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用于TiN硬掩模去除和蚀刻残留物清洁的组合物的制作方法
文档序号:19895290
发布日期:2020-02-11 13:11
阅读:
来源:国知局
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金属材料;冶金;铸造;磨削;抛光设备的制造及处理,应用技术
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用于TiN硬掩模去除和蚀刻残留物清洁的组合物的制作方法
技术总结
本发明公开了用于从电子电路器件(例如高级图案晶片)除去TiN硬掩模的组合物、方法和系统。所述清洁组合物优选包含蚀刻剂(也称为基质)、氧化剂、氧化稳定剂(也称为螯合剂)、铵盐、腐蚀抑制剂和溶剂。可以提供其他任选的添加剂。清洁组合物的pH优选大于5.5。清洁组合物优选不含二甲基亚砜和四甲基氢氧化铵。
技术研发人员:
陈昭翔;李翊嘉;刘文达;张仲逸
受保护的技术使用者:
弗萨姆材料美国有限责任公司
技术研发日:
2019.07.26
技术公布日:
2020.02.11
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