掩模组件以及制造显示设备的设备和方法与流程

本申请要求于2018年8月20日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0096831号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部公开内容通过引用包含于此。

一个或更多个实施例的方面涉及设备和方法，更具体地，涉及掩模组件、用于制造显示设备的设备和制造显示设备的方法。

背景技术：

基于移动性的电子装置已经被广泛使用。移动电子装置可以包括紧凑型电子装置，诸如，最近被广泛使用的移动电话和平板个人计算机(pc)。

为了支持各种功能，移动电子装置可以包括用于向用户提供诸如图像或视频的视觉信息的显示设备。近来，随着用于驱动显示设备的其他部件被小型化，电子装置中的显示设备的部分逐渐增大。在这方面，正在开发在平坦状态下以特定角度弯曲的结构。

为了制造显示设备，可以制造各种层。在这方面，对于一些层，可以在真空状态下喷射沉积材料以沉积在特定区域中。在这种情况下，沉积材料不仅会沉积在设计的区域中，而且会沉积在比设计的区域宽的区域中。因此，需要或期望精确地限制显示设备中的沉积材料的沉积范围。结果，可以使产品小型化或者可以获得用于布置其他部件的空间。

技术实现要素：

当显示区域由于其中沉积了沉积材料的部分的阴影区域的增大而增大时，会增大显示设备的尺寸，或者不会获得用于布置其他部件的空间。根据一个或更多个实施例的方面，提供了可以减小阴影区域的掩模组件、用于制造显示设备的设备和制造显示设备的方法。

附加的方面将在下面的描述中部分地进行阐述，并且部分地将通过描述将是明显的，或者可以通过提出的实施例的实践而得知。

根据一个或更多个实施例，一种掩模组件包括：掩模框架；以及掩模，设置在掩模框架上并且具有至少一个开口。掩模包括：掩模主体部分，具有所述至少一个开口；以及突出部分，布置为围绕所述至少一个开口并且包括限定所述至少一个开口的内表面，突出部分从掩模主体部分突出并且被构造为朝向显示基底突出并接触显示基底。沉积材料被构造为穿过所述至少一个开口以沉积在包括多个像素的显示面板的整个显示区域中。

掩模主体部分与显示基底之间的距离可以大于或等于大约30μm。

突出部分的一部分的厚度可以沿第一方向变化。

突出部分的内表面可以沿第一方向倾斜。

突出部分的所述一部分的厚度可以朝向所述至少一个开口的中心减小。

突出部分的内表面的倾斜角可以大于或等于大约40°且小于或等于大约60°。

突出部分的内表面可以是弯曲的。

突出部分可以布置在显示基底的像素限定层的边界处。

根据一个或更多个实施例，一种用于制造显示设备的设备包括：腔室，显示基底被构造为布置在腔室中；掩模组件，位于腔室中并且被构造为面对显示基底；以及源单元，位于腔室中，并且被构造为通过使沉积材料穿过掩模组件向显示基底供应沉积材料，其中，掩模组件包括：掩模框架；以及掩模，位于掩模框架上并具有至少一个开口，掩模包括：掩模主体部分，具有所述至少一个开口；以及突出部分，布置为围绕所述至少一个开口并且包括限定所述至少一个开口的内表面，突出部分从掩模主体部分突出并且被构造为朝向显示基底突出并接触显示基底，其中，沉积材料被构造为穿过所述至少一个开口以沉积在包括多个像素的显示面板的整个显示区域中。

掩模主体部分与显示基底之间的距离可以大于或等于大约30μm。

突出部分的一部分的厚度可以沿第一方向变化。

突出部分的内表面可以沿第一方向倾斜。

突出部分的所述一部分的厚度可以朝向所述至少一个开口的中心减小。

突出部分的内表面的倾斜角可以大于或等于大约40°且小于或等于大约60°。

突出部分的内表面可以是弯曲的。

突出部分可以布置在显示基底的像素限定层的边界处。

根据一个或更多个实施例，一种制造显示设备的方法包括：在腔室中布置显示基底和掩模组件；使显示基底和掩模组件彼此对准；以及通过使来自源单元的沉积材料穿过掩模组件来在显示基底上沉积沉积材料，其中，掩模组件包括：掩模框架；以及掩模，位于掩模框架上并且具有至少一个开口，掩模包括：掩模主体部分，具有所述至少一个开口；以及突出部分，布置为围绕所述至少一个开口，并且包括限定所述至少一个开口的内表面，突出部分从掩模主体部分朝向显示基底突出并接触显示基底，其中，穿过所述至少一个开口的沉积材料沉积在包括多个像素的显示面板的整个显示区域中。

