一种纳米氧化物弥散强化Cu-Ti合金及其制备方法与流程

文档序号:15514814发布日期:2018-09-25 17:35阅读:443来源:国知局
本发明金属材料
技术领域
,具体涉及一种纳米氧化物弥散强化cu-ti合金,还涉及纳米氧化物弥散强化cu-ti合金的制备方法。
背景技术
:cu-ti合金因其较高的强度、硬度和优良的耐磨、耐疲劳和耐蚀性能,可用来制造高强高弹耐磨的弹性元件,是最有潜力替代铍青铜的材料之一。但由于ti原子固溶到铜基体后,对电子的散射作用显著降低了cu-ti合金导电性,从而限制了cu-ti合金的广泛应用。目前常用的方法是在cu-ti合金中添加第三元素,形成金属间化合物,减少ti在cu基体中的固溶。但是,该方法对导电性的改善并不十分显著。纳米氧化物团簇具有优异的热稳定性以及化学稳定性,且高密度的纳米团簇可强烈钉扎位错,大幅提高合金的力学性能,改善材料的应力松弛、疲劳特性和高温使用性能等。将y2o3添加到cu-ti合金中,y2o3可在高能球磨中分解为y原子和o原子,o-空位吸引对o有亲和力的ti原子和y原子,形成在基体中均匀分布的y-ti-o纳米团簇。此纳米团簇可以有效减少ti元素在cu基体中的固溶量,提高cu-ti合金的导电性。因此,利用这种制备方法有望提高cu-ti合金的导电性并改善cu-ti合金的力学性能,为获得综合性能优良的cu-ti合金提供新思路,具有重要的工程意义与实用价值。技术实现要素:本发明的目的是提供一种纳米氧化物弥散强化cu-ti合金,解决了现有cu-ti合金导电率低的问题。本发明的目的还在于提供一种纳米氧化物弥散强化cu-ti合金的制备方法,本发明所采用的第一种技术方案是,一种纳米氧化物弥散强化cu-ti合金,按质量百分比由以下组分组成:cu94-97.5%、ti2-4%,y2o30.5-2%,以上各组分质量百分比之和为100%。本发明所采用的第二种技术方案是,一种纳米氧化物弥散强化cu-ti合金的制备方法,具体操作步骤如下:步骤1,粉末的配比按照质量百分比分别称取如下材料:cu粉94-97.5%,ti粉2-4%,y2o3粉0.5-2%,以上各组分质量百分比之和为100%;步骤2,高能球磨将cu粉、ti粉和y2o3粉放入球磨机中进行球磨,并加入无水乙醇、通入保护气体氩气进行高能球磨,得到球磨混粉;步骤3,压制将球磨混粉进行冷压,形成压坯;步骤4,热压烧结将压坯置入热压烧结炉中,通入氢气作为保护气体,升温至900-1000℃,保温时间2-3h,压强为30-35mpa,保温结束后随炉自然冷却至室温,即可获得纳米氧化物弥散强化cu-ti合金。本发明的特点还在于,步骤2球磨球料比为10:1,转速为300-500rpm,球磨时间为70-75h。步骤3的冷压压强为200-250mpa,保压30s,压坯尺寸为φ21mm×7mm。步骤1的ti粉平均粒径为45-55μm、纯度不小于99.9%。步骤1的cu粉平均粒径为40-50μm、纯度不小于99.9%。步骤1的y2o3粉平均粒径为45-55μm、纯度大于99.5%。本发明的有益效果是,本发明的一种纳米氧化物弥散强化cu-ti合金,通过在cu-ti合金中添加携氧剂y2o3,形成在基体中均匀分布的y-ti-o纳米团簇,提高了cu-ti合金的组织均匀性,使合金弥散强化作用更为显著,而且极大地提高了cu-ti合金的导电率,得到了综合性能优良的纳米氧化物弥散强化cu-ti合金。附图说明图1是本发明一种纳米氧化物弥散强化cu-ti合金的制备方法流程图;图2是本发明一种纳米氧化物弥散强化cu-ti合金热压烧结后的透射电镜照片。图3是本发明一种纳米氧化物弥散强化cu-ti合金热压烧结后的选区电子衍射图谱;图4是本发明一种纳米氧化物弥散强化cu-ti合金热压烧结结晶型y2ti2o7粒子的透射电镜照片。