技术总结
本实用新型属于碳化硅晶体生长技术领域，具体涉及一种物理气相输运法生长碳化硅晶体的装置，包括坩埚，坩埚上设有坩埚盖，坩埚盖下部设有籽晶托，籽晶托上粘有籽晶，坩埚内壁设有定位块，定位块上依次设有石墨滤网和导流罩；所述的石墨滤网的外径与坩埚内径相适应；所述的石墨滤网上表面和下表面均涂有耐高温金属化合物涂层；所述的导流罩为圆台状筒体，导流罩顶部尺寸与籽晶尺寸相匹配，导流罩底部尺寸与石墨滤网外径相匹配；所述的籽晶托为真空结构。本实用新型简单，采用本实用新型可以保证碳化硅晶体高质量生长。
技术研发人员：宗艳民;李加林;高超;宋生
受保护的技术使用者：山东天岳先进材料科技有限公司
文档号码：201621396559
技术研发日：2016.12.19
技术公布日：2017.11.10