部分的类似比例或百分比，也可以应用于图4中耐腐蚀颗粒23提供的覆盖率。
[0045]图5A—图5C为根据一个实施方案具有多个导电陶瓷颗粒32和用于将导电陶瓷颗粒32结合于耐腐蚀金属衬底30表面上的耐腐蚀结合金属34的结构的示意性剖视图。图5A—图5C中的耐腐蚀金属衬底30可基本上相似，S卩，可由与以上关于图1A至图3描述的耐腐蚀金属衬底10或20基本上相同的材料构成。
[0046]在图5A中，示出了在沉积具有耐腐蚀结合金属34的导电性陶瓷颗粒32之前的耐腐蚀金属衬底30。在图5B中，沉积于耐腐蚀金属衬底30上表面上的导电性陶瓷颗粒32可包括例如金属碳化物、金属硼化物或金属氮化物。每个导电性陶瓷颗粒32可具有置于其外表面至少一部分上的耐腐蚀结合金属或合金34。在某些实施方案中，可将导电性陶瓷颗粒32和耐腐蚀结合金属34混合或形成为复合物。耐腐蚀结合金属34可包括例如钛、铌、锆、金、钯、铂、铱、钌或耐腐蚀合金(如，哈斯特洛伊合金(hastell0y)C-276、不锈钢或者基于例如铁、铬、镍、钛或锆的合金)。导电性陶瓷颗粒32用作高导电性接触点，以降低耐腐蚀金属衬底30的接触电阻，结合金属34用于将导电性陶瓷颗粒32结合至衬底30。
[0047]如图5B所示，具有耐腐蚀结合金属34的导电性陶瓷颗粒32可热喷射和/或结合至耐腐蚀金属衬底30的表面上。在热喷射时，耐腐蚀结合金属34熔融作为热喷射工艺的一部分，并可导致耐腐蚀结合金属34的小团或小片(例如，金属34a)沉积于耐腐蚀金属衬底30的上表面上。然而，金属34a无需不利地影响耐腐蚀金属衬底30的导电性或耐腐蚀性。作为喷射和/或结合工艺的结果，导电性陶瓷颗粒32可与至少一个其它导电性颗粒32隔离、连接、和/或与至少一个其它导电性颗粒32交叠。在热喷射沉积后，导电性陶瓷颗粒32可被耐腐蚀结合金属34部分或完全覆盖。
[0048]图5C示出了耐腐蚀结合金属34的至少一个部分从导电性陶瓷颗粒32上移除。移除可通过化学蚀刻工艺、电化学抛光工艺或机械抛光工艺进行。在一个实施例中，在化学蚀刻工艺过程中，耐腐蚀结合金属34的移除量可基于蚀刻速率和工艺持续时间。通过移除耐腐蚀结合金属34的一部分，暴露出导电性陶瓷颗粒32，并可用作高导电性接触点，以降低耐腐蚀金属衬底30的接触电阻。耐腐蚀结合金属34可用于将导电性陶瓷颗粒32连接至耐腐蚀金属衬底30。在某些实施方案中，耐腐蚀金属衬底30和耐腐蚀结合金属34可通过钝化工艺，以进一步提高其耐腐蚀性能。钝化工艺的一个实施例包括用于生长致密的氧化物层的热氧化工艺，在另一个实施例中，阳极氧化或类似工艺可用作钝化工艺。
[0049]可沉积导电性陶瓷颗粒32，以覆盖耐腐蚀金属衬底30上表面的一部分，该部分小于耐腐蚀金属衬底30的整个表面。如上述在图1A中描述的关于耐腐蚀金属衬底10的上表面区域被金属衬垫12覆盖部分的类似比例或百分比，也可以应用于图5A-5C中导电性陶瓷颗粒23提供的覆盖率。
[0050]图6A-6C为根据一个实施方案包括沉积于耐腐蚀金属衬底40表面上的、具有导电性内含物44的合金颗粒42的结构的示意性剖视图。导电性内含物44为在合金42中经过适当热处理后产生的沉淀物。导电性内含物44可用作高导电性接触点，用以接触例如电化学装置中的金属部件。图6A—图6C中的耐腐蚀金属衬底40可基本上相似，即，可由与以上关于图1A至图3描述的耐腐蚀金属衬底10或20基本上相同的材料构成。合金颗粒42可以是可作为导电性内含物44的前体的初始材料。
[0051]在图6A中，合金颗粒42可由不锈钢、铬、钼、钨或铌制成，或者由包含铬、钼、钨或铌且碳含量低于9%、硼含量低于5%、或氮含量低于1%的合金制成。在一个实施方案中，合金颗粒42可喷射(例如，热喷射)和/或结合至耐腐蚀金属衬底40的表面。在另一个实施方案中，合金颗粒42可通过溅射工艺或镀层工艺沉积至耐腐蚀金属衬底40的表面上。美国专利号6，379，476描述了一种在特殊配方的不锈钢衬底中使用具有高碳、氮和/或硼浓度的导电性内含物提高不锈钢表面导电性的方法，其全部内容通过弓I用结合于此。作为喷射和/或结合工艺的结果，合金颗粒42可被隔离、连接或交叠，并且可覆盖耐腐蚀金属衬底40的表面的一部分。
[0052]在图6B中，合金颗粒42在受控条件下被加热或热处理，从而使衬垫42中的碳、氮和/或硼沉淀为金属碳化物、金属氮化物和/或金属硼化物内含物44的形式。图6C示出了通过化学蚀刻工艺、电化学抛光工艺或机械抛光工艺移除衬垫42的顶部部分，以暴露出表面上的内含物，从而使内含物44暴露。这些暴露的内含物可用作高导电性接触点，从而为耐腐蚀金属衬底40的表面提供低接触电阻。在暴露导电性内含物44之后合金颗粒42存留的部分可用于将导电性内含物44连接至耐腐蚀金属衬底40 ο在某些实施方案中，耐腐蚀金属衬底40可通过钝化工艺，以进一步提高其耐腐蚀性。
