半导体热处理设备中加热炉体控制方法、加热炉体及设备与流程

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种半导体热处理设备中加热炉体控制方法、加热炉体及设备。

背景技术：

现有pecvd(plasmaenhancedchemicalvapordeposition，等离子体增强化学的气相沉积法)装置的反应室加热炉体均采用圆对称设计，其产生的热场在圆柱形反应室内均匀分布，而反应室中石墨舟舟片平行排列，间距均等，为非圆对称结构。在镀膜时，石墨舟两侧硅片距炉体较近，中间硅片距炉体较远，导致在一定时间内存在边缘温度高，中间温度低的温度分布情形，而温度对成膜速率影响较大，会导致同一舟内硅片成膜厚度不一，均匀性较差。

目前普遍采取在反应室内石墨舟中间区域下方(或上方或两者兼有)新增辅助加热管的方式来对石墨舟中间区域辅助加热。然而辅助加热管的成本较高且寿命较短，且每次更换时均需要停机操作，存在镀膜硅片成本高而生产效率低的问题。

技术实现要素：

本发明解决的问题是现有加热炉体生产成本高且生产效率低的问题。

为解决上述问题，本发明提供了一种半导体热处理设备中加热炉体的控制方法，应用于非对称加热炉体，所述非对称加热炉体包括至少一个加热块，所述加热块包括疏加热区和密加热区，所述疏加热区与所述密加热区的加热元件的分布密度和/或电阻不同，所述疏加热区和所述密加热区分别独立供电控制；所述方法包括：检测所述疏加热区和所述密加热区的温度；根据所述温度及预设温度阈值调节至少一个所述疏加热区，和/或至少一个所述密加热区的加热功率，以使所述非对称加热炉体内被加热体的温度均匀。

可选地，所述加热块包括多个所述疏加热区和多个所述密加热区，至少两个所述疏加热区串联连接，和/或，至少两个所述密加热区串联连接；所述根据所述温度及预设温度阈值调节至少一个所述疏加热区，和/或至少一个所述密加热区的加热功率，包括：若串联的至少两个所述疏加热区的温度与第一阈值不同，则同步调节串联的至少两个所述疏加热区的加热功率；和/或，若串联的至少两个所述密加热区的温度与第二阈值不同，则同步调节串联的至少两个所述密加热区的加热功率。

可选地，所述非对称加热炉体包括多个加热块，至少两个属于不同加热块的所述疏加热区串联连接，和/或，至少两个属于不同加热块的所述密加热区串联连接；所述根据所述温度及预设温度阈值调节至少一个所述疏加热区，和/或至少一个所述密加热区的加热功率，包括：若串联的所述疏加热区的温度与第三阈值不同，则同步调节串联的所述疏加热区的加热功率，和/或，若串联的所述密加热区的温度与第四阈值不同，则同步调节串联的所述密加热区的加热功率。

可选地，所述非对称加热炉体包括多个加热块，至少两个属于不同加热块的所述疏加热区串联连接且至少两个属于同一加热块的所述密加热区串联连接，和/或，至少两个属于不同加热块的所述密加热区串联连接且至少两个属于同一加热块的所述疏加热区串联连接；所述根据所述温度及预设温度阈值调节至少一个所述疏加热区，和/或至少一个所述密加热区的加热功率，包括：若串联的所述疏加热区的温度与第五阈值不同，则同步调节串联的所述疏加热区的加热功率，和/或，若串联的所述密加热区的温度与第六阈值不同，则同步调节串联的所述密加热区的加热功率。

可选地，所述加热块还包括多个均匀加热区，各所述均匀加热区的分布密度或电阻相同，各所述均匀加热区分别独立供电控制；所述方法还包括：根据所述均匀加热区的温度及所述预设温度阈值，调节至少一个所述均匀加热区的加热功率，以使所述非对称加热炉体内的加热体温度均匀。

在本发明上述实施例中，通过独立控制疏加热区和密加热区的加热功率，可以将加热炉体内的温度分布调整至预设温度分布，能够适应各种不同温度要求，无需添加辅助加热件等设备以及停机更换加热件，降低了能耗和设备成本，提高了生产效率。

本发明还提供了一种半导体热处理设备中的加热炉体，包括控制器和至少一个加热块，所述加热块包括疏加热区和密加热区，所述疏加热区与所述密加热区的加热元件的分布密度和/或电阻不同，所述疏加热区及所述密加热区分别独立供电控制；所述控制器用于上述加热炉体的控制方法。

