1.一种无铅和无镉的电介质糊组合物，其包含固体部分，该固体部分包含：
大约0.5wt％-大约50wt％(BaO+CaO+SrO+MgO)；
大约0.1wt％-大约60wt％(Al2O3+B2O3)；
大约0.1wt％-大约60wt％(SiO2+TiO2+ZrO2)；
大约0wt％-大约40wt％Bi2O3；
大约0wt％-大约35wt％(Nd2O3+Gd2O3+La2O3+Sm2O3)；
大约0wt％-大约10wt％ZnO；
大约0wt％-大约10wt％CuO；和
大约0wt％-大约8wt％LiF。
2.一种包含权利要求1所述的糊的无铅和无镉的电介质组合物，其中该组合物包括10-30wt％的结晶电介质和70-90wt％的无定形电介质。
3.一种无铅和无镉的电介质糊组合物，其包含固体部分，该固体部分包含：
大约5wt％-大约25wt％(BaO+CaO+SrO+MgO)；
大约0.5wt％-大约45wt％(Al2O3+B2O3)；
大约3wt％-大约58wt％(SiO2+TiO2+ZrO2)
大约1wt％-大约30wt％Bi2O3；
大约0wt％-大约30wt％(Nd2O3+Gd2O3+La2O3+Sm2O3)；
大约0.1wt％-大约10wt％ZnO；
大约0.1wt％-大约10wt％CuO；和
大约0.1wt％-大约5wt％LiF。
4.一种无铅和无镉的电介质糊组合物，其包含煅烧，并包含固体部分，该固体部分包含：
大约14wt％-大约27wt％(BaO+CaO+SrO+MgO)；
大约1wt％-大约43wt％(Al2O3+B2O3)；
大约21wt％-大约58wt％(SiO2+TiO2+ZrO2)
大约8wt％-大约20wt％Bi2O3；
大约0.1wt％-大约20wt％(Nd2O3+Gd2O3+La2O3+Sm2O3)；
大约0.1wt％-大约5wt％ZnO；
大约0.1wt％-大约5wt％CuO；和
大约0.1wt％-大约3wt％LiF。
5.一种无铅和无镉的电介质糊组合物，其在煅烧之前包含固体部分，该固体部分包含：
大约10wt％-大约28wt％(BaO+CaO+SrO+MgO)；
大约1wt％-大约13wt％(Al2O3+B2O3)；
大约22wt％-大约58wt％(SiO2+TiO2+ZrO2)；
大约9wt％-大约19wt％Bi2O3；
大约0wt％-大约28wt％(Nd2O3+Gd2O3+La2O3+Sm2O3)；
大约1wt％-大约5wt％ZnO；
大约0.1wt％-大约3wt％CuO；和
大约0.5wt％-大约3wt％LiF。
6.一种无铅和无镉的电介质糊组合物，其在煅烧之前包含固体部分，该固体部分包含：
大约5wt％-大约50wt％(BaO+CaO+SrO+MgO)；
大约0.1wt％-大约50wt％(Al2O3+B2O3)；
大约0.1wt％-大约50wt％(SiO2+TiO2+ZrO2)；和
大约0.1-40wt％Bi2O3。
7.根据权利要求6所述的无铅和无镉的电介质糊组合物，其进一步包含选自由下面的物质组成的组的至少一种：
大约0.1wt％-大约10wt％ZnO；
大约0.1wt％-大约30wt％(Nd2O3+Gd2O3+La2O3+Sm2O3)；
大约0.1wt％-大约10wt％CuO；和
大约0.1wt％-大约10wt％LiF。
8.一种无铅和无镉的电介质糊组合物，其包含固体部分，该固体部分包含：
大约0.5wt％-大约50wt％BaO；
大约0wt％-大约40wt％CaO；
大约0wt％-大约10wt％SrO；
大约0wt％-大约10wt％ZnO；
大约0.1wt％-大约20wt％B2O3；
大约0wt％-大约40wt％Al2O3；
大约0wt％-大约40wt％SiO2；
大约1wt％-大约70wt％TiO2；
大约0wt％-大约30wt％Bi2O3；
大约0-大约30wt％Nd2O3；
大约0-大约40wt％Sm2O3；
大约0-大约10wt％CuO；和
大约0-大约10wt％LiF。
9.根据权利要求8所述的无铅和无镉的电介质糊组合物，其包含固体部分，该固体部分包含：
大约5wt％-大约25wt％BaO；
大约0wt％-大约20wt％CaO；
大约0wt％-大约5wt％SrO；
大约0wt％-大约7wt％ZnO；
大约0.5wt％-大约25wt％B2O3；
大约0wt％-大约35wt％Al2O3；
大约1wt％-大约35wt％SiO2；
大约2wt％-大约65wt％TiO2；
大约0wt％-大约20wt％Bi2O3；
大约0-大约25wt％Nd2O3；
大约0-大约35wt％Sm2O3；
大约0-大约5wt％CuO；和
大约0-大约5wt％LiF。
10.根据权利要求9所述的无铅和无镉的电介质糊组合物，其包含固体部分，该固体部分包含：
大约15wt％-大约25wt％BaO；
大约0wt％-大约15wt％CaO；
大约0wt％-大约3wt％SrO；
大约0wt％-大约6wt％ZnO；
大约1wt％-大约15wt％B2O3；
大约0wt％-大约30wt％Al2O3；
大约0wt％-大约30wt％SiO2；
大约3wt％-大约60wt％TiO2；
大约0wt％-大约17wt％Bi2O3；
大约0-大约20wt％Nd2O3；
