Ito-pvd 设备抽真空控制的方法及系统的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种ITO-PVD设备抽真空控制的方法。
【背景技术】
[0002]物理气相沉积(Physical Vapor Deposit1n, PVD)是指在真空条件下,采用低电压、大电流的电弧放电技术，利用气体放电使靶材蒸发，并使蒸发物质与气体均发生电离，利用电场的加速作用，使被蒸发物质及其反应产物沉积在工件上。此技术广泛应用于1C、LED、光伏、平板显示等领域。
[0003]近几年来，由于发光二极管(LED)的巨大市场需求，GaN基LED被广泛应用于大功率照明灯、汽车仪表显示、大面积的户外显示屏、信号灯，以及普通照明等不同领域。掺锡氧化铟(IndiumTinOxide),—般简称为ΙΤ0。ITO薄膜作为一种透明导电薄膜与传统的金属薄膜相比具有可见光透过率高、导电性好、抗磨损、耐腐蚀等优点，且ITO薄膜和GaN之间粘附性好。由于这些特性，ITO被广泛的应用于GaN基芯片的电极材料。
[0004]ITO PVD设备在工艺加工过程中，加载腔室，预热腔室，传输腔室以及ITO工艺腔室等都会要求真空条件。由于各腔室对真空度的要求不尽相同，所以腔室保证真空条件所使用的真空泵也有所区别。加载腔室、预热腔室对真空度要求相对较低，所以使用系统干泵即可以满足要求；PM (Process Module)腔室是ITO工艺腔室，对真空度要求较高，必须使用高真空泵来满足条件；传输腔室较特殊，由于其中的机械手需要跟每个腔室进行交互(尤其是高真空的PM腔室)，其真空要求是■?与PM腔室进行传片时对其真空度的改变基本不影响ITO工艺结果。在传统工艺中对传输腔室也配有一个冷泵，与系统干泵搭配对传输腔室进行抽真空。此种方法设备成本高,不利于生产加工。
[0005]综上所述，如何提供一种满足工艺加工真空条件且设备成本低的ITO-PVD设备抽真空的方法是一个亟待解决的问题。
【发明内容】
[0006]基于此，有必要提供一种能够准确控制设备抽真空，且设备成本低的ITO-PVD设备抽真空控制的方法及系统。
[0007]为实现本发明目的提供的一种ITO-PVD设备抽真空控制的方法，包括以下步骤:
[0008]设置ITO-PVD设备中的传输腔室为系统干泵默认腔室，且不配置冷泵，对ITO工艺腔室配置冷泵；
[0009]对所述默认腔室，当除所述默认腔室以外的其他腔室未占用所述系统干泵时，所述系统干泵持续对所述默认腔室进行抽真空；
[0010]工艺加工过程中，当ITO-PVD设备中的腔室请求进行抽真空时，根据所述腔室配置冷泵的情况进行抽真空处理。
[0011]其中，所述根据腔室配置冷泵的情况进行抽真空处理，包括以下步骤:
[0012]对请求进行抽真空的腔室是否配置了冷泵进行判断，并得到第一判断结果；
[0013]根据所述第一判断结果，当所述腔室配置了冷泵时，则使用系统干泵抽真空到第一预定真空度后，继续使用冷泵进行抽真空；
[0014]根据所述第一判断结果，当所述腔室未配置冷泵时，则使用系统干泵对所述腔室进行抽真空；
[0015]所述腔室包括加载腔室，传输腔室，预热腔室，以及工艺腔室。
[0016]作为一种可实施方式，所述对所述默认腔室，当除所述默认腔室以外的其他腔室未占用所述系统干泵时，所述系统干泵持续对所述默认腔室进行抽真空，包括以下步骤:
[0017]当ITO-PVD设备中的腔室请求释放所述系统干泵时，判断所述腔室是否为当前系统干泵使用腔室，得到第二判断结果；
[0018]根据所述第二判断结果，当所述腔室是当前系统干泵使用腔室时，判断是否有排队等候使用所述系统干泵的腔室，得到第三判断结果；
[0019]根据所述第三判断结果，当有排队等候使用所述系统干泵的腔室时，则将所述系统干泵分配给排队等候使用所述系统干泵的腔室队列中的第一个腔室使用，并返回；
[0020]根据所述第三判断结果，当没有排队等候使用所述系统干泵的腔室时，判断所述腔室是否为所述系统干泵默认腔室，并得到第四判断结果；
[0021]根据所述第四判断结果，当所述腔室不是所述系统干泵默认腔室时，则将所述系统干泵分配给所述传输腔室使用，并返回；否则直接返回；
[0022]根据所述第二判断结果，当所述腔室不是当前系统干泵使用腔室时，判断所述腔室是否为排队等候使用所述系统干泵的腔室，得到第五判断结果；
[0023]根据所述第五判断结果，当所述腔室是排队等候使用所述系统干泵的腔室时，则将所述腔室从所述排队等候使用所述系统干泵的队列中删除，并返回；否则直接返回。