可选地，所述加热块包括多个所述疏加热区和多个所述密加热区，至少两个所述疏加热区串联连接，和/或，至少两个所述密加热区串联连接。

可选地，所述非对称加热炉体包括多个加热块，至少两个属于不同加热块的所述疏加热区串联连接，和/或，至少两个属于不同加热块的所述密加热区串联连接。

可选地，所述非对称加热炉体包括多个加热块，至少两个属于不同加热块的所述疏加热区串联连接且至少两个属于同一加热块的所述密加热区串联连接，和/或，至少两个属于不同加热块的所述密加热区串联连接且至少两个属于同一加热块的所述疏加热区串联连接。

在本发明实施例中，加热炉体的非对称加热块包括分别独立供电控制的疏加热区和密加热区，两者的分布密度和/或电阻不同，可以根据疏加热区和密加热区的温度与预设温度阈值调节至少一个疏加热区，和/或至少一个密加热区的加热功率。通过独立控制任一疏加热区和密加热区的加热功率，可以将加热炉体内的温度分布调整至预设温度分布，能够适应各种不同温度要求，无需添加辅助加热件等设备以及停机更换加热件，降低了能耗和设备成本，提高了生产效率。

本发明还提供了一种半导体热处理设备，包括上述实施例提供的加热炉体。

本发明上述实施例的半导体热处理设备，可以与上述半导体热处理设备中的加热炉体达到相同的技术效果。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本发明的一个实施例中一种半导体热处理设备中的加热炉体的结构示意图；

图2为本发明的一个实施例中一种加热炉体的主加热块的主视剖面图；

图3为本发明的一个实施例中一种炉口加热块或炉尾加热块的主视剖面图；

图4为本发明的一个实施例中一种半导体热处理设备中加热炉体的控制方法的示意性流程图；

图5为本发明的一个实施例中加热炉体的一种接线示意图；

图6为本发明的一个实施例中加热炉体及其附属零件安装完成后的装置示意图；

图7为本发明的一个实施例中一种半导体热处理设备中加热炉体的控制装置。

附图标记说明：

10-炉口加热块；20-炉尾加热块；30-主加热块；31-第一加热块；32-第二加热块；33-第三加热块；40-热偶孔；301-密加热区；302-疏加热区；303-加热丝；304-加热丝引出线；305-耐火材料；50-石墨舟；501-硅片；60-炉壳；70-炉体端板；80-绝缘陶瓷固定件；90-引线连接件；100-疏加热区热偶固定架；110-密加热区热偶固定架。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

本发明实施例提供了一种半导体热处理设备中的非对称的加热炉体，采用多段拼装设计，可以由至少一个圆筒形的加热块拼接成型。可选地，加热炉体包括位于炉口的炉口加热块、位于炉尾的炉尾加热块、位于中间的主加热块。参见图1所示的一种半导体热处理设备中的加热炉体的结构示意图，示出了加热炉体的核心部件加热体的一种示例性结构。如图1所示，加热炉体包括炉口加热块10、炉尾加热块20、主加热块30，其中，主加热块30由三段加热块拼接而成，分别为第一加热块31、第二加热块32和第三加热块33。各不同加热块通过台阶状的凹凸拼接结构连接，既可以准确定位连接，又可以避免连接处漏热。

以加热炉体内的被加热体是石墨舟为例，考虑到石墨舟的矩形结构，其上下方向的高度小于左右方向的宽度，在圆对称的加热炉体中加热时，石墨舟中间和两侧温度存在差异，本实施例提供的非对称的加热炉体，其加热块在圆周方向上包括疏加热区和密加热区，疏加热区、密加热区的加热元件的分布密度和/或电阻不同，且疏加热区和密加热区分别独立供电控制。疏加热区和密加热区在相同时长及供电条件下，辐射出的热量不同。

如图1所示，加热炉体的上下两侧为密加热区，左右两侧为疏加热区，密加热区的加热丝的分布密度大于疏加热区的加热丝的分布密度。左右两侧的疏加热区距硅片较近，辐射表面对硅片的辐射传热角系数较大，辐射热量较低但热传递效率较高；上下两侧为密加热区距硅片较远，辐射表面对硅片的辐射传热角系数较小，辐射热量较高但热传递效率较低，最终使石墨舟内部产生一个较为均匀的热场，中间硅片温度和两侧硅片温度差距不大。

