厚度变化测量装置及其方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种膜厚度变化测量装置及其方法。
【背景技术】
[0002]继液晶显示装置(Liquid Crystal Display:1XD)、等离子显示装置(PlasmaDisplay panel:PDP)之后，有机发光器件(Organic Light Emitting Device:0LED)是受广泛关注的新一代显示装置。
[0003]例如,有机发光器件中有机物层通过沉积(Thermal Deposit1n)方法形成,而至今还没有能够精确检测基板上所沉积的沉积膜厚度的方法。因此，只能在沉积工序结束后找出厚度不达标的基板，造成生产收益下降。
[0004]现有技术文献
[0005]韩国公开专利公报第2012-0021041号(2012年3月8日)
【发明内容】
[0006]技术问题
[0007]本发明的目的在于提供一种能够检测沉积膜的厚度变化的装置及其方法。
[0008]技术方案
[0009]为达成上述目的，本发明一个实施例的厚度变化测量装置，其特征在于，包括:腔室；沉积源，其位于所述腔室的内部，提供沉积物质使得基板上形成沉积膜；膜厚度判断部，其位于所述腔室的内部，被沉积提供的所述沉积物质中的一部分；光输出部，其向所述膜厚度判断部输出波长各异的光；以及光检测部，其检测被所述膜厚度判断部上的膜或所述膜厚度判断部反射的反射光，或检测透过所述膜厚度判断部的膜的透射光。
[0010]本发明另一实施例的厚度变化测量装置，其特征在于，包括:腔室；沉积源，其位于所述腔室的内部，提供沉积物质使得基板上形成沉积膜；遮罩，其位于所述基板的前面；遮罩支撑构件，其支撑所述遮罩；光输出部，其向沉积在所述遮罩上的膜、沉积在所述遮罩支撑构件上的膜或所述基板上的沉积膜输出波长各异的光；以及光检测部，其检测被沉积在所述遮罩上的膜、沉积在所述遮罩支撑构件上的膜或所述基板上的沉积膜反射的反射光，或检测透过所述基板上的沉积膜的透射光。
[0011]本发明又一实施例的厚度变化测量装置，其特征在于，包括:腔室；沉积源，其位于所述腔室的内部，提供沉积物质使得基板上形成沉积膜；以及厚度检测单元，其位于所述腔室的内部。其中，所述厚度检测单元为一体式，包括被沉积从所述沉积源蒸发的沉积物质的膜厚度判断部及用于检测透过所述膜厚度判断部上的膜的透射光的光检测部，所述光检测部位于所述厚度检测单元的内侧。
[0012]本发明一个实施例的厚度变化测量方法，其特征在于，包括:在沉积工序期间向基板、膜厚度判断部或遮罩的第一位置照射第一波长的激光的步骤；在所述沉积工序期间向所述第一位置照射第二波长的激光的步骤；以及通过照射的所述激光的反射光或透射光检测沉积在所述基板的沉积膜的厚度的步骤。
[0013]技术效果
[0014]本发明的厚度变化测量装置及其方法可利用波长各异的激光检测膜厚度判断部上的膜、遮罩上的膜等的厚度，并通过检测到的所述膜的厚度推算基板上的沉积膜的厚度。
[0015]并且，本发明的厚度变化测量装置及其方法也可以通过向基板上的沉积膜直接照射波长各异的激光，以直接检测所述沉积膜的厚度。
【附图说明】
[0016]图1为显示本发明第一实施例的沉积装置的结构的示意图；
[0017]图2为显示本发明一个实施例的沉积工序的流程图；
[0018]图3为显示通过图2所示沉积工序得到的膜的厚度变化的示意图；
[0019]图4为显示本发明第二实施例的沉积装置的结构的示意图；
[0020]图5为显示本发明第三实施例的沉积装置的结构的示意图；
[0021]图6为显示本发明第四实施例的沉积装置的结构的示意图；
[0022]图7为显示本发明第五实施例的沉积装置的结构的示意图；
[0023]图8为显示本发明其他实施例的膜厚度判断部的结构的示意图；