掩模主体部分与显示基底之间的距离可以大于或等于大约30μm。

突出部分的一部分的厚度可以沿内表面在其上延伸的第一方向变化。

突出部分的内表面可以沿第一方向倾斜。

突出部分的所述一部分的厚度可以朝向所述至少一个开口的中心减小。

突出部分的内表面的倾斜角可以大于或等于大约40°且小于或等于大约60°。

突出部分的内表面可以是弯曲的。

突出部分可以布置在显示基底的像素限定层的边界处。

根据一个或更多个实施例，一种制造显示设备的方法包括：在腔室中布置显示基底和掩模组件；使显示基底和掩模组件彼此对准；以及通过使来自源单元的沉积材料穿过掩模组件来在显示基底的像素限定层上沉积沉积材料，其中，沉积材料沉积在显示基底上的第一区域位于像素限定层布置在显示基底上的第二区域内。

掩模组件可以包括：掩模框架；以及掩模，位于掩模框架上并且具有至少一个开口，掩模包括：掩模主体部分，具有所述至少一个开口；以及突出部分，布置为围绕所述至少一个开口，并且包括限定所述至少一个开口的内表面，突出部分从掩模主体部分朝向显示基底突出并且接触显示基底。

突出部分可以布置在第一区域与第二区域之间。

附图说明

通过下面结合附图对一些实施例的描述，这些和/或其他方面将变得明显且更容易理解，在附图中：

图1是根据实施例的用于制造显示设备的设备的剖视图；

图2是图1的掩模组件的分解透视图；

图3a和图3b是示出在其中分别通过根据现有技术的掩模组件和图2的掩模组件沉积了沉积材料的范围的剖视图；

图4是使用图1中示出的用于制造显示设备的设备制造的显示设备的平面图；

图5是沿图4的线b-b截取的剖视图；

图6是根据另一实施例的用于制造显示设备的设备的掩模组件的一部分的剖视图；以及

图7是根据另一实施例的用于制造显示设备的设备的掩模组件的一部分的剖视图。

具体实施方式

因为本公开允许各种改变和许多实施例，所以将在附图中示出并在书面描述中进一步详细地描述一些实施例。然而，这并不意图将本公开限制于具体的实践模式，将理解的是，不脱离本公开的精神和技术范围的所有改变、等同物和替代物包含在本公开中。

在本公开的描述中，当认为相关技术的特定详细解释会不必要地模糊公开的实质时，可以省略相关技术的特定详细解释。

将理解的是，虽然可以在这里使用术语“第一”、“第二”等来描述各种组件，但是这些组件不应受这些术语限制。这些术语用于将一个组件与另一组件区分开。

如这里所使用的，除非上下文另外清楚表示，否则单数形式“一个(种/者)”和“所述(该)”也意图包括复数形式。

还将理解的是，在这里使用的术语“包括”和/或“包含”表明存在陈述的特征或组件，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征或组件。

将理解的是，当层、区域或组件被称为“形成在”另一层、区域或组件“上”时，该层、区域或组件可以直接或间接地形成在所述另一层、区域或组件上。也就是说，例如，可以存在一个或更多个中间层、中间区域或中间组件。

为了便于解释，可以夸大附图中的组件的尺寸和厚度。换言之，由于为了便于解释可以任意示出附图中的组件的尺寸和厚度，所以下面的实施例不限于此。

当可以不同地实现特定实施例时，可以与描述的顺序不同地执行具体的工艺顺序。例如，可以基本同时执行两个连续描述的工艺，或者可以按照与描述的顺序相反的顺序来执行两个连续描述的工艺。

在下面的实施例中，将理解的是，当层、区域或组件被称为“连接到”另一层、区域或组件时，该层、区域或组件可以直接连接到所述另一层、区域或组件，或者经由一个或更多个中间层、区域或组件间接连接到所述另一层、区域或组件。例如，在本说明书中，当层、区域或组件被称为电连接到另一层、区域或组件时，该层、区域或组件可以直接电连接到所述另一层、区域或组件，或者经由一个或更多个中间层、区域或组件间接电连接到所述另一层、区域或组件。

图1是根据实施例的显示设备制造设备100的剖视图；图2是图1的掩模组件140的分解透视图；图3a和图3b是示出在其中分别通过根据现有技术的掩模组件和图2的掩模组件140沉积了沉积材料的范围的剖视图。

