真空装置和具备该真空装置的成膜系统的制作方法

本实用新型涉及一种真空装置和具备该真空装置的成膜系统。

背景技术：

在通过蒸镀、溅射等真空工序对基板进行成膜的成膜系统中，在向成膜系统的内部搬入基板时，为了从大气压进行真空排气而使用负载锁定室。作为负载锁定室，以往，公知有如下的专利文献1所示的结构。该负载锁定室如图7(俯视图)所示，在基板401的成膜面沿重力方向竖直地配置在负载锁定室内的状态下，由多个真空泵412、414、416、418进行真空排气。在负载锁定室的侧壁402上配置有真空口404和真空口406，在与侧壁402相向的侧壁403上配置有真空口408和真空口410。真空口404与真空口408分别被配置在相向的侧壁的相向位置，真空口406与真空口410分别被配置在相向的侧壁的相向位置。各真空口404、406、408、410分别连接于真空泵412、 414、416、418。在负载锁定室为大气气氛下将基板搬入该负载锁定室，利用各真空泵经由各真空口对负载锁定室进行排气。

现有技术文献

专利文献1：日本特表2012-501549

在从负载锁定室的侧面进行排气的情况下，由于负载锁定室的侧面的面积小，需要将排气口配置多个。此时，如专利文献1那样，在多个排气口位于相向的位置的情况下，存在排气效率变差这样的课题。

技术实现要素：

本实用新型正是为了解决上述课题而提出的，其主要目的在于提供一种在从负载锁定室的侧面进行排气时能够提高排气效率的真空装置和具备该真空装置的成膜系统。

为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案如下：

一种真空装置，具有腔室和被配置在所述腔室内的、支承基板的基板支承部，其特征在于，

所述腔室在与由所述基板支承部支承的所述基板的侧面相向的侧壁上具有多个排气口，

所述腔室的侧壁包括隔着所述基板支承部而相互相向的两个相向面，

所述多个排气口分别与由所述基板支承部支承的所述基板的侧面相向，且与排气泵连接，

设于所述侧壁的一方的相向面的排气口与所述侧壁的另一方的相向面相向。

优选的是，所述基板支承部以所述基板的处理面成为上表面或下表面的方式支承所述基板。

优选的是，所述多个排气口中的至少两个排气口被配置在所述腔室的侧壁的所述一方的相向面上。

优选的是，在所述另一方的相向面上不配置排气口。

优选的是，所述腔室在与由所述基板支承部支承的所述基板的表面或背面相向的壁上具有第二排气口，

所述第二排气口连接于为了在利用所述排气泵将所述腔室内从大气状态排气成减压状态之后进一步使所述腔室内的压力降低而使用的高真空用泵。

优选的是，所述排气泵是干式泵，所述高真空用泵是涡轮分子泵。

优选的是，所述多个排气口共同连接于一个所述排气泵或分别连接于不同的所述排气泵。

优选的是，所述排气泵将所述腔室内从大气状态排气成减压状态。

优选的是，所述腔室的侧壁包括四个面，该四个面由所述两个相向面和分别设有基板的搬入搬出口的彼此相向的一对侧面组成。

优选的是，所述多个排气口与所述第二排气口相比，在真空处理的上下游的方向上位于上游侧。

此外，本实用新型另一技术方案如下：

一种成膜系统，其特征在于，

具备包括搬送室和多个成膜室在内的集束型成膜装置、和上述技术方案中任一项所述的真空装置，

所述真空装置的腔室连接于所述搬送室。

实用新型效果

根据本实用新型的真空装置，由于排气口被配置在侧壁的不相向的位置，所以能够提高排气效率。

附图说明

图1是示意性地表示本实用新型的成膜系统的局部结构的图。

图2是示意性地表示本实用新型的实施例1的真空装置的立体图。

图3是示意性地表示本实用新型的实施例1的变形例的真空装置的侧视图。

图4是示意性地表示本实用新型的实施例2的真空装置的立体图。

图5是示意性地表示本实用新型的实施例2的变形例的真空装置的侧视图。

图6是示意性地表示本实用新型的实施例3的真空装置的俯视剖视图。

图7是表示现有技术的说明图。

附图标记说明

10：真空装置；11：腔室；12：排气机构；110：侧壁；120：排气口；121：排气阀；122：排气泵；130：高真空用排气口(第二排气口)；131：高真空用排气阀；132：高真空用排气泵。