上述疏加热区和密加热区分别独立供电控制，可以根据工艺成膜情况单独微调疏加热区或密加热区的功率，以改变对应方向热场分布，对石墨舟温度分区化精细控制，从而优化硅片片间成膜均匀性，提高硅片良品率。可选地，在各个密加热区和疏加热区均设置有热偶孔40，方便插入热电偶对各加热区测温。

参见图2所示的加热炉体的主加热块的主视剖面图，示出了上下两侧的密加热区301，左右两侧的疏加热区302，加热丝303，加热丝引出线304以及主加热块内的石墨舟50。在加热丝303外设置有耐火材料305，在石墨舟50上设置有多个硅片501。

如图2所示，加热丝在绕丝排布时，各加热块的疏加热区和密加热区均单独引出出线，即上侧的密加热区加热丝为一组单独出线，下侧的密加热区加热丝为一组单独出线，左侧的疏加热区加热丝为一组单独出线，右侧的疏加热区加热丝为一组单独出线。可以理解的是，根据实际控制需要，可以将加热块分为两个加热区、四个加热区或者更多个加热区。

其中，加热丝均可以引出到耐火材料外侧并连接接线端子。为保证加热丝在跨疏密加热区连接引出时的安全性可靠性，加热丝在跨区连接时均套有绝缘陶瓷管，然后通过湿法成型技术固化在耐火材料中。

参见图3所示的炉口加热块或炉尾加热块的主视剖面图，加热丝303在圆周方向上均匀密集分布。由于炉口炉尾散热快，所需加热功率较大，为保证功率密度，加热丝在圆周上一般均匀密集分布，可以平分为对称的两组或四组加热丝，每组加热丝均单独出线控制。对于不同工艺炉体，若炉口加热块或炉尾加热块的加热丝如前述加热块疏密分布时仍满足功率需求，也可设计成加热丝疏密分布的非对称加热块。

图4是本发明的一个实施例中一种半导体热处理设备中加热炉体的控制方法的示意性流程图。图4的方法可以应用于非对称加热炉体，上述非对称加热炉体包括至少一个加热块，加热块包括疏加热区和密加热区，疏加热区与密加热区的加热元件的分布密度和/或电阻不同。疏加热区和密加热区在相同时长及供电条件下，辐射出的热量不同。疏加热区和密加热区分别独立供电控制。上述方法可包括：

s402，检测疏加热区和密加热区的温度。

在加热炉体上设置有温度检测装置，例如热电偶等，分别检测疏加热区和密加热区的温度。

s404，根据上述温度及预设温度阈值调节至少一个疏加热区，和/或至少一个密加热区的加热功率，以使非对称加热炉体内被加热体的温度均匀。

在使用加热炉体进行生产时，例如硅片镀膜等生产工艺过程，一般设置有需要达到的工艺温度或理想温度。可以根据上述工艺温度或理想温度确定预设温度阈值，可以为各疏加热区和密加热区分别设置温度阈值。

若检测得到的疏加热区或密加热区的实际温度与对应的上述温度阈值不同时，可以调节对应的疏加热区、密加热区的加热功率，最终使上述实际温度与温度阈值一致，从而保证非对称加热炉体内被加热体的温度均匀。可选地，采用比例积分微分控制(proportional-integral-derivativecontrol，pid)控制疏加热区和密加热区的温度。

其中，非对称加热炉体的各疏加热区和密加热区分别独立供电控制，可以对其加热功率分别单独控制，因此无需使用辅助加热管及其附属设备，可以降低能耗和设备成本。针对不同种类、形状的石墨舟以及不同工艺均匀性分布的石墨舟，可以独立调节任一加热块的某个疏加热区、密加热区的加热功率，以适应各种石墨舟及工艺的不同温度要求，无需进行停机更换加热件，提高了生产效率。

本实施例提供的半导体热处理设备中加热炉体的控制方法，应用于非对称加热炉体，其加热块包括分别独立供电控制的疏加热区和密加热区，两者的分布密度和/或电阻不同，可以根据疏加热区和密加热区的温度与预设温度阈值调节至少一个疏加热区，和/或至少一个密加热区的加热功率。通过独立控制任一疏加热区和密加热区的加热功率，可以将加热炉体内的温度分布调整至预设温度分布，能够适应各种不同温度要求，无需添加辅助加热件等设备以及停机更换加热件，降低了能耗和设备成本，提高了生产效率。