参照图1、图2和图3b，显示设备制造设备100可以包括腔室110、第一支撑单元120、第二支撑单元130、掩模组件140、源单元160、磁力产生单元150、视觉单元170和压力控制单元180。

腔室110可以包括位于其中的空间。腔室110可以在一侧处具有打开部分，并且用于打开/关闭腔室110的打开部分的闸阀111可以布置在腔室110的打开部分中。

第一支撑单元120可以设置在腔室110中。在这种状态下，第一支撑单元120可以支撑显示基底d。在实施例中，显示基底d可以放置在第一支撑单元120上，并且第一支撑单元120可以在腔室110中处于固定状态。在另一实施例中，第一支撑单元120可以形成为夹钳形状，并且可以夹持显示基底d的至少一部分，从而支撑显示基底d。在另一实施例中，第一支撑单元120可以在腔室110中设置为能够执行线性运动以向显示基底d施加力，从而支撑显示基底d。在另一实施例中，显示基底d可以放置在第一支撑单元120上，并且第一支撑单元120可以包括执行线性运动的梭。在另一实施例中，第一支撑单元120可以包括设置为面对显示基底d的一个表面的静电卡盘或粘合卡盘。在这种情况下，第一支撑单元120可以设置在磁力产生单元150上。

掩模组件140可以设置在第二支撑单元130上，从而支撑掩模组件140。在这种状态下，第二支撑单元130可以形成为与第一支撑单元120相同或相似，并且可以支撑掩模组件140。第二支撑单元130可以允许掩模组件140在一定程度上执行上升和下降运动、线性运动和旋转运动中的至少一种。

在下面的描述中，为了便于解释，进一步详细描述其中第一支撑单元120通过执行线性运动支撑显示基底d并且第二支撑单元130从掩模组件140的下表面支撑掩模组件140的情况。

掩模组件140可以包括掩模框架141和掩模142。在实施例中，掩模框架141可以在其中心部分处具有开口。在另一实施例中，掩模框架141可以以网格的形式形成。具体地，一个或更多个开口可以位于掩模框架141中。例如，掩模框架141可以具有与窗框架类似的形状。掩模142可以设置在掩模框架141上。在实施例中，掩模142可以在张紧状态下设置在掩模框架141上，并且可以通过焊接固定到掩模框架141。掩模142可以包括至少一个开口142c。在实施例中，掩模142可以包括掩模主体部分142a和突出部分142b。掩模主体部分142a可以以片的形式设置。在这种状态下，沉积材料所穿过的至少一个开口142c可以布置在掩模主体部分142a中。具体地，当开口142c包括多个开口时，开口142c可以布置为彼此分隔开。突出部分142b可以设置为包围开口142c的边缘。在这种状态下，突出部分142b可以从掩模主体部分142a的表面朝向显示基底d突出。在实施例中，突出部分142b可以设置在开口142c的边缘上，形成闭环。在这种情况下，突出部分142b可以形成限定开口142c的内表面。

在实施例中，掩模主体部分142a的突出部分142b从其突出的表面与显示基底d的表面之间的间隙w1可以大于或等于30μm。当掩模主体部分142a的表面与显示基底d的表面之间的间隙w1小于30μm时，掩模主体部分142a会通过由磁力产生单元150施加的磁力与显示基底d接触，因此，会损坏显示基底d。

在实施例中，掩模主体部分142a的厚度w2可以小于或等于70μm。当掩模主体部分142a的厚度w2超过70μm时，掩模主体部分142a会由于掩模主体部分142a的重量而与显示基底d分离得远，因此，精确沉积是不可能的。当掩模主体部分142a的厚度w2太薄时，由于由磁力产生单元150提供的磁力导致在掩模主体部分142a中会产生磁力，因此，掩模主体部分142a会与显示基底d紧密接触或者会与显示基底d接触得非常紧密，从而损坏或破坏显示基底d。

源单元160可以将沉积材料供应到腔室110的内部。在这种状态下，源单元160可以将外部供应的沉积材料注入到腔室110的内部，或者容纳沉积材料并且使容纳的沉积材料蒸发或升华，从而将沉积材料注入到腔室110的内部。此外，源单元160可以设置在腔室110中以能够执行线性运动，或者以固定状态设置在腔室110中。在实施例中，当源单元160执行线性运动时，源单元160可以连接到诸如线性马达的源驱动单元(未示出)。

