1.一种碳化硅晶体生长装置，包括坩埚(1)，坩埚(1)上设有坩埚盖(2)，坩埚盖(2)下部设有籽晶托(3)，籽晶托(3)上粘有籽晶(4)，其特征在于：坩埚(1)壁顶部设有至少一个凹槽I(5)，坩埚盖(2)上设有至少一个与凹槽I(5)相适应的凸起(6)，凹槽I(5)和相应凸起(6)之间形成曲折通道(7)；坩埚(1)内部套有与坩埚(1)同轴且顶端低于坩埚顶端的内筒，所述的内筒由石墨滤网(8)围绕而成；内筒顶端外沿与坩埚内壁之间设有挡板(9)；所述的石墨滤网(8)两侧表面均涂有耐高温金属化合物涂层(10)；所述的籽晶托(3)为真空结构且粘贴籽晶的面上设有凹槽II(11)；所述的籽晶托(3)与内筒同轴且其直径与内筒内径相同。
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体生长装置，其特征在于：所述的石墨滤网(8)的孔径小于10微米。
3.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体生长装置，其特征在于：所述的凹槽I(5)内设有密封柔性材料(12)。
4.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体生长装置，其特征在于：所述的凹槽I(5)为3个，所述的凸起(6)为3个。