具体实施方式本发明提供的一种纳米氧化物弥散强化cu-ti合金的制备方法具体流程如图1所示,操作步骤如下:步骤1,称取原材料按质量百分比分别称取如下材料:平均粒径为40-50μm、纯度不小于99.9%的cu粉94-97.5%,平均粒径为45-55μm、纯度不小于99.9%的ti粉2-4%,平均粒径为45-55μm,纯度不小于99.5%的y2o3粉0.5-2%,以上各组分质量百分比之和为100%;步骤2,高能球磨将所述cu粉、ti粉和y2o3粉放在球磨机中,并加入无水乙醇、通入保护气体氩气进行高能球磨,球磨的球料比为10:1,转速为300-500rpm,球磨时间为70-75h,得到球磨混粉;步骤3,压制将所述球磨混粉进行冷压,冷压压强为200-250mpa,保压30s,所述压坯尺寸为φ21mm×7mm形成压坯;步骤4,热压烧结将所述压坯置入热压烧结炉中,通入氢气作为保护气体,升温至900-1000℃,保温时间2-3h,压强为30-35mpa,保温结束后随炉自然冷却至室温,即可获得高强高导cu-ti合金。下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。实施例1步骤1,称取原材料按质量百分比分别称取如下材料:平均粒径为40μm、纯度不小于99.9%的cu粉97.5%,平均粒径为45μm、纯度不小于99.9%的ti粉2%,平均粒径为45μm,纯度不小于99.5%的y2o3粉0.5%;步骤2,高能球磨将所述cu粉、ti粉和y2o3粉放在球磨机中,并加入无水乙醇、通入保护气体氩气进行高能球磨,球磨的球料比为10:1,转速为300rpm,球磨时间为70h,得到球磨混粉;步骤3,压制将所述球磨混粉进行冷压,冷压压强为200mpa,保压30s,形成压坯,所述压坯尺寸为φ21mm×7mm;步骤4,热压烧结将所述压坯置入热压烧结炉中,通入氢气作为保护气体,升温至900℃,保温时间2h,压强为30mpa,保温结束后随炉自然冷却至室温,即可获得高强高导cu-ti合金。经测试,合金导电率、硬度和弹性模量分别为38%iacs、225hv和137gpa。实施例2步骤1,称取原材料按质量百分比分别称取如下材料:平均粒径为50μm、纯度不小于99.9%的cu粉94%,平均粒径为55μm、纯度不小于99.9%的ti粉4%,平均粒径为55μm,纯度不小于99.5%的y2o3粉2%,以上各组分质量百分比之和为100%;步骤2,高能球磨将所述cu粉、ti粉和y2o3粉放在球磨机中,并加入无水乙醇、通入保护气体氩气进行高能球磨,球磨的球料比为10:1,转速为500rpm,球磨时间为75h,得到球磨混粉;步骤3,压制将所述球磨混粉进行冷压,冷压压强为250mpa,保压30s,形成压坯,所述压坯尺寸为φ21mm×7mm;步骤4,热压烧结将所述压坯置入热压烧结炉中,通入氢气作为保护气体,升温至1000℃,保温时间3h,压强为30-35mpa,保温结束后随炉自然冷却至室温,即可获得高强高导cu-ti合金。经测试,合金导电率、硬度和弹性模量分别为48%iacs、250hv和142gpa。实施例3步骤1,称取原材料按质量百分比分别称取如下材料:平均粒径为45μm、纯度不小于99.9%的cu粉96.5%,平均粒径为50μm、纯度不小于99.9%的ti粉2%,平均粒径为50μm,纯度不小于99.5%的y2o3粉1.5%,以上各组分质量百分比之和为100%;步骤2,高能球磨将所述cu粉、ti粉和y2o3粉放在球磨机中,并加入无水乙醇、通入保护气体氩气进行高能球磨,球磨的球料比为10:1,转速为400rpm,球磨时间为72h,得到球磨混粉;步骤3,压制将所述球磨混粉进行冷压,冷压压强为225mpa,保压30s,形成压坯,所述压坯尺寸为φ21mm×7mm;步骤4,热压烧结将所述压坯置入热压烧结炉中,通入氢气作为保护气体,升温至950℃,保温时间2.5h,压强为33mpa,保温结束后随炉自然冷却至室温,即可获得高强高导cu-ti合金。