具体实施方式

以下，参照附图说明本实用新型的优选的实施方式以及实施例。但以下的实施方式以及实施例仅例示地表示本实用新型的优选的结构，本发明的范围不受这些结构的限定。此外，以下的说明中的、装置的硬件结构以及软件结构、处理流程、制造条件、尺寸、材质、形状等只要没有特别特定的记载，本发明的范围就不限定于它们。

[成膜系统局部结构的概述]

图1是示意性地表示本实用新型的成膜系统的局部结构的图。本实用新型的成膜系统是具备在真空下进行成膜的真空成膜室，并在基板上形成包括至少一层薄膜的膜的系统。作为成膜系统具备的真空成膜室，没有特别限定，既可以是真空蒸镀室，也可以是溅射室。典型的本实用新型的成膜系统是具备多个真空蒸镀室，并在各自的真空蒸镀室中对有机层或无机层(金属层或金属氧化物层)依次进行成膜的成膜系统，是制造有机发光元件(OLED)、有机光电变换元件等电子器件的制造装置。本实用新型的成膜系统如图1所示，具有负载锁定 (LL)室(LC01、LC02)。LL室位于成膜系统的上游侧，是为了在内部被维持成真空的成膜系统与大气压气氛的外部空间之间交换成膜对象的基板而使用的。具体而言，在使LL室的内部成为大气压之后打开LL室的上游侧的门，将基板搬入LL室。之后，关闭LL室的上游侧的门，由连接于LL室的排气部件对LL室的内部进行减压，成为真空。之后，打开LL室的下游侧的门，由连接于LL室的下游侧的搬送室(TR00)所具有的搬送机器人(未图示)搬送基板。由搬送机器人搬送的基板在真空处理室PC0A、PC0B、PC0C和PC0D 中被处理后，经由下游侧的缓冲室(BC01)被搬入到旋转室(TC01)。另外，在此，真空处理室PC0A～PC0D分别是用于对基板进行前处理的真空处理室，但是不限定于此，也可以是用于对基板进行成膜处理的真空处理室(真空成膜室)。被搬入到旋转室(TC01)的基板经由交接室(PS01)进一步向被配置在下游侧的真空成膜室(未图示) 搬送。

[实施例1]

图2是示意性地表示本实用新型的实施例1的真空装置的立体图。图3是示意性地表示本实用新型的实施例1的变形例的真空装置的侧视图。在图2中，真空装置10具备腔室11、被配置在所述腔室 11内的基板设置台(未图示)和两个排气机构12，其中，腔室11具备侧壁110，该侧壁包括四个面，该四个面由两个相向的侧面110A和 110C和分别设有基板的搬入搬出口的彼此相向的两个成为一组的侧面110B和110D组成。基板设置台将基板(未图示)支承成，使基板的上表面或下表面成为处理面，作为基板支承部发挥功能。两个排气机构12分别具备：排气阀121，连接于设于侧面110A的排气口120；以及排气泵122，通过配管连接于排气阀121。两个排气口120均设于侧面110A，在作为与侧面110A相向的面的侧面110C上不设置排气口。从设于侧面110B和110D上的基板的搬入搬出口(未图示)将基板搬入到真空装置的腔室内，利用排气泵122经由排气阀121和排气口120，对腔室内进行减压。在此，每个排气机构12分别具备排气泵 122，但是也可以由两个排气机构12共同使用一个排气泵。此外，图示的排气机构12为两个，也可以设置为多个。