大约0-大约30wt％Sm2O3；
大约0-大约3wt％CuO；和
大约0-大约3wt％LiF。
11.一种无铅和无镉电的介质糊组合物，其包含固体部分，该固体部分包含：
大约0.5wt％-大约50wt％BaO；
大约0.5wt％-大约60wt％TiO2；
大约0.1wt％-大约40wt％Bi2O3；
大约0wt％-大约30wt％SiO2；
大约0wt％-大约30wt％ZnO；
大约0.1wt％-大约40wt％B2O3；
大约0.1wt％-大约30wt％CuO；和
大约0.1wt％-大约30wt％LiF。
12.一种无铅和无镉的电介质糊组合物，其包含固体部分，该固体部分包含：
大约5wt％-大约40wt％BaO；
大约10wt％-大约60wt％TiO2；
大约5wt％-大约25wt％Bi2O3；
大约0.1wt％-大约15wt％SiO2；
大约0.1wt％-大约15wt％ZnO；
大约0.1wt％-大约15wt％B2O3；
大约0.1wt％-大约15wt％CuO；和
大约0.1wt％-大约15wt％LiF。
13.根据权利要求12所述的无铅和无镉的电介质糊组合物，其包含固体部分，该固体部分包含：
大约15wt％-大约30wt％BaO；
大约40wt％-大约57wt％TiO2；
大约8wt％-大约18wt％Bi2O3；
大约0.1wt％-大约5wt％SiO2；
大约0.1wt％-大约5wt％ZnO；
大约0.1wt％-大约5wt％B2O3；
大约0.1wt％-大约5wt％CuO；和
大约0.1wt％-大约5wt％LiF。
14.一种无铅和无镉的电介质糊组合物，其在煅烧之前包含固体部分，该固体部分包含：
大约12wt％-大约18wt％BaO；
大约0.1wt％-大约5wt％CaO；
大约0.1wt％-大约7wt％ZnO；
大约0.1wt％-大约5wt％B2O3；
大约30wt％-大约40wt％TiO2；
大约8wt％-大约16wt％Bi2O3；
大约0wt％-大约3wt％CuO；和
大约0.1wt％-大约3wt％LiF。
15.根据权利要求1-14任一项所述的无铅和无镉的电介质材料或者糊组合物，其包含：
大约60wt％-大约90wt％的固体部分和
进一步包含大约10wt％-大约40wt％的有机部分。
16.根据权利要求1-15任一项所述的无铅和无镉的电介质材料或者糊组合物，其进一步包含选自由下面的物质组成的组的至少一种：堇青石、氧化铝、锆石、熔融石英、铝硅酸盐及其组合。
17.根据权利要求1-16任一项所述的无铅和无镉的电介质材料或者糊，其中在煅烧后，该煅烧的组合物表现出的Q值是至少500。
18.一种煅烧的电或者电子元件，其在煅烧之前，包含权利要求1-17任一项所述的无铅和无镉的电介质材料或者糊，以及导电糊，该导电糊在煅烧之前包含：
a.60-90wt％的Ag+Pd+Pt+Au，
b.1-10wt％的选自由过渡金属的硅化物、碳化物、氮化物和硼化物组成的组的添加剂，
c.0.5-10wt％的至少一种玻璃料，
d.10-40wt％的有机部分。
19.根据权利要求18所述的电或者电子元件，其中该电或者电子元件选自由高Q谐振器、通带滤波器、无线包装系统及其组合组成的组。
20.一种形成电子元件的方法，其包含：
(a)将权利要求1-17任一项所述的无铅和无镉的电介质材料或者糊施用到基底上，或者
(b)将包含权利要求1-17任一项所述的无铅和无镉的电介质材料或者糊的带子施用到基底上，或者
(c)将权利要求1-17任一项所述的无铅和无镉的电介质材料或者糊的多个粒子压实，来形成单片复合基底；和
(d)将该基底在足够的温度煅烧，来烧结该电介质材料。
21.根据权利要求20所述的方法，其中该煅烧是在大约800℃-大约900℃的温度进行的。
22.根据权利要求21所述的方法，其中该煅烧是在大约825℃-大约875℃的温度进行的。
23.根据权利要求20-22所述的方法，其中该煅烧的电介质材料表现出的介电常数是10-100。
24.根据权利要求20-22所述的方法，其中该煅烧的电介质材料表现出的介电常数是20-80。
25.根据权利要求20-22任一项所述的方法，其进一步包含在煅烧之前，将带子层合到该电介质糊上，该带子在煅烧之前包含固体部分，该固体部分包含：5-25wt％BaO、1-10wt％CaO、2-13wt％B2O3、30-55wt％Al2O3、15-40wt％SiO2和0.01-13wt％TiO2。
26.一种共煅烧至少一层权利要求1-17任一项所述的无铅和无镉的电介质材料或者糊和与其相组合的介电常数小于10的带子或者糊的至少一种交替的单独的层，来形成多层基底的方法，其中交替的层具有不同的介电常数。
27.根据权利要求26所述的方法，其中该煅烧是在大约800℃-大约900℃的温度进行的。
28.根据权利要求27所述的方法，其中该煅烧是在大约825℃-大约875℃的温度进行的。
29.根据权利要求26-28任一项所述的方法，其进一步包含在煅烧之前，将带子层合到电介质糊上，该带子在煅烧之前包含固体部分，该固体部分包含：5-25wt％BaO、1-10wt％CaO、2-13wt％B2O3、30-55wt％Al2O3、15-40wt％SiO2和0.01-13wt％TiO2。