磁力产生单元150可以设置在腔室110中，并且可以向掩模组件140提供磁力。由于磁力，掩模组件140可以与显示基底d紧密接触。在这种状态下，磁力产生单元150可以包括向掩模组件140提供磁力的磁体或电磁体。此外，磁力产生单元150可以通过自我控制或者通过上下移动来调节施加到掩模组件140的磁力的强度。

视觉单元170可以设置在腔室110中以捕获显示基底d和掩模组件140的位置。在这种状态下，可以基于捕获的结果来确定显示基底d和掩模组件140的位置，并且显示基底d和掩模组件140可以基于显示基底d和掩模组件140的确定的位置来对准。

压力控制单元180可以连接到腔室110以调节腔室110的内部的压力。在实施例中，压力控制单元180可以包括连接到腔室110的管181和布置在管181上的真空泵182。

在通过使用显示设备制造设备100制造显示设备(未示出)的方法中，可以将显示基底d和掩模组件140布置在腔室110中。在这种状态下，当闸阀111操作时，可以打开腔室110的打开部分，并且当真空泵182操作时，腔室110的内部的压力可以保持为与大气压相同或相似。可以通过单独设置的梭或机器人臂将显示基底d和掩模组件140从腔室110的外部供应到腔室110的内部。在另一实施例中，第一支撑单元120和第二支撑单元130可以是梭的形式，因此，第一支撑单元120和第二支撑单元130可以分别将显示基底d和掩模组件140从腔室110的外部供应到腔室110的内部。

显示基底d可以在腔室110中设置在第一支撑单元120上。此外，掩模组件140可以设置在第二支撑单元130上。视觉单元170可以捕获显示基底d和掩模组件140的图像，并且确定显示基底d和掩模组件140的位置。在实施例中，由视觉单元170捕获的图像可以被传输到控制器(未示出)，并且控制器可以基于显示基底d和掩模组件140的图像来确定显示基底d和掩模组件140的位置。在实施例中，控制器可以包括设置在显示设备制造设备100外部的便携式终端、移动电话或笔记本计算机。在另一实施例中，控制器可以包括电路板。

在确定显示基底d和掩模组件140的位置之后，控制器可以通过由第二支撑单元130调节掩模组件140的位置来使显示基底d和掩模组件140彼此对准。

磁力产生单元150可以允许掩模组件140和显示基底d彼此紧密接触。在这种状态下，当磁力产生单元150提供磁力时，掩模142的突出部分142b可以与显示基底d完全接触。在这种情况下，突出部分142b可以与显示基底d的表面接触。具体地，突出部分142b可以与显示基底d的像素限定层(未示出)接触。

源单元160可以将沉积材料供应到腔室110的内部。沉积材料可以通过穿过掩模142的开口142c沉积在显示基底d上。在这种情况下，沉积材料可以沉积在显示基底d的显示区域da中。具体地，沉积材料不仅可以沉积在显示区域da的每个像素上，而且可以整体地沉积在显示区域da中。在这种状态下，真空泵182可以将腔室110中的气体排放到腔室110的外部。

如上所述在其上沉积了沉积材料的显示基底d可以被从腔室110中抽出，并且可以通过其他制造设备以被制造为显示设备。

因此，根据显示设备制造设备100和制造显示设备的方法，能够制造精确的显示设备。

可以通过使用显示设备制造设备100沉积沉积材料来形成显示区域da。

然而，参照图3a，在根据现有技术的掩模组件中，突出部分未设置在开口的边缘上。在这种情况下，会通过现有技术中的掩模42的开口的边缘形成其中沉积材料未形成为特定厚度的第一阴影区域sh1。在这种情况下，由于由源单元(未示出)供应的沉积材料从相对于开口的边缘的两侧注入到显示基底d上，所以第一阴影区域sh1会被形成为宽的。具体地，因为在现有技术中第一阴影区域sh1朝向掩模42的突出部分形成，所以第一阴影区域sh1会延伸。在这种情况下，第一阴影区域sh1会变得太大。在这种状态下，显示设备的显示区域da1会包括第一阴影区域sh1。因此，当通过使用现有技术中的掩模42制造显示设备(未示出)时，需要增大显示区域da1的其中不形成图像的区域，或者需要扩大基底(未示出)。