考虑到上述石墨舟的矩形结构，石墨舟的宽度方向上左右两侧区域与中间区域的温度可能存在差异，需要调节与左右两侧区域相对的疏加热区，或者与中间区域相对的密加热区的温度，以使石墨舟在宽度方向的温度均匀。若加热块包括多个疏加热区和多个密加热区，可以将至少两个疏加热区串联连接，和/或，将至少两个密加热区串联连接；以对多个疏加热区和多个密加热区同步进行调节。上述s404，可以包括以下步骤：

若串联的至少两个疏加热区的温度与第一阈值不同，则同步调节串联的至少两个疏加热区的加热功率；和/或，若串联的至少两个密加热区的温度与第二阈值不同，则同步调节串联的至少两个密加热区的加热功率。

为了便于对疏加热区和密加热区的串联方式进行说明，参见图5所示的加热炉体的一种接线示意图，图中a1～a4为炉口加热块10的接线端子，b1～b8为第一加热块31的接线端子，c1～c8为第二加热块32的接线端子，d1～d8为第三加热块33的接线端子，d1～d4为炉尾加热块20的接线端子。

第一加热块、第二加热块及第三加热块为非对称加热设计，可以划分为4个加热区，上下两个加热区为密加热区，左右两个加热区为疏加热区。

第一加热块31中，b1、b4和b2、b3分别为左右疏加热区的加热丝引出线接线端子，b5、b8和b6、b7分别为上下密加热区的加热丝引出线接线端子。将b1、b2短接，b3、b4短接后接三相电源可实现左右疏加热区的加热块内的跨密加热区的独立同步控制；将b5、b6短接，b7、b8短接后接三相电源可实现上下密加热区的加热块内跨疏加热区的独立同步控制；疏加热区和密加热区控制相互独立。

同理，第二加热块中c1～c8接线端子和第三加热块中d1～d8接线端子接线方式同第一加热块，均可实现加热块内疏加热区和密加热区的块内跨区独立控制。所有接线端子外接三相电源时采用三角形连接方式，调整各端子所接相，保证三相负载对称。

基于上述加热区的接线方式，若加热块的上下两个密加热区的温度与阈值温度不一致，可以同步调节上下两个密加热区的加热功率；若加热块的左右两个疏加热区的温度与阈值温度不一致，可以同步调节左右两个疏加热区的加热功率。基于上述接线方式，可以进行加热块内跨区独立控制，同步调节该加热块内多个疏加热区或多个密加热区的功率，实现该加热块范围内石墨舟宽度方向上的中间和两侧温度调节，降低控制复杂度，适应不同种类石墨舟或不同工艺均匀性分布的石墨舟。

针对上述石墨舟的宽度方向上温度存在差异的情况，还可以针对属于不同加热块的疏加热区或密加热区同步调节。若非对称加热炉体包括多个加热块，可以将至少两个属于不同加热块的疏加热区串联连接，和/或，可以将至少两个属于不同加热块的密加热区串联连接；以对属于不同加热块的多个疏加热区同步进行调节，或者对属于不同加热块的多个密加热区同步进行调节。上述s404，可以包括以下步骤：

若串联的疏加热区的温度与第三阈值不同，则同步调节串联的疏加热区的加热功率，和/或，若串联的密加热区的温度与第四阈值不同，则同步调节串联的密加热区的加热功率。

如图5所示，可以将第一加热块、第二加热块、第三加热块的所有疏加热区短接且所有密加热区短接后外接三相电源，即b1、b2、c1、c2、d1、d2短接，b3、b4、c3、c4、d3、d4短接后接三相电源，实现所有疏加热区的独立同步控制，将b5、b6、c5、c6、d5、d6短接，b7、b8、c7、c8、d7、d8短接后接三相电源，实现所有密加热区的同步控制，从而同步减小石墨舟的整个长度方向的中间和两侧温度差。

