1.一种低电阻泡沫金属的制备方法，其特征在于：以聚氨酯泡沫为骨架，在聚氨酯泡沫上采用磁控溅射工艺制备Ni-Al-Ni三层结构复合膜，其中，聚氨酯泡沫骨架上Ni-Al-Ni复合膜的厚度为20~30μm。
2.根据权利要求1所述的一种低电阻泡沫金属的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一、取聚氨酯泡沫进行预处理：清洗，并在KOH溶液中浸泡10~20min，然后采用去离子水清洗后，置于酒精中超声波清洗3~5min；
步骤二、在磁控溅射镀膜机上安装两块Al靶材，一块Ni靶材；
步骤三、以步骤一的聚氨酯泡沫为基片，在聚氨酯泡沫上镀打底Ni膜层；之后在打底Ni膜层上镀Al膜层，并在Al膜层上镀外Ni膜层。
3.根据权利要求2所述的一种低电阻泡沫金属的制备方法，其特征在于：步骤三中，打底Ni膜层和外Ni膜层的厚度均为50~100nm。
4.根据权利要求2所述的一种低电阻泡沫金属的制备方法，其特征在于：步骤三中，采用磁控溅射镀膜机镀Ni的参数为：功率为200~300W，气压为0.5~1Pa，偏压为50~200W。
5.根据权利要求2所述的一种低电阻泡沫金属的制备方法，其特征在于：步骤三采用双靶磁控溅射共沉积法镀Al膜层，功率为300~500W，气压为0.5~1Pa，偏压为50~200W，时间为6h。
6.根据权利要求5所述的一种低电阻泡沫金属的制备方法，其特征在于：设定自动工艺，功率每隔1h，直流电源有30~50W的上下移动。
7.根据权利要求5所述的一种低电阻泡沫金属的制备方法，其特征在于：双靶磁控溅射共沉积法的真空度保持在4.0×10-5 Pa以下。