱型喷嘴，石英晶振片监测的速率是其中的一个喷嘴(近坩埚左侧)喷出的材料的蒸发速率。有机材料从直立型圆柱喷嘴蒸出基本蒸镀到LTPS基板上，只有少部分蒸镀到石英晶振片上被晶振监测到。在线性源蒸镀扫描过程中，由于一些有机材料是蓬松型材料，时间长容易在喷嘴处聚集堵塞喷嘴，加之线性源蒸镀扫描过程中易出现真空波动，这些因素都会导致石英晶振片监测的蒸镀速率容易出现波动。蒸镀速率一旦出现波动，需要长时间才能稳定，这时生产短时间将会停止，影响生产节拍。此外，蒸镀速率的波动也会导致有机材料层膜厚均匀性变差进而使器件的性能受到较大的影响。
技术实现要素：
本实用新型提供一种减少蒸镀速率波动的线性蒸镀源喷嘴结构，解决了减少线性蒸发源扫描过程中的速率波动，同时改善蒸镀有机膜层的膜厚均匀性的技术问题。
为了解决上述技术问题，本实用新型所采取的技术方案为：
本实用新型提供一种减少蒸镀速率波动的线性蒸镀源喷嘴结构，在所述线性蒸镀源喷嘴结构的上方设置有低温多晶硅基板，在所述线性蒸镀源喷嘴结构的侧方设置有石英晶振片，所述线性蒸镀源喷嘴结构由至少八个喷嘴排列而成，其中位于中间的喷嘴为直立喷嘴，所述直立喷嘴的喷嘴口朝向所述低温多晶硅基板；位于两侧的至少各一个喷嘴为向外侧倾斜的倾斜喷嘴，所述倾斜喷嘴的喷嘴口朝向所述石英晶振片。
进一步地，所述倾斜喷嘴的倾斜角度为10～45°。
更进一步地，所述倾斜喷嘴的倾斜角度根据倾斜喷嘴口与所述石英晶振片的位置对应关系设置。
进一步地，所述直立喷嘴为圆柱体喷嘴。
较佳地，所述线性蒸镀源喷嘴结构包括六至八个直立喷嘴和位于所述直立喷嘴两侧的各一个倾斜喷嘴。
进一步地，从所述直立喷嘴和倾斜喷嘴中喷出的材料为蓬松型有机材料。
本实用新型将线性蒸镀源喷嘴外围的喷嘴设置为向外倾斜一定角度的结构，使得中间用于LTPS基板蒸镀用直立圆柱喷嘴喷出的材料不蒸镀到石英晶振片上，只进入LTPS基板蒸镀范围(基板蒸镀作用)；两侧倾斜的监测速率用喷嘴蒸出的材料蒸镀到石英晶振片上(监测速率作用)。这样，石英晶振片只通过专用的两侧倾斜喷嘴来监控材料的实际蒸发速率，与用于将材料蒸发到LTPS基板的直立喷嘴互不干涉，从而减少因为中间用于LTPS基板蒸镀的直立圆柱喷嘴堵孔以及真空波动导致线性蒸发源扫描过程中的速率波动，同时有助于改善蒸镀膜层的膜厚均匀性。
附图说明
图1是本实用新型减少蒸镀速率波动的线性蒸镀源喷嘴结构的主视图；
图2是本实用新型减少蒸镀速率波动的线性蒸镀源喷嘴结构的俯视图。
具体实施方式
下面结合附图具体阐明本实用新型的实施方式，附图仅供参考和说明使用，不构成对本实用新型专利保护范围的限制。
实施例1：
如图1所示，本实用新型的实施例涉及一种减少蒸镀速率波动的线性蒸镀源喷嘴结构，在所述线性蒸镀源喷嘴结构的上方设置有低温多晶硅LTPS玻璃基板11，在所述线性蒸镀源喷嘴结构的侧方设置有石英晶振片12，所述石英晶振片利用压电效应和质量负荷效应监测蒸镀材料的蒸发速率。所述线性蒸镀源喷嘴结构由至少八个喷嘴排列而成，在本实施例中，所述线性蒸镀源喷嘴结构包括位于中间的八个直立喷嘴2-9和位于所述直立喷嘴两侧的各一个倾斜喷嘴1,10。所述直立喷嘴2-9的喷嘴口朝向所述低温多晶硅玻璃基板11，作为LTPS基板蒸镀专用喷嘴；位于两侧的至少各一个喷嘴1,10为向外侧倾斜的倾斜喷嘴，所述倾斜喷嘴1,10的喷嘴口朝向所述石英晶振片12，作为石英晶振片监测蒸镀速率专用喷嘴。
在本实施例中，所述倾斜喷嘴1,10的倾斜角度为10～45°。
所述倾斜喷嘴1,10的倾斜角度根据倾斜喷嘴口与所述石英晶振片的位置对应关系设置。
所述直立喷嘴2-9为圆柱体喷嘴。
在本实施例中，从所述直立喷嘴2-9和倾斜喷嘴1,10中喷出的材料为蓬松型有机材料或其他有机材料。
在AMOLED器件蒸镀生产过程中，经常由于各种因素导致喷嘴喷出的材料蒸镀到石英晶振片上质量发生变化，从而导致晶振监控的速率发生波动。长时间等待速率稳定会造成产能和材料的浪费，并且速率波动对膜厚均匀性以及产品性能有较大影响。本实用新型的稳定监控蒸镀速率的线性蒸发源喷嘴结构会减少线性源扫描过程中的速率波动现象，保障器件性能、改善膜厚均匀性、优化生产节拍和提高材料利用率。
以上所揭露的仅为本实用新型的较佳实施例，不能以此来限定本实用新型的权利保护范围，因此依本实用新型申请专利范围所作的等同变化，仍属本实用新型所涵盖的范围。