基于上述接线方式，可以进行加热块间跨区控制，同步调节某几段加热块的疏加热区或密加热区的温度，以适应不同种类石墨舟或不同工艺均匀性分布的石墨舟。

考虑到可能存在石墨舟的两侧区域在长度方向上均匀性较好，中间区域在长度方向上均匀性稍差的情况，可以针对属于不同加热块的疏加热区同步调节，而对各加热块的密加热区分别独立调节；同理，也可以针对属于不同加热块的密加热区同步调节，而对各加热块的疏加热区分别独立调节。若非对称加热炉体包括多个加热块，可以将至少两个属于不同加热块的疏加热区串联连接且至少两个属于同一加热块的密加热区串联连接，和/或，可以将至少两个属于不同加热块的密加热区串联连接且至少两个属于同一加热块的疏加热区串联连接。上述s404，可以包括以下步骤：

若串联的疏加热区的温度与第五阈值不同，则同步调节串联的疏加热区的加热功率，和/或，若串联的密加热区的温度与第六阈值不同，则同步调节串联的密加热区的加热功率。

如图5所示，可以将第一加热块、第二加热块、第三加热块的所有疏加热区短接，而第一加热块、第二加热块、第三加热块的密加热区分别短接，即将b1、b2、c1、c2、d1、d2短接，b3、b4、c3、c4、d3、d4短接后接三相电源，实现3个加热块的所有疏加热区的同步独立控制，将第一加热块31的b5、b6短接，b7、b8短接后接三相电源，第二加热块32的c5、c6短接，c7、c8短接后接三相电源，第三加热块33的d5、d6短接，d7、d8短接后接三相电源。上述接线方式可实现每个加热块中间区域的独立控制，减小石墨舟长度方向上中间区域温度差。

针对炉口加热块和炉尾加热块，示例性地，可以采用对称加热设计，即加热丝均匀分布。若加热块还包括多个均匀加热区，各均匀加热区的分布密度或电阻相同且独立供电控制；上述方法还可以包括以下步骤：根据均匀加热区的温度及预设温度阈值，调节至少一个均匀加热区的加热功率，以使非对称加热炉体内的加热体温度均匀。

如图5所示，炉口加热块和炉尾加热块各包括两组加热丝。在炉口加热块中，a1、a2为其中一组加热丝接线端子，a3、a4为另一组加热丝接线端子，可以将a1、a3短接、将a2、a4短接后接到三相电源；炉尾加热块接线与炉口加热块相同，e1、e2为其中一组加热丝接线端子，e3、e4为另一组加热丝接线端子，可以将e1、e3短接、将e2、e4短接后接三相电源。

需要说明的是，可以根据工艺改变加热炉体的供电接线方式，从而将石墨舟分成任意象限进行控制。任意接线方式接线端子外接三相电源时可以均采用三角形连接方式，调整各端子所接相，保证三相负载对称。

在镀膜时，石墨舟主要位于主加热块区域。硅片在主加热区反应室内均匀竖直排列，左右距炉体较近，上下距炉体较远。若需要调节疏加热区或密加热区的加热功率，可以只需控制供电电流即可。疏密加热区独立控制的非对称加热炉体，可以根据工艺结果需要调整石墨舟舟片中间、两侧区域的硅片温度，以及石墨舟前段，中段、后段区域的硅片温度，从而生产得到片间均匀性一致的镀膜硅片。

参见图6所示的加热炉体及其附属零件安装完成后的装置示意图，在加热体外包裹有炉壳60和炉体端板70，加热块各加热区的加热丝引出线分别穿过绝缘陶瓷套由炉壳60和绝缘陶瓷固定件80引出焊接在引线连接件90上。在疏加热区安装有疏加热区热偶固定架100，在密加热区炉壳外分别安装有密加热区热偶固定架110，用于固定测温热偶。

表1为非对称加热炉体与其他炉体的工艺实验结果对比表，该非对称加热炉体的炉口炉尾为对称加热区，中间为非对称加热区，该非对称加热区的疏密加热区独立控制方式如图5所示的方式接线。由表1可知：普通炉体工艺时长为39min，疏密加热区独立控制的非对称炉体工艺时长为34min，该炉体比普通炉体工艺时间更短；片间膜厚不均匀性普通炉体为6.15％，疏密加热区独立控制非对称炉体片间膜厚不均匀性为4.10％，该炉体比普通炉体成膜更均匀。实验表明，该非对称加热炉体与辅助加热普通炉体各工艺参数相近。

表1

表2为非对称加热炉体与其他炉体的功率对比表，在升温(0-500℃)和工艺阶段，辅助加热(三根)普通炉体能耗比疏密加热区独立控制非对称炉体分别高3.2kwh和2.4kwh。