[0024]图9及图10为显示本发明又一其他实施例的膜厚度判断部的结构的示意图；
[0025]图11为显示本发明第六实施例的沉积装置的结构的示意图。
[0026]附图标记说明
[0027]100:腔室102:基板
[0028]104:遮罩106:基板放置部
[0029]108:固定部110:遮罩支撑部
[0030]112:沉积源114:膜厚度判断部
[0031]116:基板出入口118:真空部
[0032]130:光输出部132:光检测部
[0033]134:监控部136:温度调节部
[0034]138:控制部1100:厚度检测单元
[0035]1110:膜厚度判断部1112:光检测部
【具体实施方式】
[0036]以下参照附图详细说明本发明的实施例。
[0037]本发明涉及一种膜厚度变化测量装置及其方法，尤其涉及沉积装置。例如，本发明的沉积装置直接或间接测量沉积膜的厚度，从而能够使得沉积工序更为高效。例如，本发明可通过照射激光实时精确测量沉积膜的厚度。
[0038]尤其，本发明的沉积方法能够通过向膜厚度判断部等依次照射波长各异的激光，以精确检测相应膜的厚度，并且提供一种能够精确检测所述厚度的算法。
[0039]以下为便于说明，将厚度变化测量装置假设为沉积装置，并参照附图详细说明多种实施例。
[0040]图1为显示本发明第一实施例的沉积装置的结构的示意图。
[0041]如图1所示，本实施例的沉积装置包括腔室100、基板102、遮罩104、沉积源112、膜厚度判断部114、基板出入口 116、真空部118、光输出部130、光检测部132、监控部134、温度调节部136及控制部138。
[0042]腔室100具有用于进行沉积工序的反应空间，其形态不受限制。腔室100的一侧面上可形成用于导入基板102的基板出入口 116，底面上可形成连接真空泵118的通道，其中所述真空泵118的功能是为了沉积工序而把腔室100的内部变成真空状态。
[0043]基板102例如可放置在腔室100上端部的基板放置部106上。基板放置部106受到连接于腔室100的固定部108的支撑。沉积工序开始前，基板102上可以没有任何沉积膜，也可以形成有特定沉积膜。
[0044]遮罩104是为了使沉积到基板102上的沉积膜具有预定图案而排列于基板102前面的构件，其例如可以是荫罩(Shadow mask)。图1虽未示出，但是遮罩104上可以形成有用于蒸发的沉积物质通过的孔。即，从沉积源112蒸发的沉积物质穿过遮罩104的孔沉积到基板102上。
[0045]上述遮罩104可以被遮罩支撑部110支撑。遮罩支撑部110的结构在能够支撑遮罩104的前提下不受特定限制。
[0046]沉积源112是提供要沉积的沉积物质的供源，其可以是线形沉积源，也可以是点沉积源。沉积源112可包括坩埚120、沉积物质(原料)122、加热部124及挡板126。
[0047]坩埚120是用于保管沉积物质122的容器，其形态不受限定。
[0048]加热部124的功能是在温度调节部136的控制下对坩埚120进行加热，例如可形成于坩埚120的外侧。沉积物质122在加热部124对坩埚120进行加热时产生反应，从而蒸发。为蒸发沉积物质122而加热坩埚120的加热温度可预先设定。此时，所述温度在沉积工序期间可保持不变，也可以变化。
[0049]挡板126可通过开闭坩埚120控制蒸发的沉积物质的移动路径。
[0050]基板出入口 116是导入或返出基板102的通道，也可另设返出基板102的通道。
[0051]膜厚度判断部114是用于判断沉积在基板102上的沉积膜的厚度的构件，可包括膜沉积部150及连接于腔室100，以支撑膜沉积部150的固定部152。
[0052]从坩埚120蒸发的沉积物质中的一部分可沉积于膜沉积部150上，以形成膜。其中，沉积在膜沉积部150的膜的厚度可与沉积在基板102上的沉积膜的厚度相同，也可以不同