本实用新型涉及长晶炉技术领域,具体为一种提拉式长晶炉。
背景技术:
一般制备碳化硅的方法是,采用直拉晶棒制备方法。具体地说,其步骤是,加料:将制备碳化硅的原料放入石英坩埚内;融化:把加好原料的石英坩埚放入长晶炉(真空石墨电阻炉)内,然后长晶炉关闭并抽成真空后充入惰性气体,然后打开石墨加热器电源,加热至熔化温度以上,将原料熔化;缩颈生长:当熔体的温度稳定之后,将籽晶慢慢浸入坩埚中,将籽晶快速向上提升,使长出的籽晶的直径缩小到4-6mm;放肩生长:长完细颈之后,须降低温度与拉速,使得晶体的直径渐渐增大到所需的大小;等径生长:长完细颈和肩部之后,借着拉速与温度的不断调整,可使晶棒直径维持在正负2mm之间,这段直径固定的部分即称为等径部分;尾部生长:在长完等径部分之后,必须先将晶棒的直径慢慢缩小,直到成一尖点而与液面分开,长完的晶棒被升至上炉室冷却一段时间后取出,即完成一次生长周期。
现有的长晶炉在晶体生长过程中难以直接观察,生长周期比较长,同时如果晶体在生长过程中直接与坩埚接触,会在晶体中产生较多的杂质。
技术实现要素:
本实用新型的目的在于提供一种提拉式长晶炉,以解决上述背景技术中提出现有的长晶炉在晶体生长过程中难以直接观察,生长周期比较长,同时如果晶体在生长过程中直接与坩埚接触,会在晶体中产生较多的杂质的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案一种提拉式长晶炉,包括机体、坩埚盖和坩埚,所述机体的两端安装有箱体,且其下端安置有底座,所述机体的外表面设置有显示器,且其外表面后端连接有插头,所述显示器的下端安装有控制面板,所述坩埚盖的上端安置有电机,所述箱体的内部安装有抽气泵,所述坩埚的外端设置有隔热屏,所述隔热屏的外端设置有射频线圈,且其下端安置有发热体,所述坩埚盖的下端连接有固定头,所述固定头的下端连接有提拉杆,所述提拉杆上安装有夹头,且其内部底端设置有重量传感器,所述夹头的下端安置有籽晶杆。
优选的,所述坩埚盖的外表面上设置有微孔摄像头。
优选的,所述籽晶杆与提拉杆为可拆卸连接装置。
优选的,所述机体的右端设置有气泵。
优选的,所述提拉杆为伸缩装置,且其伸缩为0-15cm。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:该提拉式长晶炉采用微孔摄像头,可以直接观察晶体的生长情况,为控制晶体外形提供了有利的条件;同时在提拉杆上增加籽晶杆,且其与籽晶杆为可拆卸连接装置,可根据实际情况,利用籽晶杆结成不同形状的晶体,增强其实用性,同时可防止籽晶在结晶过程中触碰到坩埚壁;增加抽气泵,除去内部的氧气,防止在结晶成品中存在气泡;设置有重量传感,不仅可直接了解结晶的重量,同时可根据结晶的重量进行控制结晶的速度以及内部温度,间接地反应机体内部的结晶情况。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图;
图2为本实用新型外观结构示意图。
图中:1、机体,2、箱体,3、底座,4、显示器,5、控制面板,6、坩埚盖,7、电机,8、抽气泵,9、坩埚,10、隔热屏,11、射频线圈,12、发热体,13、固定头,14、提拉杆,15、夹头,16、籽晶杆,17、微孔摄像头,18、插头,19、气泵,20、重量传感器。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1-2,本实用新型提供一种技术方案:一种提拉式长晶炉,包括机体1、箱体2、底座3、显示器4、控制面板5、坩埚盖6、电机7、抽气泵8、坩埚9、隔热屏10、射频线圈11、发热体12、固定头13、提拉杆14、夹头15、籽晶杆16、微孔摄像头17、插头18、气泵19和重量传感器20,机体1的两端安装有箱体2,且其下端安置有底座3,机体1的右端设置有气泵19,机体1的外表面设置有显示器4,且其外表面后端连接有插头18,显示器4的下端安装有控制面板5,坩埚盖6的上端安置有电机7,坩埚盖6的外表面上设置有微孔摄像头17,可以直接观察晶体的生长情况,为控制晶体外形提供了有利的条件,箱体2的内部安装有抽气泵8,坩埚9的外端设置有隔热屏10,隔热屏10的外端设置有射频线圈11,且其下端安置有发热体12,坩埚盖6的下端连接有固定头13,固定头13的下端连接有提拉杆14,提拉杆14为伸缩装置,且其伸缩为0-15cm,提拉杆14上安装有夹头15,且其内部底端设置有重量传感器20,夹头15的下端安置有籽晶杆16,籽晶杆16与提拉杆14为可拆卸连接装置,根据实际情况使用,灵活性强。
工作原理:在使用该提拉式长晶炉之前,需要对整个装置的结构进行简单的了解,在使用前,利用抽气泵8和气泵19,将机体1内部的空气抽出,并充入惰性气体,插上插头18,将将蓝宝石原料放入坩埚9内,利用夹头15夹住籽晶,并降低提拉杆14,发热体12对坩埚9内的熔体进行加热,当熔体的温度加热到预设值时,籽晶既不熔解,也不生长,缓慢的提升提拉杆14以及转动籽晶杆16,利用控制面板5控制缓慢降低加热功率,籽晶逐渐生长,直至生长到一定程度,同时重量传感器20感应晶体的重量,并将数据传输到显示器4,同时微孔摄像头17将结晶图像反应到显示器4上,结晶结束后,取出结晶体即可。
尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。