经测试,合金导电率、硬度和弹性模量分别为45%iacs、235hv和140gpa。实施例4步骤1,称取原材料按质量百分比分别称取如下材料:平均粒径为45μm、纯度不小于99.9%的cu粉95%,平均粒径为50μm、纯度不小于99.9%的ti粉3%,平均粒径为50μm,纯度不小于99.5%的y2o3粉2%;步骤2,高能球磨将所述cu粉、ti粉和y2o3粉放在球磨机中,并加入无水乙醇、通入保护气体氩气进行高能球磨,球磨的球料比为10:1,转速为300rpm,球磨时间为70h,得到球磨混粉;步骤3,压制将所述球磨混粉进行冷压,冷压压强为250mpa,保压30s,形成压坯,所述压坯尺寸为φ21mm×7mm;步骤4,热压烧结将所述压坯置入热压烧结炉中,通入氢气作为保护气体,升温至1000℃,保温时间2h,压强为30mpa,保温结束后随炉自然冷却至室温,即可获得高强高导cu-ti合金。经测试,合金导电率、硬度和弹性模量分别为50%iacs、245hv和143gpa。实施例5步骤1,称取原材料按质量百分比分别称取如下材料:平均粒径为45μm、纯度不小于99.9%的cu粉96%,平均粒径为50μm、纯度不小于99.9%的ti粉3%,平均粒径为50μm,纯度不小于99.5%的y2o3粉1%,以上各组分质量百分比之和为100%;步骤2,高能球磨将所述cu粉、ti粉和y2o3粉放在球磨机中,并加入无水乙醇、通入保护气体氩气进行高能球磨,球磨的球料比为10:1,转速为350rpm,球磨时间为70-75h,得到球磨混粉;步骤3,压制将所述球磨混粉进行冷压,冷压压强为240mpa,保压30s,形成压坯,所述压坯尺寸为φ21mm×7mm;步骤4,热压烧结将所述压坯置入热压烧结炉中,通入氢气作为保护气体,升温至950℃,保温时间3h,压强为35mpa,保温结束后随炉自然冷却至室温,即可获得高强高导cu-ti合金。经测试,合金导电率、硬度和弹性模量分别为40%iacs、230hv和139gpa。图2是本发明纳米氧化物弥散强化cu-ti合金的透射电镜照片。图3是本发明纳米氧化物弥散强化cu-ti合金的选区电子衍射图谱,标定结果与pdf卡片中y2ti2o7的数据相一致,其中(222)晶面、(400)晶面、(440)晶面和(622)晶面在图中已标出。图4是本发明纳米氧化物弥散强化cu-ti合金y2ti2o7颗粒的高分辨照片,完全结晶型的y2ti2o7颗粒呈近球形,颗粒内部为原子规则排列的晶体。本发明所制备的纳米氧化物弥散强化cu-ti合金,与传统电弧熔炼所制备的cu-ti合金相比,本发明制备的cu-ti合金组织更加均匀,合金导电性能得到明显改善,综合性能优良。实施例与传统的电弧熔炼方法所制备的cu-ti合金性能参数如表1所示表1实施例与传统制备的cu-ti合金性能参数比较样品名称导电率/%iacs硬度/hv实施例248250实施例550245传统电弧熔炼制备的cu-ti合金28210由实施例2和实施例5可以明显看出,本发明制备纳米氧化物弥散强化cu-ti合金具有优异的导电率和硬度。与传统电弧熔炼制备的cu-ti合金相比,实施例2制备的纳米氧化物弥散强化cu-ti合金导电率和硬度分别提高了41.67%和16%。实施例5的制备的纳米氧化物弥散强化cu-ti合金导电率和硬度分别提高了44%和14.28%。本发明制备的纳米氧化物弥散强化cu-ti合金可广泛应用于仪器仪表、航空航天、计算机技术和通讯技术等领域。当前第1页12
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