宝石级大单晶合成用复合绝缘装置的制作方法

本实用新型涉及金刚石合成用辅件，特别涉及一种宝石级大单晶合成用复合绝缘装置。

背景技术：

宝石级金刚石大单晶以其特殊的物理和化学性能，替代天然金刚石，被广泛应用于高精和超精切削刀具、高能物理、核监测、放疗剂量测定及远紫外线探测、珠宝首饰等领域，是信息技术、能源技术、现代超精密加工技术、航空航天技术、军事技术等领域不可或缺的新型功能性材料。目前宝石级合成大颗粒金刚石合成已成为行业发展的趋势，但一直以来，如何保证大单晶长时间稳定合成一直是行业难以解决的问题，绝缘破坏电阻异常是导致其难以长时间运行和优质长大重要原因；目前行业多采用白云石作为绝缘结构；但这中材料密度低高温极易渗碳，导致长时间运行困难，因此，如何实现长时间的绝缘稳定是宝石级大单晶合成急需解决的重要问题。

技术实现要素：

针对现有技术中的不足，本实用新型提供一种宝石级大单晶合成用复合绝缘装置，结构简单、设计新颖合理，绝缘传压性能好。

按照本实用新型所提供的设计方案，一种宝石级大单晶合成用复合绝缘装置，包含设置在石墨柱外部的双层复合结构，双层复合结构包含依次设置的绝缘层一、绝缘层二，绝缘层一与外部加热件接触设置，绝缘层二与石墨柱接触设置。

上述的，绝缘层一的材料为高纯氯化钠，纯度大于99.5%。

上述的，绝缘层二的材料为氧化镁，纯度大于99%。

上述的，所述绝缘层一为圆柱形杯体，圆柱形杯体包含杯壁及与杯壁相连接的杯底。

优选的，杯壁和杯底的厚度均为1.0~1.2mm。

优选的，杯壁和杯底的厚度均为1.2mm。

上述的，所述绝缘层二为圆柱形杯体，圆柱形杯体包含杯壁及与杯壁相连接的杯底。

优选的，绝缘层二的杯壁及杯底的厚度均为1.0~1.2mm。

优选的，绝缘层二的杯壁及杯底的厚度均为1.2mm。

上述的，所述绝缘层一和绝缘层二均为圆柱形杯体，两个圆柱形杯体以同开口方向扣合组成复合杯结构。

本实用新型的有益效果：

本实用新型设计新颖、合理，双层复合绝缘结构设置在石墨柱的外围，能够有效防止金刚石在合成中对杂质的吸收，同时确保大单晶长时间合成绝缘性能的稳定性，提高宝石级金刚石产品质量。

附图说明：

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为本实用新型的A-A剖视图；

图3为本实用新型的使用示意图。

具体实施方式：

图中标号，标号1代表绝缘层一，标号2代表绝缘层二，标号3代表复合绝缘结构，标号4代表叶腊石，标号5代表加热管，标号6代表石墨柱，标号7代表发热片，标号8代表叶腊石环。

下面结合附图和技术方案对本实用新型作进一步详细的说明，并通过优选的实施例详细说明本实用新型的实施方式，但本实用新型的实施方式并不限于此。

实施例一，参见图1~3所示，一种宝石级大单晶合成用复合绝缘装置，包含设置在石墨柱外部的双层复合结构，双层复合结构包含依次设置的绝缘层一、绝缘层二，绝缘层一与外部加热件接触设置，绝缘层二与石墨柱接触设置，在使用时安装在宝石级大单晶合成石墨柱的外围，使金刚石在合成中不会吸收杂质，同时采用具有高绝缘性能的氧化镁材料及氯化钠复合材料作为双层绝缘结构确保大单晶长时间合成绝缘性能的稳定，从而提高宝石级金刚石产品质量。

上述的，绝缘层一的材料为高纯氯化钠，纯度大于99.5%。

上述的，绝缘层二的材料为氧化镁，纯度大于99%。

上述的，所述绝缘层一为圆柱形杯体，圆柱形杯体包含杯壁及与杯壁相连接的杯底。

优选的，杯壁和杯底的厚度均为1.0~1.2mm。

优选的，杯壁和杯底的厚度均为1.2mm。

上述的，所述绝缘层二为圆柱形杯体，圆柱形杯体包含杯壁及与杯壁相连接的杯底。

优选的，绝缘层二的杯壁及杯底的厚度均为1.0~1.2mm，具有高保温和高绝缘的优点，并可提高外围金刚石合成质量。

优选的，绝缘层二的杯壁及杯底的厚度均为1.2mm。

参见图3所示，在使用时，安装在金刚石合成中的组装块中，双层复合结构扣在圆柱形石墨柱的外围，绝缘层一与外层加热材料接触，可有效提高高温绝缘及传压性能；绝缘层二与石墨柱接触，高温下趋于陶瓷化，可有效防止渗碳发生，提高综合绝缘性能，从而保证宝石级金刚石的长时间稳定合成，大幅度提高产品质量。本实用新型所述的绝缘结构，易于安装，易于加工，并在运输和安装时不产生破损现象等。合成宝石级大单晶合成时间可延长至100小时以上，合成粒度可达5—8mm。

上述的，所述绝缘层一和绝缘层二均为圆柱形杯体，两个圆柱形杯体以同开口方向扣合组成复合杯结构。在石墨柱的外周安装两个本实用新型所述的宝石级金刚石合成用复合绝缘结构，两个复合绝缘结构的敞口端扣合后相互接触，将芯柱封闭在两个双层复合结构扣合后形成的空腔内，使芯柱与加热管隔离，从而避免了叶腊石材料中的杂质进入金刚石表面，使氧化镁层与石墨柱相连，提高了产品质量。

本实用新型并不局限于上述具体实施方式，本领域技术人员还可据此做出多种变化，但任何与本实用新型等同或者类似的变化都应涵盖在本实用新型权利要求的范围内。