1.一种中频反应磁控溅射镀膜设备，其特征在于，所述设备包括设备支架、真空腔体和电源柜；所述真空腔体固定在设备支架的上方，所述真空腔体的前端设置有门盖，门盖的中间位置设置有离子源，所述真空腔体的后端中部与离子源相对的位置设置有中频孪生靶，所述中频孪生靶与中频交流电源相连；真空腔体的顶部设置有分子泵；所述真空腔体内底部中间位置设置有基片转台，所述基片转台上设置有基片架；所述基片转台下端通过减速机与伺服电机连接，并通过磁流体进行动密封；所述真空腔体的底部和后侧壁上分别设置一个出气口和一个进气口。
2.根据权利要求1所述的一种中频反应磁控溅射镀膜设备，其特征在于，所述中频交流电源、减速机、伺服电机以及磁流体均设置在设备支架内。
3.根据权利要求1所述的一种中频反应磁控溅射镀膜设备，其特征在于，所述设备支架内部还设置有机械泵，所述机械泵的抽气管与真空腔体底部的出气口连接。
4.根据权利要求1所述的一种中频反应磁控溅射镀膜设备，其特征在于，所述基片转台为圆盘形，其上表面通过螺栓固定有至少一个基片架，所述基片转台的上表面上沿直径设置有多个螺栓孔，用于调节基片架与离子源和中频孪生靶之间的距离。
5.根据权利要求1所述的一种中频反应磁控溅射镀膜设备，其特征在于，所述真空腔体外右侧下方设置有放气阀。
6.根据权利要求1所述的一种中频反应磁控溅射镀膜设备，其特征在于，所述中频孪生靶为平面矩形靶或旋转柱靶。
7.根据权利要求1所述的一种中频反应磁控溅射镀膜设备，其特征在于，所述分子泵设置有两个，所述两个分子泵平行对称设置。
8.根据权利要求1所述的一种中频反应磁控溅射镀膜设备，其特征在于，所述真空腔体外顶部靠近中频孪生靶的一侧还设置有真空计，用于显示真空腔体内的压力。
9.根据权利要求1所述的一种中频反应磁控溅射镀膜设备，其特征在于，所述分子泵与真空腔体之间设有插板阀，用于控制分子泵的抽速。
10.根据权利要求1所述的一种中频反应磁控溅射镀膜设备，其特征在于，所述电源柜内设置有分子泵电源和转速控制器，所述分子泵电源与分子泵连接，所述转速控制器与基片转台连接。