作为图2(实施例1)的变形例，也可以如图3所示，在腔室的底面、即与载置于基板设置台的基板的基板面相反的位置进一步设置高真空用排气口130。在本变形例中，在该高真空用排气口130连接高真空用排气阀131和高真空用泵132。高真空用泵132是为了在利用排气泵122将腔室11内从大气状态排气成减压状态之后进一步使所述腔室11内成为压力更低的状态而使用的泵。即，排气口120是粗真空抽吸用的排气口，高真空用排气口130是高真空抽吸用的排气口。在图3中，在侧视时，高真空用排气口130设于两个排气口120之间。

在此，所述排气泵122例如可以是干式泵，所述高真空用泵132 例如可以是涡轮分子泵。在使用粗真空抽吸用的排气口从大气压气氛进行减压时，若排气口配置在与基板的基板面相向的位置，则基板破损的可能性高，因此，粗真空抽吸用的排气口优选配置在与基板的侧面相向的位置。由此，能够抑制基板的破损。另一方面，高真空用排气口从某种程度的减压的状态起开始排气，因此，即使配置在与基板的侧面相向的位置，基板破损的可能性也不高。因此，如图3所示的变形例那样，通过在腔室11的底面配置高真空用排气口，能够更有效地使腔室11的内部成为高真空状态。

[实施例2]

图4是示意性地表示本实用新型的实施例2的真空装置的立体图。图5是示意性地表示本实用新型的实施例2的变形例的真空装置的侧视图。

如图4所示，将多个排气口中的一个排气口120A设于侧面110A，并将另一个排气口120C设于侧面110C，且使两个排气口不对置。即，在实施例中，设于一方的侧壁的排气口与另一方的侧壁的未设有排气口的部分相向。

其它结构与实施例1相同，因此这里省略说明。

在此，每个排气机构12分别具备排气泵122，但是也可以由两个排气机构12共同使用一个排气泵。此外，图示的排气机构12为两个，也可以设置为多个。

作为图4(实施例2)的变形例，也可以如图5所示，在腔室的底面进一步设置高真空用排气口130，并与该高真空用排气口130相对应地连接高真空用排气阀131和高真空用泵132，所述高真空用泵是为了在利用排气泵122将腔室11内从大气状态排气成减压状态之后进一步使所述腔室11内成为压力更低的状态而使用的泵。在图5中，在侧视时，高真空用排气口130设于两个排气口120A与120C之间。

在此，所述排气泵122例如可以是干式泵，所述高真空用泵132 例如可以是涡轮分子泵。需要说明的是，在此之所以将粗真空用排气口设于侧壁而将高真空用排气口设于腔室的底面的理由，与实施例1 的变形例相同。

[实施例3]

图6是示意性地表示本实用新型的实施例3的真空装置的俯视剖视图。图6记载的真空装置与图3和图5不同的是，沿着基板被搬送的方向，高真空用排气口130不是位于两个排气口120之间，而是位于两个排气口120的下游侧。之所以这样设置，是考虑到之后的基板成膜工序是在高真空下进行的，因此，在负载锁定室中，将高真空用排气口设置于越靠近下游侧，越能够保证在接下来的处理中气氛的高真空度。

在此，与之前所述相同，所述排气泵122例如可以是干式泵，所述高真空用泵132例如可以是涡轮分子泵。

并且，在实施例3的真空装置中，上游侧的排气口120与排气阀121之间的距离d1比下游侧的排气口120与排气阀121之间的距离d2大。即，连接上游侧的排气口120与排气阀121的配管的长度比连接下游侧的排气口120与排气阀121的配管的长度长。由此，在将多个LL室从大致相同的方向连接于一个真空室(例如搬送室) 的情况下，能够抑制装置大型化。

需要说明的是，以上实施方式以及实施例和变形例均是本实用新型优选的实施方式以及实施例和变形例，本实用新型并不限定于此。例如，也可以将实施例1和实施例2组合起来，在侧面110A上设置两个排气口，并在作为相向的面的侧面110C上进一步设置排气口，只要能够保证排气口不对置设置，就能够实现本实用新型的功能。

应当理解，上述的实施方式仅是示例性的，而非限制性的，在不偏离本实用新型的基本原理的情况下，本领域的技术人员针对上述细节做出的各种明显的或等同的修改或替换都将包含于本实用新型的权利要求范围内。