用于TiN硬掩模去除和蚀刻残留物清洁的组合物的制作方法

技术总结
本发明公开了用于从电子电路器件(例如高级图案晶片)除去TiN硬掩模的组合物、方法和系统。所述清洁组合物优选包含蚀刻剂(也称为基质)、氧化剂、氧化稳定剂(也称为螯合剂)、铵盐、腐蚀抑制剂和溶剂。可以提供其他任选的添加剂。清洁组合物的pH优选大于5.5。清洁组合物优选不含二甲基亚砜和四甲基氢氧化铵。

技术研发人员：陈昭翔;李翊嘉;刘文达;张仲逸
受保护的技术使用者：弗萨姆材料美国有限责任公司
技术研发日：2019.07.26
技术公布日：2020.02.11