[0024]作为一种可实施方式，所述根据所述第三判断结果，当有排队等候使用所述系统干泵的腔室时，则将所述系统干泵分配给排队等候使用所述系统干泵的腔室队列中的第一个腔室使用，并返回，包括以下步骤:
[0025]关闭所有所述系统干泵与腔室连通的阀门；
[0026]等待预设时间；
[0027]将所述系统干泵分配给排队等候使用所述系统干泵的腔室队列中的第一个腔室使用，并返回。
[0028]作为一种ITO-PVD设备抽真空控制的方法可实施方式，还包括以下步骤:
[0029]在所述传输腔室向所述工艺腔室中传输物料之前，关闭所述系统干泵与所述传输腔室之间的默认系统干泵阀门，并将所述默认系统干泵阀门的状态设置为打开危险；
[0030]在所述传输腔室完成所述工艺腔室中传输物料后，打开所述系统干泵与所述传输腔室之间的默认系统干泵阀门，并将所述默认系统干泵阀门的状态设置为打开安全；
[0031]在使用所述系统干泵对所述传输腔室进行抽真空之前，判断所述默认系统干泵阀门的状态，当所述默认系统干泵阀门的状态为打开安全时打开所述默认系统干泵阀门使用所述系统干泵对所述传输腔室进行抽真空，否则保持所述默认系统干泵阀门关闭。
[0032]作为一种可实施方式，使用线程互锁实现所述默认系统干泵阀门开关动作的互斥，使当所述默认系统干泵阀门为打开安全的状态时，在打开所述默认系统干泵阀门之前不能执行关闭所述默认系统干泵阀门的动作。
[0033]作为一种可实施方式，所述根据所述第一判断结果，当所述腔室配置了冷泵时，则使用系统干泵抽真空到第一预定真空度后，继续使用冷泵进行抽真空，包括以下步骤:
[0034]根据所述第一判断结果，当所述腔室配置了冷泵时，使用系统干泵对所述腔室进行抽真空；
[0035]当对所述腔室抽真空到第一预定真空度后，释放所述系统干泵；
[0036]继续使用冷泵对所述腔室进行抽真空。
[0037]基于同一发明构思的一种ITO-PVD设备抽真空控制的系统，包括配置模块，默认腔室控制模块，以及抽真空控制模块，其中:
[0038]所述配置模块，用于设置ITO-PVD设备中的传输腔室为系统干泵默认腔室，且不配置冷泵，对ITO工艺腔室配置冷泵；
[0039]所述默认腔室控制模块，用于对所述默认腔室，当除所述默认腔室以外的其他腔室未占用所述系统干泵时，所述系统干泵持续对所述默认腔室进行抽真空；
[0040]所述抽真空控制模块，用于工艺加工过程中，当ITO-PVD设备中的腔室请求进行抽真空时，根据所述腔室配置冷泵的情况进行抽真空处理。
[0041]在其中一个实施例中，所述抽真空控制模块包括判断子模块，第一处理子模块，第二处理子模块，其中:
[0042]所述判断子模块，用于对请求进行抽真空的腔室是否配置了冷泵进行判断，并得到第一判断结果；
[0043]所述第一处理子模块，用于根据所述第一判断结果，当所述腔室配置了冷泵时，则使用系统干泵抽真空到第一预定真空度后，继续使用冷泵进行抽真空；
[0044]所述第二处理子模块，用于根据所述第一判断结果，当所述腔室未配置冷泵时，则使用系统干泵对所述腔室进行抽真空；
[0045]所述腔室包括加载腔室，传输腔室，预热腔室，以及工艺腔室。
[0046]作为一种可实施方式，所述默认腔室控制模块包括第一判断子模块，第二判断子模块，第一执行子模块，第三判断子模块，第二执行子模块，第四判断子模块，第三执行子模块，其中:
[0047]所述第一判断子模块，用于当ITO-PVD设备中的腔室请求释放所述系统干泵时，判断所述腔室是否为当前系统干泵使用腔室，得到第二判断结果；
[0048]所述第二判断子模块，用于根据所述第二判断结果，当所述腔室是当前系统干泵使用腔室时，判断是否有排队等候使用所述系统干泵的腔室，得到第三判断结果；
[0049]第一执行子模块，用于根据所述第三判断结果，当有排队等候使用所述系统干泵的腔室时，则将所述系统干泵分配给排队等候使用所述系统干泵的腔室队列中的第一个腔室使用，并返回；
[0050]第三判断子模块，用于根据所述第三判断结果，当没有排队等候使用所述系统干泵的腔室时，判断所述腔室是否为所述系统干泵默认腔室，并得到第四判断结果；
[0051]第二执行子模块，用于根据所述第四判断结果，当所述腔室不是所述系统干泵默认腔室时，则将所述系统干泵分配给所述传输腔室使用，并返回；否则直接返回；
[0052]第四判断子模块，用于根据所述第二判断结果，当所述腔室不是当前系统干泵使用腔室时，判断所述腔室是否为排队等候使用所述系统干泵的腔室，得到第五判断结果；
[0053]第三执行子模块，用于根据所述第五判断结果，当所述腔室是排队等候使用所述系