表2

表3为非对称加热炉体根据已有工艺数据对疏加热区和密加热区多次独立调节的结果，可以看到，疏密加热区独立控制调节后工艺时间缩短为32min，片间膜厚不均匀性降低到3.27％，从而提高产能，提高硅片光电转换效率。

表3

本实施例提供的半导体热处理设备中加热炉体的控制方法，加热炉体采用非对称加热设计，每个加热块的密加热区和疏加热区均单独出线控制，有效提高石墨舟中间区域加热效率及硅片工艺均匀性，且无需使用辅助加热管和变压器，可以降低能耗和设备成本；加热块内跨区独立控制，可以调节该段疏加热区或密加热区的功率，实现该加热块范围内石墨舟宽度方向上中间和两侧温度调节；加热块间跨区控制，可以同步调节某几段疏加热区或密加热区的功率，实现石墨舟长度方向上的温度调节；从而适应不同种类石墨舟或不同工艺均匀性分布的石墨舟。

图7是本发明的一个实施例中一种半导体热处理设备中加热炉体的控制装置的结构示意图，该加热炉体的控制装置应用于非对称加热炉体，该非对称加热炉体包括至少一个加热块，加热块包括疏加热区和密加热区，疏加热区与密加热区的加热元件的分布密度和/或电阻不同，疏加热区及密加热区分别独立供电控制；该控制装置包括：

检测模块71，用于检测疏加热区及密加热区的温度；

控制模块72，用于根据温度及预设温度阈值调节至少一个疏加热区，和/或至少一个密加热区的加热功率，以使非对称加热炉体内被加热体的温度均匀。

本实施例提供的半导体热处理设备中加热炉体的控制装置，通过独立控制任一疏加热区和密加热区的加热功率，可以将加热炉体内的温度分布调整至预设温度分布，能够适应各种不同温度要求，无需添加辅助加热件等设备以及停机更换加热件，降低了能耗和设备成本，提高了生产效率。

本实施例还提供了一种半导体热处理设备中的加热炉体，包括控制器和至少一个加热块，加热块包括疏加热区和密加热区，疏加热区与密加热区的加热元件的分布密度和/或电阻不同，疏加热区及密加热区分别独立供电控制；控制器用于执行前述实施例提供的加热炉体的控制方法。

本实施例提供的半导体热处理设备中的加热炉体，加热块包括独立控制的疏加热区和密加热区，可以独立控制任一疏加热区和密加热区的加热功率，将加热炉体内的温度分布调整至预设温度分布，能够适应各种不同温度要求，无需添加辅助加热件等设备以及停机更换加热件，降低了能耗和设备成本，提高了生产效率。

可选地，作为一个实施例，加热块包括多个疏加热区和多个密加热区，至少两个疏加热区串联连接，和/或，至少两个密加热区串联连接。

可选地，作为一个实施例，非对称加热炉体包括多个加热块，至少两个属于不同加热块的疏加热区串联连接，和/或，至少两个属于不同加热块的密加热区串联连接。

可选地，作为一个实施例，非对称加热炉体包括多个加热块，至少两个属于不同加热块的疏加热区串联连接且至少两个属于同一加热块的密加热区串联连接，和/或，至少两个属于不同加热块的密加热区串联连接且至少两个属于同一加热块的疏加热区串联连接。

本实施例还提供了一种半导体热处理设备，该半导体热处理设备包括前述实施例提供的加热炉体。

本实施例提供的加热炉体、半导体热处理设备能够实现上述半导体热处理设备中加热炉体的控制方法的实施例中的各个过程，且能达到相同的技术效果，为避免重复，这里不再赘述。

本实施例还提供一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述半导体热处理设备中加热炉体的控制方法实施例的各个过程，且能达到相同的技术效果，为避免重复，这里不再赘述。其中，计算机可读存储介质可以选择为，如：只读存储器(read-onlymemory，简称rom)、随机存取存储器(randomaccessmemory，简称ram)、磁碟或者光盘等。

当然，本领域技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，可以通过计算机程序指令控制装置来完成，计算机程序可存储于一计算机可读取的存储介质中，计算机程序在执行时可包括如上述各方法实施例的流程，其中存储介质可为存储器、磁盘、光盘等。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的半导体热处理设备中加热炉体的控制装置、半导体热处理设备中的加热炉体及半导体热处理设备而言，由于其与上述实施例公开的半导体热处理设备中加热炉体的控制方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。