1.一种沉积装置，其特征在于，包括
第一混合管路，具有用于输入第一气态反应物质的入口一、用于输入第一辅助气体的入口二、用于混合所述第一气态反应物质与所述第一辅助气体的第一腔体，所述入口一和所述入口二与所述第一腔体连通；
第二混合管路，具有用于输入第二气态反应物质的入口三、用于输入第二辅助气体的入口四、用于混合所述第二气态反应物质与所述第二辅助气体的第二腔体，所述入口三和所述入口四与所述第二腔体连通；
至少一输送头，所述输送头包括与所述第一腔体连通的入口六、与所述第二腔体连通的入口五以及输出面，所述输出面包括与所述入口五连通的出口一以及与所述入口六连通的出口二，从而所述第一腔体内的第一混合物经过所述入口六并从所述出口二输出，所述第二腔体内的第二混合物经过所述入口五并从所述出口一输出，所述第一混合物和所述第二混合物适于发生反应，反应生成的产物适于沉积在设于所述输出面下方的基片表面。
2.根据权利要求1所述的沉积装置，其特征在于，每一所述输送头的所述出口一与所述出口二相邻。
3.根据权利要求1所述的沉积装置，其特征在于，还包括用于驱动所述输送头在水平方向和/或竖直方向移动的第一驱动装置。
4.根据权利要求1所述的沉积装置，其特征在于，还包括用于放置基片的载体以及用于驱动所述载体在水平方向和/或竖直方向移动的第二驱动装置，所述载体与所述输送头的所述输出面相对，优选地，所述载体为可加热的载体。
5.根据权利要求1所述的沉积装置，其特征在于，
所述第一混合管路还包括第一混合器，所述第一腔体通过所述第一混合器分别与所述入口一和所述入口二连通；
所述第二混合管路还包括第二混合器，所述第二腔体通过所述第二混合器分别与所述入口三和所述入口四连通。
6.根据权利要求1-5任一所述的沉积装置，其特征在于，还包括抽气管路以及与所述抽气管路连通的至少一排气通道，所述排气通道设于所述输送头的一侧，所述排气通道的排气口靠近所述输送头的所述输出面，优选地，所述排气口与所述输出面共面。
7.根据权利要求6所述的沉积装置，其特征在于，所述出口一内侧的通道以及所述出口二内侧的通道设置为向所述排气口方向倾斜，优选地，所述出口一内侧的通道以及所述出口二内侧的通道相对于所述输出面的倾斜角度为60°。
8.根据权利要求6所述的沉积装置，其特征在于，至少一所述排气通道的所述排气口处设置有软X射线装置，所述软X射线装置适于将其附近的气体离子化。
9.根据权利要求6所述的沉积装置，其特征在于，包括若干个所述输送头以及若干个排气通道，多个所述输送头共用一所述排气通道，优选地，各所述输送头的所述输出面共面。
10.一种沉积方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，混合第一气态反应物质和第一辅助气体得到第一混合物，混合第二气态反应物质和第二辅助气体得到第二混合物；
S2，从一输出面将所述第一混合物与所述第二混合物相邻地输出至一基片的上方，所述输出面与所述基片之间形成反应区域，所述第一气态反应物质与所述第二气态反应物质在所述反应区域发生反应，生成的产物沉积于所述基片表面形成膜层。
11.根据权利要求10所述的沉积方法，其特征在于，步骤S2之后还包括以下步骤：使所述基片受热，所述基片的热量传递到所述反应区域，以使所述反应区域的温度达到反应所需的温度。
12.根据权利要求10所述的沉积方法，其特征在于，使所述第一混合物以及所述第二混合物流速一定，调节所述第一气态反应物质与所述第一辅助气体的混合比例和/或所述第二气态反应物质和所述第二辅助气体的混合比例，以改变各反应物质的输出量和/或所述反应区域内所述第一气态反应物质与所述第二气态反应物质的比例。
13.根据权利要求10所述的沉积方法，其特征在于，所述步骤S2之后还包括以下步骤：使所述输出面与所述基片发生相对移动，从而所述反应区域生成的产物沿所述基片表面沉积。
14.根据权利要求10所述的沉积方法，其特征在于，所述步骤S2之后还包括以下步骤：S3，将所述反应区域的气体产物或未反应的气体或所述基片处的杂质抽出。
15.根据权利要求10所述的沉积方法，其特征在于，所述步骤S2之前还包括以下步骤：对所述反应区域进行抽气，利用软X射线装置将被抽出的气体离子化，从而产生大量正负离子以用于中和所述基片表面的静电。
16.根据权利要求10-15任一所述的沉积方法，其特征在于，所述第一气态反应物质包括气态金属化合物，所述第一辅助气体为氢气，所述第二气态反应物质为臭氧，所述第二辅助气体为惰性气体，所述步骤S2中，所述金属化合物与所述氢气在所述反应区域内受热反应形成金属单质，所述臭氧氧化所述金属单质，从而得到金属氧化物沉积于所述基片表面。
17.根据权利要求16所述的沉积方法，其特征在于，所述第一气态反应物质还包括烃系溶剂。
18.根据权利要求10-15任一所述的沉积方法，其特征在于，所述第一气态反应物质为气态金属化合物，所述第一辅助气体为烃系溶剂，所述第二气态反应物质为水汽，所述第二辅助气体为臭氧，所述步骤S2中，所述金属化合物与所述水汽以及所述臭氧反应生成金属氧化物，得到的所述金属氧化物沉积于所述基片表面。