然而，如图3b中所示，根据本公开，由于突出部分142b包围开口142c的边缘，因此可以去除第一阴影区域sh1的由于开口142c的边缘而产生的部分。

例如，与根据现有技术的掩模组件不同，在本公开中，突出部分142b可以形成限定开口142c的内表面。在这种情况下，从图3b的左侧注入的沉积材料被突出部分142b阻挡，因此，阴影区域可以不延伸。在这种情况下，仅从图3b的右侧注入的沉积材料会形成第二阴影区域sh2。在这种情况下，第二阴影区域sh2可以形成为小于第一阴影区域sh1。换言之，因为显示区域da的边界可以在不减小其中不形成图像的非显示区域nda的面积的情况下形成为几乎与设计值相似，所以与现有技术相比，可以减小基底的尺寸。此外，因为显示区域da的边界可以与设计值几乎相同或相似，或者可以预期显示区域da的边界，所以与现有技术相比，非显示区域可以被设计得小。

因此，根据显示设备制造设备100和制造显示设备的方法，可以减小非显示区域nda的宽度或基底的尺寸。此外，根据显示设备制造设备100和制造显示设备的方法，可以减小阴影区域。

图4是使用图1中所示的显示设备制造设备100制造的显示设备20的平面图；图5是沿图4的线b-b截取的剖视图。

参照图4和图5，显示设备20可以在基底21上包括显示区域da和位于显示区域da外部的非显示区域nda。发光部分可以设置在显示区域da中，电力布线(未示出)可以设置在非显示区域nda中。此外，垫(pad，或称为“焊盘”)部分c可以设置在非显示区域nda中。

显示设备20可以包括显示基底d和薄膜封装层e。在实施例中，显示基底d可以包括基底21、薄膜晶体管tft、钝化层27和像素电极28-1。在另一实施例中，显示基底d可以包括基底21、薄膜晶体管tft、钝化层27、像素电极28-1和中间层28-2的一部分。在另一实施例中，显示基底d可以包括基底21、薄膜晶体管tft、钝化层27、像素电极28-1和中间层28-2。在下面的描述中，为了便于解释，主要进一步详细描述其中显示基底d包括基底21、薄膜晶体管tft、钝化层27和像素电极28-1的情况。

在实施例中，基底21可以包括塑性材料或诸如sus或ti的金属材料。此外，基底21可以包括聚酰亚胺(pi)。在下面的描述中，为了便于解释，主要进一步详细描述其中基底21由聚酰亚胺形成的情况。

薄膜晶体管tft形成在基底21上。钝化层27形成为覆盖薄膜晶体管tft。有机发光二极管(oled)28可以形成在钝化层27上。

在实施例中，由有机化合物和/或无机化合物形成的缓冲层22进一步形成在基底21的上表面上。缓冲层22可以形成为siox(x≥1)或sinx(x≥1)。

在以特定图案布置的有源层23形成在缓冲层22上之后，有源层23被掩埋在栅极绝缘层24之下。有源层23可以包括源区23-1和漏区23-3，并且还可以包括位于源区23-1与漏区23-3之间的沟道区23-2。

有源层23可以包括各种材料中的任何一种。例如，有源层23可以包括诸如非晶硅或晶体硅的无机半导体材料。在另一示例中，有源层23可以包括氧化物半导体。在另一示例中，有源层23可以包括有机半导体材料。然而，在下面的描述中，为了便于解释，主要进一步详细描述有源层23由非晶硅形成的情况。

可以通过在缓冲层22上形成非晶硅层、使非晶硅层结晶为多晶硅层以及使多晶硅层图案化来形成有源层23。有源层23的源区23-1和漏区23-3根据tft的类型(诸如驱动tft或开关tft)掺杂有杂质。

与有源层23对应的栅电极25以及掩埋栅电极25的层间绝缘层26形成在栅极绝缘层24的上表面上。

在层间绝缘层26和栅极绝缘层24中形成接触孔h1之后，形成层间绝缘层26上的源电极27-1和漏电极27-2，以分别接触源区23-1和漏区23-3。

钝化层27形成在如上形成的薄膜晶体管tft上方，并且oled28的像素电极28-1形成在钝化层27上方。像素电极28-1经由形成在钝化层27中的通孔h2与薄膜晶体管tft的漏电极27-2接触。钝化层27可以由无机材料和/或有机材料形成为单层或者两层或更多层。钝化层27可以形成为平坦化层，平坦化层具有平坦的上表面而与位于其之下的层的弯曲程度无关，或者根据位于其之下的层的弯曲程度而弯曲。在实施例中，钝化层27可以由透明绝缘材料形成以实现谐振效果。

