薄型电路板处理装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及用于处理印制电路板和膜状电路板等薄型电路板的薄型电路板处理 装置。
【背景技术】
[0002] 在实装电路板上实装电子部件的实装工序中，形成有成为连接于电子部件的布线 的基底的密着层和用于形成布线的晶种层。各层，例如可以采用电镀法和溅射法形成（例 如参照专利文献1)。
[0003] 专利文献1 :日本特开2003-197811号公报
[0004] 然而，近年来，随着布线的高密度化发展，特别是晶种层的形成，相对电镀法，溅射 法的使用更为进一步被探讨。而且，为了实现电子机器的轻量化和厚度薄化，正在进行探讨 将实装电路板制薄、以及采用厚度从数十ym到数百μπι程度的薄膜状电路板作为实装电 路板。印制电路板和膜状电路板等薄型电路板，与以前常用的玻璃电路板相比，使电路板的 形状发生变化的温度比较低。因此，密着层和晶种层由溅射而形成的情况下，高能量的溅射 粒子到达薄型电路板，从而导致薄型电路板的温度被提升到薄型电路板的形状发生变化的 程度。另外，这样的问题，并不局限于通过溅射而在薄型电路板上形成薄膜的情况，例如，对 薄型电路板进行逆溅射、采用了等离子的蚀刻、以及采用离子枪进行的离子轰击复合处理 等表面处理的时候也产生同样的问题。
【发明内容】
[0005] 本发明的目的在于，提供一种能够抑制薄型电路板的温度提高的薄型电路板处理 装置。
[0006] 本发明的薄型电路板处理装置的一个方式具备：电路板处理部，其对薄型电路板 进行处理；以及冷却部，其在所述电路板处理部处理所述薄型电路板时，冷却所述薄型电路 板。
[0007] 根据此结构，由电路板处理部所处理的薄型电路板即使被加热，由于通过冷却部 冷却薄型电路板，所以薄型电路板的温度的上升被抑制。
[0008] 在优选方式中，所述薄型电路板处理装置进一步具备：搬送部，其在通过所述电路 板处理部对所述薄型电路板进行处理的处理位置和不通过所述电路板处理部对所述薄型 基板进行处理的非处理位置之间搬送所述薄型电路板；以及移位部，其相对于设置在所述 处理位置的所述薄型电路板改变所述冷却部的位置。所述移位部在所述冷却部与所述薄型 电路板相接的接触位置和所述冷却部与所述薄型电路板不相接的非接触位置之间改变所 述冷却部的位置。所述搬送部在所述冷却部被设置在所述非接触位置的状态下搬送所述薄 型电路板。
[0009] 根据此结构，能够抑制在薄型电路板与冷却部相接触的状态下搬送薄型电路板， 进而抑制薄型电路板以及冷却部被损伤。
[0010] 在优选方式中，所述搬送部在所述薄型电路板起立的状态下支承所述薄型电路板 的下端部的同时，在所述处理位置和所述非处理位置之间搬送所述薄型电路板。在这种情 况下，优选，所述薄型电路板处理装置进一步具备电路板固定部，该电路板固定部保持起立 方向的所述薄型电路板的上端部并且将所述薄型电路板固定在所述处理位置。
[0011] 根据此结构，由于薄型电路板被电路板固定部保持在处理位置上，所以即使冷却 部与薄型电路板接触，也能抑制薄型电路板的错位。
[0012] 在优选方式中，所述电路板处理部包括成膜处理部、逆溅射处理部、离子处理部、 以及蚀刻处理部中的至少任何一个，所述成膜处理部对靶进行溅射而在所述薄型电路板上 形成薄膜，所述逆溅射处理部对所述薄型电路板施加偏压电压而对所述薄型电路板进行逆 溅射处理，所述离子处理部对所述薄型电路板进行离子轰击复合处理，所述蚀刻处理部采 用感应线圈生成等离子的同时，对所述薄型电路板施加偏压电压，从而对所述薄型电路板 进行蚀刻处理。
[0013] 根据此结构，即使薄型电路板通过溅射处理、逆溅射处理、离子轰击复合处理、以 及蚀刻处理中的任何一种处理被加热，薄型电路板也会被冷却部冷却。因此，薄型电路板的 温度的上升能够被抑制。
[0014] 在优选方式中，所述电路板处理部包含共用真空室的所述成膜处理部和所述逆溅 射处理部。所述成膜处理部的所述靶在所述真空室内设置在与所述薄型电路板相对置的位 置。在这种情况下，优选，所述薄型电路板处理装置进一步具备挡板，当所述逆溅射处理部 对所述薄型电路板的与所述靶的表面相对置的表面进行逆溅射时，所述挡板将所述靶的表 面覆盖。