[0053]如前所述，可沉积合金42，以覆盖耐腐蚀金属衬底40上表面的一部分，该部分小于耐腐蚀金属衬底40的整个表面或全部表面。此外，当覆盖小于耐腐蚀金属衬底40的整个表面时，如上述在图1A中描述的关于耐腐蚀金属衬底10的上表面区域被金属衬垫12覆盖部分的类似比例或百分比，也可以应用于图6A-6C中衬垫42提供的覆盖率。
[0054]图7为根据一个实施方案包括生长于触媒52上的多个碳纳米管54的结构的示意性剖视图，触媒52沉积在耐腐蚀金属衬底50的表面上。图7所示耐腐蚀金属衬底50可基本上相似，即，可由与以上关于图1A至图3描述的耐腐蚀金属衬底10或20基本上相同的材料构成。触媒52可以是可作为碳纳米管54的前体的初始材料。
[0055]碳纳米管54可用作高导电性接触点，以降低耐腐蚀金属衬底50的接触电阻。触媒52的薄层用于使碳纳米管54能够在耐腐蚀金属衬底50上生长。在某些实施方案中，碳纳米管54可基本上生长于耐腐蚀金属衬底50的整个上表面上。在其它实施方案中，碳纳米管54可生长于耐腐蚀金属衬底50的上表面的一个或多个部分上。在某些实施方案中，例如当耐腐蚀金属衬底50为含镍合金结构时，有可能从耐腐蚀金属衬底50直接生长碳纳米管54而无需触媒52。
[0056]生长碳纳米管54时，在金属表面上沉积非常薄的触媒52层。触媒52可包括镍、铁、铂、钯和/或具有相似特性的其它材料。可沉积触媒52，以使其基本上覆盖耐腐蚀金属衬底50的整个上表面，或者可沉积触媒52，以覆盖耐腐蚀金属衬底50表面的一个或多个部分。将具有触媒52的耐腐蚀金属衬底50置于反应室中，从而通过化学汽相沉积(CVD)工艺或等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)工艺在触媒52上生长碳纳米管54。在需要时，在碳纳米管54牢固地附着于耐腐蚀金属衬底50的上表面后，可通过化学蚀刻工艺或电化学蚀刻工艺移除可存在于碳纳米管54的顶部上的触媒52。在某些实施方案中，耐腐蚀金属衬底50可通过钝化工艺以提高其耐腐蚀性。
[0057]图8为根据一个实施方案包括位于沉积在耐腐蚀金属衬底60表面上的耐腐蚀涂层62之上的多个高导电性接触点64的结构的示意性剖视图。耐腐蚀涂层62可具有较耐腐蚀金属衬底60更佳的耐腐蚀特性。通过在耐腐蚀金属衬底60的表面上沉积耐腐蚀涂层62而后在耐腐蚀涂层62表面的一部分上沉积导电材料薄层(如高导电性接触点64)，可获得耐腐蚀金属衬底60的更佳耐腐蚀性和低接触电阻。
[0058]耐腐蚀金属衬底60可包括低成本的碳素钢、不锈钢、铜和/或铝、和/或由这些材料中的任一种构成的合金。在一个实施例中，耐腐蚀涂层62可包括钛、锆、铌、镍、铬、锡、钽和/或硅、和/或由这些材料中的任一种构成的合金。在另一个实施例中，耐腐蚀涂层62可包括导电性或半导电性化合物，例如碳化硅或碳化铬、氮化钛。耐腐蚀层62的厚度可处于约I纳米至约50微米范围内。在某些实施方案中，耐腐蚀层62的厚度可处于例如I纳米至100纳米、I纳米至200纳米、I纳米至10微米、0.01微米至0.5微米、0.01微米至I微米、I微米至5微米、I微米至10微米、10微米至20微米、10微米至50微米或20微米至50微米范围内，在某些实施方案中可希望处于I纳米至10微米范围内。
[0059]耐腐蚀涂层62可通过汽相沉积工艺(例如PVD或CVD)或者镀层工艺置于耐腐蚀金属衬底60的上表面上。通过对耐腐蚀涂层62施加相对较厚的涂层，可使通常在涂覆衬底时出现的缺陷的数量和/或尺寸降至最小。此外，为提高耐腐蚀涂层62对耐腐蚀金属衬底60的附着力，具有耐腐蚀涂层62的耐腐蚀金属衬底60可通过适当的热处理(例如结合工艺)。例如，具有耐腐蚀层62的耐腐蚀金属衬底60可在空气中450摄氏度下热处理约I小时。此类热处理还可用于使通常作为由PVD工艺沉积的涂层的结果而出现的小孔的数量和/或尺寸消除或降至最小。在某些实施方案中，为增强耐腐蚀涂层62的耐腐蚀性，可在导电衬垫64沉积之前或之后于耐腐蚀涂层62上实施表面钝化处理。
[0060]如上述关于图1A—2B的描述，高导电性接触点64可包括例如金、钯、铂、铱、钌、铌和/或锇。如上述关于图3— 7的描述，高导电性接触点64也可包括例如氮化物、碳化物、硼化物或碳纳米管。