技术特征：
1.一种晶圆承载盘，其特征在于，所述晶圆承载盘用以承载至少一晶圆，包括：至少一加热单元，包括至少一加热线圈，用以加热所述晶圆承载盘承载的所述晶圆；一绝缘导热单元，设置于所述加热单元上；及一导电部，设置于所述绝缘导热单元上，并电性连接一偏压电源，其中所述绝缘导热单元位于所述加热单元与所述导电部之间，并电性隔离所述加热单元及所述导电部。2.根据权利要求1所述的晶圆承载盘，其特征在于，其中所述加热线圈包括一第一加热线圈及一第二加热线圈，其特征在于，所述第二加热线圈位于所述第一加热线圈的外围。3.根据权利要求2所述的晶圆承载盘，其特征在于，包括复数个温度感测单元，而所述第一加热线圈及所述第二加热线圈分别用以加热所述晶圆承载盘的一第一区域及一第二区域，并透过所述温度感测单元分别量测所述晶圆承载盘的所述第一区域及所述第二区域的温度。4.根据权利要求1所述的晶圆承载盘，其特征在于，包括一支撑件连接所述晶圆承载盘，所述支撑件内设置至少一第一导电单元，电性连接所述偏压电源及所述导电部，所述偏压电源经由所述第一导电单元在所述导电部形成一偏压。5.根据权利要求4所述的晶圆承载盘，其特征在于，其中所述偏压电源为一交流电源，并经由所述导电单元在所述导电部上形成一交流偏压。6.根据权利要求4所述的晶圆承载盘，其特征在于，包括至少一第二导电单元位于所述支撑件内，并电性连接所述加热线圈。7.一种薄膜沉积装置，其特征在于，包括：一腔体，包括一容置空间；一晶圆承载盘，位于所述容置空间内，并用以承载至少一晶圆，包括：至少一加热单元，包括至少一加热线圈，用以加热所述晶圆承载盘承载的所述晶圆；一导电部，位于所述加热单元上方，并电性连接一偏压电源，其中所述偏压电源用以在所述导电部上形成一偏压；及一绝缘导热单元，位于所述加热单元与所述导电部之间，并用以隔绝所述加热单元及所述导电部；及至少一进气口，流体连接所述腔体的所述容置空间，并用以将一制程气体输送至所述容置空间。8.根据权利要求7所述的薄膜沉积装置，其特征在于，包括一支撑件连接所述晶圆承载盘，所述支撑件内设置至少一第一导电单元，电性连接所述偏压电源及所述导电部，所述偏压电源经由所述第一导电单元在所述导电部形成所述偏压。9.根据权利要求8所述的薄膜沉积装置，其特征在于，包括至少一第二导电单元位于所述支撑件内，电性连接所述加热线圈，而所述加热线圈包括一第一加热线圈及一第二加热线圈，所述第二加热线圈位于所述第一加热线圈的外围。10.根据权利要求7所述的薄膜沉积装置，其特征在于，包括一驱动单元连接所述支撑件，并通过所述支撑件带动所述晶圆承载盘位移。
技术总结
本发明为一种晶圆承载盘，主要包括一加热单元、一绝缘导热单元及一导电部，其中绝缘导热单元则位于导电部及加热单元之间。晶圆承载盘用以承载至少一晶圆，其中导电部比加热单元靠近晶圆。在沉积时可在导电部上形成一交流偏压，以吸引导电部上方的电浆。加热单元包括至少一加热线圈，其中加热线圈经由绝缘导热单元及导电部加热晶圆承载盘承载的晶圆。绝缘导热单元电性隔离加热单元及导电部，以避免加热线圈上的交流电流及导电部的交流偏压相互导通，使得晶圆承载盘可产生稳定的交流偏压及温度，以利于在晶圆承载盘承载的晶圆表面形成均匀的薄膜。的薄膜。的薄膜。
技术研发人员：林俊成 王俊富
受保护的技术使用者：鑫天虹(厦门)科技有限公司
技术研发日：2021.02.26
技术公布日：2022/8/29