[0015] 根据此结构，在靶的表面被挡板覆盖的状态下对薄型电路板进行逆溅射。因此， 即使成膜处理部与逆溅射处理部设置在同样的真空室内，也能抑制由于膜状电路板的洗净 (逆溅射）而从薄型电路板中放出的粒子附着在靶的表面上。正因为如此，能够抑制从靶中 放出的溅射粒子中包含从薄型电路板中放出的粒子。
[0016] 在优选方式中，所述逆溅射处理部包含：对所述薄型电路板施加偏压电压的电压 施加部；以及供应气体给所述薄型电路板的气体供给部。在这种情况下，优选，所述电压施 加部施加频率为IMHz以上且6MHz以下的偏压电压给被供应所述气体的所述薄型电路板。
[0017] 或者，所述电压施加部施加频率为13MHz以上且28MHz以下的偏压电压和频率为 IOOkHz以上且IMHz以下的偏压电压给被供应所述气体的所述薄型电路板。
[0018] 本申请的发明人，在对薄型电路板进行逆溅射时的条件进行深入研宄的过程中， 发现了以下现象。也就是说，施加在薄型电路板上的电压频率为IMHz以上且6MHz以下的情 况下，与频率大于6MHz的情况相比，薄型电路板的逆溅射速度提高。另外，即使施加在薄型 电路板上的电压频率为13MHz以上且28MHz以下，由于重叠有频率更低的电压，也就是说， 频率为IOOkHz以上且IMHz以下的电压，从而薄型电路板的逆溅射速度提高。
[0019] 在这点上，薄型电路板被逆溅射的时候，通过对薄型电路板施加频率为IMHz以上 且6MHz以下的电压，薄型电路板的逆溅射速度提高。
[0020] 另外，薄型电路板被逆溅射的时候，相对于薄型电路板，频率为13MHz以上且 28MHz以下的电压与频率为IOOkHz以上且IMHz以下的电压相重叠的情况下，薄型电路板的 逆溅射速度也提高。
[0021] 在优选方式中，所述冷却部是电气地吸附所述薄型电路板的静电卡盘，所述静电 卡盘通过吸附由所述电路板处理部处理的所述薄型电路板的处理面相反侧的面来冷却所 述薄型电路板。
[0022] 根据此结构，在电路板处理部处理薄型电路板的时候，薄型电路板被静电卡盘支 承的同时也被冷却。由此，薄型电路板的温度上升与挠曲适当地被抑制。
[0023] 在优选方式中，所述冷却部是供应气体给所述薄型电路板的气体冷却部，所述气 体冷却部通过供应气体给由所述电路板处理部处理的所述薄型电路板的处理面相反侧的 面来冷却所述薄型电路板。
[0024] 根据此结构，在电路板处理部处理薄型电路板的时候，通过来自气体冷却部的气 体来冷却薄型电路板。由此，薄型电路板的温度上升而造成的挠曲适当地被抑制。
[0025] 在优选方式中，所述薄型电路板处理装置进一步具备：设置在所述薄型电路板的 外周上的托盘；以及在与所述托盘相对的位置上设置于所述气体冷却部的密封部件。在这 种情况下，优选，所述气体冷却部供应所述气体给通过所述密封部件封闭的冷却空间。
[0026] 根据此结构，薄型电路板的处理面相反侧的面整体被供应来自气体冷却部的气 体。正因为如此，与面的一部分被冷却的情况相比，薄型电路板的温度上升被抑制。
[0027] 在优选方式中，所述托盘从所述薄型电路板的中心朝着所述薄型电路板的外周拉 伸所述薄型电路板，所述气体冷却部在所述薄型电路板被拉伸的状态下供应所述气体。
[0028] 根据此结构，由于通过冷却气体使得薄型电路板的变形被抑制，从而薄型电路板 的面内的处理的偏差被抑制。
[0029] 在优选方式中，所述电路板处理部包含对靶进行溅射而在所述薄型电路板上形成 薄膜的成膜处理部，所述气体冷却部还供应所述气体给在所述薄型电路板上通过溅射粒子 的堆积而形成薄膜的面。
[0030] 根据此结构，由于在薄型电路板上形成薄膜的面也被供给气体，所以能够提高薄 型电路板的冷却效果。
【附图说明】
[0031] 图1是表示溅射装置的概要结构的俯视图，也是表示收纳在溅射装置中的膜状电 路板的不意图。
[0032] 图2是示意性地表示冷却部的一个例子的静电卡盘的结构的剖视图。
[0033] 图3是表示搬送线的构成和作为搬送对象的膜状电路板的示意图。
[0034] 图4是表示从起立方向的下侧看到的电路板固定部的结构的俯视图。
[0035] 图5是表示第一实施方式的溅