在钝化层27上形成像素电极28-1之后，由有机材料和/或无机材料形成像素限定层29以覆盖像素电极28-1和钝化层27，并且像素限定层29是开口的以使像素电极28-1暴露。

中间层28-2和对电极28-3至少形成在像素电极28-1上。在另一实施例中，对电极28-3可以形成在显示基底d的整个表面上。在这种情况下，对电极28-3可以形成在中间层28-2和像素限定层29上。在下面的描述中，为了便于解释，主要进一步详细描述其中对电极28-3形成在中间层28-2和像素限定层29上的情况。

在实施例中，像素电极28-1可以用作阳极，而对电极28-3可以用作阴极。然而，像素电极28-1和对电极28-3的极性可以颠倒。

像素电极28-1和对电极28-3通过中间层28-2彼此绝缘，并且可以向中间层28-2施加相反极性的电压，使得光从有机发射层(未示出)发射。

中间层28-2可以包括有机发射层。在实施例中，中间层28-2可以包括有机发射层，并且还可以包括空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、电子传输层(etl)和电子注入层(eil)中的至少一种。然而，本公开不限于此，中间层28-2可以包括有机发射层，并且还可以包括其他各种功能层(未示出)。

在实施例中，中间层28-2可以包括多个中间层，并且中间层28-2可以形成显示区域da。在这种状态下，中间层28-2可以布置为在显示区域da中彼此分隔开。

单元像素包括多个子像素，并且子像素可以发射各种颜色的光。例如，子像素可以包括发射红光、绿光和蓝光的子像素，或者发射红光、绿光、蓝光和白光的子像素(未示出)。

在上述用于制造显示设备的设备或者稍后将描述的用于制造的显示设备的设备(未示出)中，可以在显示基底d中形成各种层。例如，显示设备制造设备100可以用于在显示基底d上形成中间层28-2和对电极28-3中的至少一个。在实施例中，显示设备制造设备100可以用于形成中间层28-2的hil、htl、eil和etl中的至少一种以及功能层中的至少一种。具体地，当显示设备制造设备100用于形成显示基底d上的中间层28-2中的至少一个时，显示设备制造设备100可以使用多种沉积材料制造一个层，或者可以并发(例如，同时)制造多个层。

在这种情况下，在显示设备制造设备100中，可以在显示区域da中形成与上述层相同的层。在实施例中，中间层28-2和对电极28-3中的至少一个可以形成在显示区域da的整个表面上。在这种情况下，形成中间层28-2和对电极28-3中的至少一个的区域可以小于或等于显示区域da的区域。这样的中间层28-2和对电极28-3中的至少一个可以布置在像素限定层29和像素电极28-1上。在这种情况下，形成中间层28-2和对电极28-3中的至少一个的区域(例如，显示区域da)可以小于形成像素限定层29的区域。在实施例中，像素限定层29可以形成在基底21的整个表面的部分中。在这种情况下，形成像素限定层29的区域的最外边缘pd可以布置在显示区域da的边缘与非显示区域nda的边缘之间。在另一实施例中，形成像素限定层29的区域的最外边缘pd可以与非显示区域nda的边缘匹配。在这种情况下，上述的突出部分(未示出)可以布置在显示区域da与形成像素限定层29的区域的最外边缘pd之间。

当如上布置突出部分时，根据磁力产生单元(图1的150)的操作，突出部分可以与基底21紧密接触。在这种状态下，突出部分可以与像素限定层29接触或者与像素限定层29紧密接触。在这种情况下，像素限定层29可以防止突出部分与基底21直接紧密接触，从而防止基底21被损坏或破坏。此外，像素限定层29可以吸收由突出部分施加的力的一部分。

因此，因为可以防止如上所述的显示设备20在制造期间被掩模冲压，所以可以提高生产率并且可以减少缺陷。此外，在显示设备20中，可以减小非显示区域nda的宽度或基底的尺寸。

此外，如上所述的薄膜封装层e可以包括多个无机层，或者无机层和有机层。

薄膜封装层e的有机层可以包括聚合物，并且可以以单层或多层包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、环氧树脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯中的任何一种。此外，有机层可以包括聚丙烯酸酯，并且在实施例中可以包括包含二丙烯酸酯单体和三丙烯酸酯单体的聚合单体组合物。单体组合物还可以包括单丙烯酸酯单体。在实施例中，单体组合物还可以包括公知的光引发剂，诸如tpo，但本公开不限于此。

