多晶硅片的处理方法与流程

技术特征：

1.一种多晶硅片的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：在金刚线切割的多晶硅片的正面形成铝浆；

S2：对步骤S1所得的多晶硅片进行加热处理，铝浆在加热处理过程中转变为形成于该多晶硅片的正面的铝硅合金层和位于该铝硅合金层上的铝层，并且铝元素扩散至多晶硅片的正面中形成扩散层；

S3：清洗加热处理后的多晶硅片，去除铝层和铝硅合金层；

S4：采用酸性制绒试剂对步骤S3得到的结构进行正面制绒以在多晶硅片的正面形成绒面。

2.如权利要求1所述的多晶硅片的处理方法，其特征在于，铝浆的形成方式选自：丝网印刷、旋涂和喷涂。

3.如权利要求1所述的多晶硅片的处理方法，其特征在于，铝浆的厚度为50nm-500um。

4.如权利要求1-3中任意一项所述的多晶硅片的处理方法，其特征在于，加热的峰值温度700-900℃，热处理时间1-30分钟。

5.如权利要求1-3中任意一项所述的多晶硅片的处理方法，其特征在于，步骤S3中采用酸性清洗试剂清洗多晶硅片，该酸性清洗试剂为磷酸、盐酸或磷酸和盐酸的混合物。

6.如权利要求1-3中任意一项所述的多晶硅片的处理方法，其特征在于，步骤S3中清洗时间为1-60分钟，温度为室温至80℃。

7.如权利要求1-3中任意一项所述的多晶硅片的处理方法，其特征在于，该酸性制绒试剂为氢氟酸和硝酸的混合物，其中氢氟酸和硝酸的体积比为1：1-1：10。

8.如权利要求1-3中任意一项所述的多晶硅片的处理方法，其特征在于，步骤S3的清洗过程中去除该扩散层。