本发明涉及高效多晶铸造生产技术领域，具体涉及一种铺底籽晶可重复利用的铸造多晶方法。
背景技术：
目前多晶铸锭主要有半熔和全熔两种工艺路线，半熔工艺即在坩埚底部铺一层多晶碎料，熔化时控制坩埚底部的温度，使铺底碎料部分熔化然后进入长晶，熔融的硅液在未熔的碎料上生长出大小均匀且竖直的晶粒。行业内主流铺底籽晶碎料为进口原生多晶碎料或者颗粒料，价格较高且产量较低，故亟需寻找一种铺底籽晶的替代品，既可以保证生产出高效多晶硅锭，又不提高生产成本。
技术实现要素：
本发明的目的是提供一种籽晶重复利用铸造多晶的方法，将半熔高效多晶铸锭过程中产生的循环尾料作为铸造高效多晶的籽晶，替代正常生产中每炉都需要更换的铺底籽晶。
本发明的目的是通过以下方案实现的：
一种籽晶重复利用铸造多晶的方法，其特征在于：将半熔高效硅锭的尾料进行喷砂、酸洗处理，在坩埚底部先铺2-3mm厚的碎片料，将处理后的尾料按照5×5依次铺满，所述铺底尾料切割面朝上，然后在所述铺底尾料上方铺5-10mm厚的碎料，最后在所述碎料的上方按照硅料大小依次铺装含有P型掺杂剂的多晶硅料。
本发明还可通过以下方案进一步实现：
所述尾料籽晶需要经过喷砂、酸洗处理达到生产使用要求。
在坩埚底部铺2-3mm厚的碎片料以保证坩埚底部涂层不被破坏。
所述的尾料籽晶铺底时在坩埚底部按照5×5铺满，且切割面朝上。
在所述铺底尾料籽晶上方铺5-10mm厚的碎料，减少化料时硅液对籽晶的渗透。
所述碎料的上方按照硅料大小依次铺装含有P型掺杂剂的多晶硅料。
本发明的有益效果是：将半熔高效多晶铸锭过程中产生的循环尾料作为铸造高效多晶的籽晶，控制化料时坩埚底部的温度，使熔融硅液在重复利用的尾料籽晶上延续生长，且尾料籽晶可以无限次重复使用，从而解决了半熔高效多晶生产中铺底籽晶需要每炉更换的问题，有效的降低了生产成本。
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，并使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细的说明。
附图说明
图1为本发明安装结构示意图。
图中：1、坩埚；2、碎片料；3、籽晶；4、碎料；5、含有P型掺杂剂的硅料。
具体实施方式
实施例：
如图1所示，已喷涂好的高纯石英坩埚1底部先铺2-3mm的碎片料2以保护坩埚底部涂层不被破坏，然后将重复利用的尾料籽晶3按照5×5（块）铺在碎片料2上方，在尾料籽晶3上方铺5-10mm碎料4防止熔融硅液快速向下渗透，最后在碎料4上方按照硅料大小依次铺装含有P型掺杂剂的多晶硅料5。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。