薄膜封装层e的无机层可以是包括金属氧化物或金属氮化物的单层或者多层。在实施例中，无机层可以包括sinx、al2o3、sio2和tio2中的任何一种。

薄膜封装层e的暴露于外部的顶层可以以无机层形成，以防止或基本防止湿气侵入到oled中。

在实施例中，薄膜封装层e可以包括其中至少一个有机层插入至少两个无机层之间的至少一个夹层结构。在另一示例中，薄膜封装层e可以包括其中至少一个无机层插入至少两个有机层之间的至少一个夹层结构。在另一示例中，薄膜封装层e可以包括其中至少一个有机层插入至少两个无机层之间的夹层结构，以及其中至少一个无机层插入至少两个有机层之间的夹层结构。

在实施例中，薄膜封装层e可以从oled的顶部顺序包括第一无机层、第一有机层和第二无机层。

在另一示例中，薄膜封装层e可以从oled的顶部顺序包括第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层和第三无机层。

在另一示例中，薄膜封装层e可以从oled的顶部顺序包括第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层、第三无机层、第三有机层和第四无机层。

在实施例中，包括lif的卤化金属层可以额外包括在oled与第一无机层之间。当以溅射方法形成第一无机层时，卤化金属层可以防止oled被损坏。

在实施例中，第一有机层可以具有比第二无机层的面积小的面积，第二有机层可以具有比第三无机层的面积小的面积。

因此，显示设备20可以实现精确图像。

图6是根据另一实施例的用于制造显示设备的设备的掩模组件的一部分的剖视图。

参照图6，在实施例中，用于制造显示设备的设备(未示出)可以包括腔室(未示出)、第一支撑单元(未示出)、第二支撑单元(未示出)、掩模组件(未示出)、源单元(未示出)、磁力产生单元(未示出)、视觉单元(未示出)和压力控制单元(未示出)。在实施例中，腔室、第一支撑单元、第二支撑单元、源单元、磁力产生单元、视觉单元和压力控制单元可以与关于图1和图2描述的腔室、第一支撑单元、第二支撑单元、源单元、磁力产生单元、视觉单元和压力控制单元相同或相似，并省略了其进一步详细描述。

掩模组件可以包括掩模框架(未示出)和掩模242。在实施例中，掩模框架可以与关于图1和图2描述的掩模框架相同或相似，并省略了其进一步详细描述。

掩模242可以包括掩模主体部分242a和突出部分242b。在这种状态下，掩模主体部分242a可以以与关于图1和图2描述的方式相同或相似的方式包括至少一个开口242c。

突出部分242b可以从掩模主体部分242a朝向显示基底d突出。在这种状态下，突出部分242b可以形成开口242c的边界，并且形成开口242c的边界的突出部分242b的表面可以在第一方向(例如，x方向或y方向)上倾斜。具体地，突出部分242b的倾斜表面可以形成限定开口242c的内表面。

在上述情况下，在突出部分242b的倾斜表面与面对显示基底d的表面之间形成的角度θ可以大于大约40°且小于或等于60°。

在上述情况下，突出部分242b的倾斜部分的厚度w3可以在远离开口242c的方向上(例如，在第一方向上)变化。在实施例中，突出部分242b的倾斜部分的厚度w3可以随着其更远离开口242c的中心cl而增大。

在上述情况下，掩模主体部分242a的表面与显示基底d的表面之间的间隙w1可以大于或等于30μm。当掩模主体部分242a的表面与显示基底d的表面之间的间隙小于30μm时，因为掩模主体部分242a由于由磁力产生单元施加的磁力而与显示基底d接触，所以会损坏显示基底d。

在实施例中，掩模主体部分242a的厚度w2可以小于或等于70μm。在这种状态下，当掩模主体部分242a的厚度w2超过70μm时，掩模主体部分242a会由于掩模主体部分242a的重量而与显示基底d分离得远，因此，精确沉积是不可能的。当掩模主体部分242a的厚度w2太薄时，由于由磁力产生单元提供的磁力，在掩模主体部分242a中产生磁力，因此，掩模主体部分242a与显示基底d紧密接触或与显示基底d接触得非常紧密，从而损坏或破坏显示基底d。

