一种ito机台的复机方法
技术领域：
：1.本发明涉及半导体电子
技术领域：
：，特别涉及一种ito机台的复机方法。
背景技术：
：：2.led(lightemittingdiode，发光二极管)，是一种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件。因ito薄膜具有良好的导电性及透光率，在led芯片生产端通常会利用ito机台生长一层ito薄膜，可增加led的发光效率。3.目前，ito薄膜制备采用较广的是直流磁控溅射法及配置相应的ito溅射机台。ito薄膜生长时需要在真空腔体中进行，随着腔内ito厚度的增加需要定期(一般规定300run)进行机台pm(设备维护保养)、开腔更换衬板及清洁保养。由于保养时ito机台腔体需破真空，ito靶材及腔体与空气接触，而ito有较强的吸水性，会吸收空气中的水分产生化学反应而质变；且保养时更换的新衬板没有进行底膜覆盖，因此ito靶材长时间冷却及腔体气体氛围的改变，导致在每次机台pm后，需要较长的复机时间进行腔体氛围恢复及靶材预热。且维护后的前30run次，未能获得较高的载流子迁移率，造成电流扩展差、影响出光效率等问题。技术实现要素：4.本发明所要解决的技术问题是：提供一种ito机台的复机方法，能够通过在设备维护保养后快速复机并提升芯片出光效率。5.为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：6.一种ito机台的复机方法，包括步骤：7.s1、对ito机台进行开腔维护后，在ito机台中执行预热覆盖程序，在所述预热覆盖程序中，持续9～11分钟对ito机台的腔体通入90～110sccm的氩气，并设置直流电源为390～410w，射频电源为590～610w；8.s2、在量产过程中将所述ito机台总水温提高至22℃，并将靶材及机台工作台的水流量均设置在5l/min以下。9.本发明的有益效果在于：对ito机台进行开腔维护后，在ito机台中执行预热覆盖程序，在执行预热覆盖程序的过程中，通入90～110sccm的氩气流量，并且同步增加预热覆盖时的直流电源功率和射频电源功率，能够有效的提高腔体内氩气的氛围环境，保持靶面及腔体洁净度。在量产过程中提高ito机台总水温至22℃并将靶材及工作台的水流量设置在5l/min以下，能够在复机后的整个量产阶段均获得较高的载流子迁移率，增加电流的有效扩散，从而提高发光效率。附图说明10.图1为本发明实施例的一种ito机台的复机方法的流程图；11.图2为现有技术中的ito机台的复机流程图；12.图3为本发明实施例的ito机台的复机流程图。具体实施方式13.为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。14.请参照图1，本发明实施例提供了一种ito机台的复机方法，包括步骤：15.s1、对ito机台进行开腔维护后，在ito机台中执行预热覆盖程序，在所述预热覆盖程序中，持续9～11分钟对ito机台的腔体通入90～110sccm的氩气，并设置直流电源为390～410w，射频电源为590～610w；16.s2、在量产过程中将所述ito机台总水温提高至22℃，并将靶材及机台工作台的水流量均设置在5l/min以下。17.从上述描述可知，本发明的有益效果在于：对ito机台进行开腔维护后，在ito机台中执行预热覆盖程序，在执行预热覆盖程序的过程中，通入90～110sccm的氩气流量，并且同步增加预热覆盖时的直流电源功率和射频电源功率，能够有效的提高腔体内氩气的氛围环境，保持靶面及腔体洁净度。在量产过程中提高ito机台总水温至22℃并将靶材及工作台的水流量设置在5l/min以下，能够在复机后的整个量产阶段均获得较高的载流子迁移率，增加电流的有效扩散，从而提高发光效率。18.进一步地，所述步骤s1具体为持续10分钟对ito机台的腔体通入100sccm的氩气。19.由上述描述可知，在腔体内通入100sccm的氩气，并维持10分钟的通气时间，能够减少腔体杂气残留。20.进一步地，所述步骤s1具体为设置直流电源为400w，射频电源为600w。21.由上述描述可知，设置直流电源为400w，射频电源为600w，能够加大靶材表面的溅射清洁效果及腔体氛围覆盖速度。22.进一步地，所述在ito机台中执行预热覆盖程序包括：23.在ito机台启动后将ito机台的腔体抽真空至1.0e-6mbar，进行靶材预热并将ito涂层负载在ito机台的腔体中。24.由上述描述可知，ito机台开腔维护后，抽真空并执行预热覆盖程序，能够进行靶材预热并将ito涂层用于腔体覆盖，从而恢复腔体氛围。25.进一步地，所述步骤s1之后包括：26.判断所述预热覆盖程序后所述ito涂层的厚度是否符合预设厚度，若是，则执行步骤s2。27.由上述描述可知，在预热覆盖程序之后进行ito涂层的膜厚验证，从而保证后续量产作业的质量。28.进一步地，将所述ito机台总水温提高至22℃包括：29.将靶材的水温和机台工作台的水温均提高至22℃。30.进一步地，所述步骤s2中，靶材的水流量为4.8l/min，机台工作台的水流量为1.0l/min。31.由上述描述可知，通过调整总水温、调整靶材及工作台的水流量，改变靶材热效应及基底温度，从而复机后的整个量产阶段均能获得较高的载流子迁移率，降低薄膜电阻率，增加电流有效扩散，保证电压及亮度的有效提升。32.本发明上述的一种ito机台的复机方法，适用于led的ito薄膜制备过程中对ito机台进行复机，通过在设备维护保养后快速复机并提升芯片出光效率，以下通过具体的实施方式进行说明：33.