本发明属于硅料回收处理技术领域，具体涉及一种可实现单晶锅底料有效清洗的工艺。
背景技术：
行业内复拉单晶硅棒产生的单晶锅底料，由于其表面粘附大量的坩埚等杂质因难以分离而难以重复利用，只能采用人工挑选的方式进行硅料分选或者用HF浸泡的方式进行清洗，这就使得这种原料的销售价值较低而利用成本却很高。因此，市场上存有大量此种硅料难以重复利用，一种低成本的、便捷的硅料处理方式成为必然的需求。
技术实现要素：
为解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供一种可实现单晶锅底料有效清洗的工艺，有效的去除单晶锅底料表面附着坩埚杂质。
本发明采用的技术方案如下：
一种可实现单晶锅底料有效清洗的工艺，包括以下步骤：
(1)将块状单晶锅底料倒入滚筒中；
(2)将装料的滚筒放入烧碱溶液中进行滚动清洗；
(3)将碱洗完的硅料用清水冲洗后放入酸液中滚动清洗；
(4)将酸洗后的硅料用清水多次滚动清洗后取出；
(5)进行硅料分选，捡出块状杂质即可；
(6)将分选后的硅料用纯水进行超声波清洗后烘干、包装。
所述步骤(1)中块状单晶锅底料占滚筒容积的1/4-1/3，以便于滚筒滚动过程中硅料有足够的活动空间。
所述步骤(2)中烧碱溶液的质量分数为15％-20％，温度为35-40℃，进行滚动清洗40-50min后停止，以对硅料表面进行腐蚀并对表面杂质进行摩擦碰撞。
所述步骤(3)中酸液为盐酸与氢氟酸的混合酸，体积比为HF：HCl：水＝1:1:1～4，滚动清洗10min-20min，以去除表面的碱液及部分可溶性杂质。
所述步骤(4)中将酸洗后的硅料用三道清水各滚动清洗3-5min后取出，以清洗掉酸液。
所述步骤(5)中将经酸碱清洗过程通过腐蚀和碰撞分离得到的硅料和块状杂质进行筛分，块状杂质会以极小颗粒的形式存在于硅料的底部，捡出即可。
所述步骤(6)是便于去除水中的杂质离子。
与现有技术相比，本发明具有如下优异技术效果：
通过对硅料清洗方式及酸碱清洗时间的控制，达到有效清洗复拉单晶锅底料外表面粘附的难熔的坩埚等非硅杂质，从而使硅料得以重复利用，从而可以有效的降低单晶锅底料的利用成本。
具体实施方式
以下通过实施例对本发明做进一步解释说明：
实施例1
一种可实现单晶锅底料有效清洗的工艺，包括以下步骤：
(1)将块状单晶锅底料50kg倒入滚筒中，约占滚筒容积的1/4-1/3；
(2)将装料的滚筒放入质量分数为15％的烧碱溶液中(35℃)，进行滚动清洗40min后停止；
(3)将碱洗完的硅料用清水进行冲洗后放入酸液中滚动清洗10min(酸液为盐酸与氢氟酸的混合酸，体积比为HF：HCl：水＝1:1:2)；
(4)将酸洗后的硅料用三道清水各滚动清洗3min后取出，以清洗掉酸液；
(5)进行硅料分选，将经酸碱清洗过程通过腐蚀和碰撞分离得到的硅料和块状杂质进行筛分，块状杂质会以极小颗粒的形式存在于硅料的底部，捡出即可；
(6)将分选后的硅料用纯水进行超声波清洗后烘干、包装。
通过此方法清洗的硅料，可以有效的去除单晶锅底料表面附着坩埚杂质。
实施例2
一种可实现单晶锅底料有效清洗的工艺，包括以下步骤：
(1)将块状单晶锅底料80kg倒入滚筒中，约占滚筒容积的1/4-1/3；
(2)将装料的滚筒放入质量分数为20％的烧碱溶液中(40℃)，进行滚动清洗50min后停止；
(3)将碱洗完的硅料用清水进行冲洗后放入酸液中滚动清洗20min(酸液为盐酸与氢氟酸的混合酸，体积比为HF：HCl：水＝1:1:2)；
(4)将酸洗后的硅料用三道清水各滚动清洗5min后取出，以清洗掉酸液；
(5)进行硅料分选，将经酸碱清洗过程通过腐蚀和碰撞分离得到的硅料和块状杂质进行筛分，块状杂质会以极小颗粒的形式存在于硅料的底部，捡出即可；
(6)将分选后的硅料用纯水进行超声波清洗后烘干、包装。
通过此方法清洗的硅料，可以有效的去除单晶锅底料表面附着坩埚杂质。