在实施例中，对于突出部分242b，从突出部分242b和掩模主体部分242a相交的点到突出部分242b的倾斜部分的最短距离l可以大于或等于突出部分242b的厚度的34％。在实施例中，例如，突出部分242b的厚度(即，从接触显示基底d的表面到面对与显示基底d接触的表面的另一表面的距离)是100μm，并且垂直距离l可以大于或等于34μm。在这种状态下，当垂直距离l小于34μm时，突出部分242b会由于热或外力而从掩模主体部分242a脱离或变形。

当突出部分242b包括如上所述的倾斜表面时，可以从开口242c的边缘区域去除阴影区域。换言之，可以通过突出部分242b的倾斜表面阻挡相对于图6从突出部分242b的左侧注入到突出部分242b的倾斜表面的沉积材料。此外，通过掩模主体部分242a阻挡相对于图6从突出部分242b的右侧注入的沉积材料的部分，在未被阻挡的沉积材料之中，以与由突出部分242b的倾斜表面形成的角和注入在显示基底d上的沉积材料的角相似的角注入的沉积材料可以沉积在显示基底d上。在这种情况下，显示区域da可以从突出部分242b接触显示基底d的部分开始。

因此，显示设备制造设备100和显示设备的制造方法可以减小阴影区域，因此，可以沉积沉积材料。

图7是根据另一实施例的用于制造显示设备的设备的掩模组件的一部分的剖视图。

参照图7，在实施例中，用于制造显示设备的设备(未示出)可以包括腔室(未示出)、第一支撑单元(未示出)、第二支撑单元(未示出)、掩模组件(未示出)、源单元(未示出)、磁力产生单元(未示出)、视觉单元(未示出)和压力控制单元(未示出)。在实施例中，腔室、第一支撑单元、第二支撑单元、源单元、磁力产生单元、视觉单元和压力控制单元可以与关于图1和图2描述的腔室、第一支撑单元、第二支撑单元、源单元、磁力产生单元、视觉单元和压力控制单元相同或相似，并省略了其进一步详细描述。

掩模组件可以包括掩模框架(未示出)和掩模342。在实施例中，掩模框架可以与关于图1和图2描述的掩模框架相同或相似，并省略了其进一步详细描述。

掩模342可以包括掩模主体部分342a和突出部分342b。在这种状态下，掩模主体部分342a可以以与关于图1和图2描述的方式相同或相似的方式包括至少一个开口342c。

突出部分342b可以从掩模主体部分342a朝向显示基底d突出。在这种状态下，突出部分342b可以形成开口342c的边界，并且突出部分342b的形成开口342c的边界的表面可以是弯曲的。例如，突出部分342b的形成开口342c的边界的表面可以具有弯曲表面。

如上所述，在形成开口的方法中，在基体构件(未示出)的两个表面上布置光致抗蚀剂之后，形成图案，可以去除或者可以留下该图案。在这种情况下，可以在布置在基体构件的两个表面上的光致抗蚀剂图案之间形成开口部分。在这种情况下，布置在基体构件的两个表面上的光致抗蚀剂的彼此相邻的光致抗蚀剂之间的开口部分的面积可以彼此不同。

通过从基体构件的两个表面注入蚀刻溶液，可以通过使用蚀刻溶液穿过光致抗蚀剂的开口部分来去除基体构件的部分。

在上述情况下，当通过使用蚀刻溶液在基体构件中形成开口342c时，可以制造掩模342。然后，可以去除布置在掩模342的两个表面上的光致抗蚀剂。

在上述情况下，突出部分342b的部分的厚度w3可以随着其更远离开口342c的中心cl而增大。在这种情况下，限定开口342c的内表面可以是弯曲的。

如上所述，可以在开口342c的外周处形成突出部分342b，并且突出部分342b的表面可以是弯曲的。当通过使用掩模342将沉积材料沉积在显示基底d上时，如关于图6所描述的，可以去除或减小阴影区域。

因此，根据显示设备制造设备100和制造显示设备的方法，可以减小阴影区域，因此，可以沉积沉积材料。

如上所述，在根据上述实施例的用于制造显示设备的设备和制造显示设备的方法中，可以减小未以恒定厚度沉积沉积材料的部分。此外，在根据上述实施例的用于制造显示设备的设备和制造显示设备的方法中，可以减小显示设备的非显示区域。

应该理解的是，这里描述的实施例将仅以描述性的意义考虑而不是出于限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述应通常被认为适用于在其他示例性实施例中的其他相似的特征或方面。

虽然已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如权利要求所阐述的精神和范围的情况下，可以在实施例中做出形式和细节上的各种改变。