实施例一34.请参照图1，一种ito机台的复机方法，包括步骤：35.s1、对ito机台进行开腔维护后，在ito机台中执行预热覆盖程序，在所述预热覆盖程序中，持续9～11分钟对ito机台的腔体通入90～110sccm的氩气，并设置直流电源为390～410w，射频电源为590～610w。36.其中，步骤s1具体为持续10分钟对ito机台的腔体通入100sccm的氩气，同步设置直流电源为400w、射频电源为600w。37.预热覆盖程序具体为在ito机台启动后将ito机台的腔体抽真空至1.0e-6mbar，进行靶材预热并将ito涂层负载在ito机台的腔体中。38.判断所述预热覆盖程序后所述ito涂层的厚度是否符合预设厚度，若是，则执行步骤s2。39.s2、在量产过程中将所述ito机台总水温提高至22℃，并将靶材及机台工作台的水流量均设置在5l/min以下。40.其中，在本实施例中，在量产过程中将靶材的水温和机台工作台的水温均提高至22℃，并设置靶材的水流量为4.8l/min，机台工作台的水流量为1.0l/min。41.因此，在本实施例中，对ito机台进行开腔维护后，在ito机台中执行预热覆盖程序，在执行预热覆盖程序的过程中，通入100sccm的氩气流量，并且同步增加预热覆盖时的直流电源功率和射频电源功率，能够有效的提高腔体内氩气的氛围环境，保持靶面及腔体洁净度。对预热覆盖程序中涂覆的ito涂层进行膜厚验证，当膜厚符合规定要求后进行量产。在量产过程中提高ito机台总水温至22℃并将靶材的水流量设置为4.8l/min，工作台的水流量设置在1.0l/min，能够在复机后的整个量产阶段均获得较高的载流子迁移率，增加电流的有效扩散，从而提高发光效率。42.实施例二43.本实施例与实施例一的不同之处在于，提供了具体的ito复机流程，具体为：44.请参照图2，在现有的复机流程中，开腔维护后的ito机台需要运行4次预热覆盖程序(coating)，其中每次coating均需要维持1分钟70sccm的ar，射频电源(radiofrequency，rf)410w，直流电源(directcurrent，dc)300w，总时长约为6小时，用于靶材表面的清洁及机台腔体内部成膜，从而保证后续ito作业的靶材洁净及腔体氛围的稳定性，然后再进行qc(qualitycontrol，质量控制)膜厚验证，按标准验证首炉产品是否符合规定要求，才能进行量产作业，此过程约2h。验证的ito膜厚正常，随后才进行ito薄膜生产的量产过程。但是现有的复机流程中，量产时前30run无法有效提高载流子迁移率的不稳定状态。45.请参照图3，本实施例中，ito复机包括以下步骤：46.(1)、ito机台开腔维护后，启动ito机台抽真空至1.0e-6mbar，进行coating，通过靶材预热并将ito涂层用于腔体覆盖，恢复腔体氛围，腔体通入100sccm流量的ar，这个数值相对于现有的70sccm提升了42％，并维持10分钟的通气时间，减少腔体杂气残留。调整rf由410w提高到600w，提升了46％，dc电源由300w提高到400w，提升了33％。加大靶材表面的溅射清洁效果及腔体氛围覆盖速度，时长约为3小时，本实施例相比现有的coating预热覆盖程序，将原本4次预热覆盖程序调整为1次预热覆盖程序，节约50％预热覆盖时间，经多次实验验证所提高的ar及电源功率对靶材清洁及腔体覆盖有较好的效果。47.(2)、在量产过程中，调整机台总水温、靶材及table(机台内部真空状态用于放置待溅射片源的工作台)水流量：机台水温由21℃提高到22℃，机台水温提高4.7％，靶材及table水温同时由21℃提高4.7％到22℃，靶位水流量从9l/min减少50％至4.8l/min，table水流量从9l/min减少到1.0l/min，水流量下降88％；经长期实验验证保持新的水流量下电流扩展及亮度提升效果最佳。48.在本实施例中，大流量ar充满腔体，并维持10分钟的通量，使得腔体氛围中ar组分充足，减少腔体杂气残留，对于保养后新更换的衬板及靶材优先接触反应，同时提高dc与rf功率，加大靶材溅射速率，快速覆盖腔体氛围的同时也对靶材表面残留的杂质或产生的质变进行清洁，保持靶面及腔体洁净度减少靶面毒化，避免对电阻率产生影响。而调整总水温、调整靶材及table水流量，改变靶材热效应及基底温度，使其在复机后的整个量产阶段均能获得较高的载流子迁移率，降低薄膜电阻率，增加电流有效扩散，保证电压及亮度的有效提升。49.综上所述，本发明提供的一种ito机台的复机方法，ito机台复机后运行大流量ar及高功率复机程序，其中大流量ar充满腔体，使得腔体氛围中ar组分充足，减少腔体杂气残留，对于保养后新更换的衬板及靶材优先接触反应，同时提高dc与rf功率，加大靶材溅射速率，在快速覆盖腔体氛围的同时也对靶材表面残留的杂质或产生的质变进行清洁，减少靶面毒化，避免对电阻率产生影响。并调整总水温、改变靶材及table水流量，改变靶材热效应，使其在复机后的整个量产阶段均能获得较高的载流子迁移率，降低薄膜电阻率，增加电流有效扩散，保证电压稳定及亮度的有效提升。50.以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的
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：，均同理包括在本发明的专利保护范围内。当前第1页12当前第1页12