一种高热导率氮化铝陶瓷的制备方法与流程

本发明为一种高热导率氮化铝陶瓷的制备方法，具体涉及一种通过拼接成型工艺和退火处理热压烧结氮化铝制备氮化铝陶瓷的方法。

背景技术：

氮化铝具有高热导率，低介电常数，高电阻率，与硅相匹配的热膨胀系数在电路基板、热封装材料中具有广泛的应用前景。目前现有的技术中已公开了一种块切片法制备氮化铝陶瓷基片的方法(cn101985396b)，该技术中氮化铝片的制备方法主要有以下几个步：1）氮化铝粉体中加入烧结助剂混合均匀；2）将粉体装入模具进行预压；3）将预压完的粉末坯体装入热压烧结炉进行加压烧结；4）将烧结后取出的氮化铝陶瓷采用多线切割来获得氮化铝基片。

相比于流延成型常压烧结，真空热压烧结氮化铝陶瓷烧结时间短致密快不需要排胶避免烧结后的氮化铝板产生变形和排胶不干净引入杂质降低氮化铝陶瓷的热导率。可在短时间内获得性能良好的氮化铝陶瓷块体，但是由于热压压头和热压模具的限制，成型块体的尺寸和大小受限，热压只能进行单块块体的烧结。氮化铝陶瓷块体硬度大，即使后期采用多线切割来获得氮化铝基片，仍然面临着加工速度慢，生产效率低下。

技术实现要素：

本发明的目的是提供一种无须切割即可将整块大块的氮化铝陶瓷分割成多块，同时获得高致密、热导率在100-160w/(m·k)的氮化铝陶瓷块体。

通过将等静压成型的粉末块体按要求拼接成型装入热压烧结模具进行热压烧结。烧结结束后得到的氮化铝块体可直接分开得到多块，避免了后期切割，缩短加工时间。烧结前期采用热压烧结来获得致密的氮化铝陶瓷块体，由于烧结时间短，晶粒中存在大量缺陷，热导率偏低。后期采用退火处理延长保温时间使晶粒长大来减少氮化铝陶瓷中的缺陷从而获得高热导率的氮化铝陶瓷。避免了热压烧结只能进行单块料烧结的局限性，在退火处理过程中可实现多块料同时进行烧结。缩短了总体的烧结时间和提高加工速率。进而生产效率得到提高，生产成本降低。

具体包括如下步骤：

1）配料：将氮化铝粉体和氧化钇粉体按质量比95-99:5-1进行混合，其中，氮化铝粉体的粒径为1-3um，氧化钇粉体的粒径为0.5-1um。

2）混料：将配好的料先在容器中拌匀后，往其中加入氧化锆球，采用滚筒式湿法球磨，混料时间为10-12小时。其中料：球：溶剂的质量比为1:1:0.7，其中氧化锆球的直径为两种规格10mm，5mm，氧化锆球的大小质量比例为1:1，采用的溶剂为酒精。

3）造粒：将浆料置于65-75℃的烘箱中烘干，取出结块的料块进行过筛，筛子规格为20目。

4）等静压成型：将过筛后的料进行等静压成型。

5）粉体成型：将等静压成型的粉末块体切割成所需要的形状，在表面涂刷nb脱模剂，按模具大小进行拼接后装入石墨模具。

6）烧结：将石墨模具移入真空热压烧结气氛炉中，进行真空热压烧结，升温速率为10℃/min，当温度为1200-1300℃时开始加压，当温度为1820-1840℃时进行保温保压烧结，保压压力为25mpa，保温保压时间为3-5小时，烧结结束充氮气，气压为15kpa。

7)退火：重复以上步骤1)、2)、3)、4)、5)、6）制备多块陶瓷样品，将多块陶瓷样品同时置于热压烧结炉中，升温速率为10℃/min，常温到1500℃为真空烧结，炉内真空度为-0.1mpa，1500-1820℃为氮气气氛烧结，炉内气压为0mpa，保温温度为1820-1840℃，保温时间为1-5小时。

8）保温后结束烧结，样品随炉自然冷却，常温下将样品取出。

本发明的有益效果

与现有技术相比本发明成型过程采用将等静压成型的粉末块体进行拼接后再进行热压烧结。热压烧结结束后即可将大块的陶瓷块体分开，无须切割。烧结过程采用前期进行热压烧结，样品致密后即可取出，后期进行退火处理的方式进行烧结。相比于单块料长时间进行热压烧结，总体烧结时间缩短。总体生产效率得到了提高。此方法生产的氮化铝陶瓷可获得高致密度（密度大于3.26g/cm³）和热导率在100-160w/(m·k)的氮化铝陶瓷，生产成本更低，更具市场竞争力。

附图说明

图1为实例1块体拼接示意图；

图2为实例2块体拼接示意图；

图3为实例3块体拼接示意图；

图4为实例2的xrd图；

图5为实例2的电镜图。

具体实施方式

实施例1

按质量比97:3称取氮化铝粉体和氧化钇粉体，氮化铝粉体质量为1940g，氧化钇粉体质量60g按球、料、溶剂比为1:1:0.7进行湿法球磨，酒精为1400ml，氧化锆球为2000g，混料12小时，取料烘干，烘干时间为12小时。将烘干后结块的样品捣碎过筛使其能通过20目的筛。称取1650g配好的料，进行等静压成型。将成型后的粉体切割成4个三角形，在三角形的三个侧面上刷上一层氮化硼粉后拼接起来（如图1所示）装于模具内。后将模具移入真空热压烧结气氛炉内，进行抽真空，真空度保持在3kpa左右。升温速率为10°c/min，温度达到1820°c进行保温保压。其中在升温过程中当温度达到了1300°c时开始加压，当加压压力达到25mpa时进行保压，保温保压时间为3小时。保温保压结束后停止加热，炉内充15kpa氮气，样品随炉冷却。取出样品分成4块三角形。重复制备两炉热压烧结的氮化铝陶瓷，将12块热压烧结致密的氮化铝陶瓷放置于热压烧结炉中关闭炉门进行抽真空，真空度保持在-0.1mpa，升温速率为10°c/min。当温度达到1500-1600°c时充氮气，炉膛内部压力为0mpa。当温度达到1820°c进入保温阶段，保温5个小时，结束烧结样品随炉冷却。

实施例2

按质量比98.5:1.5称取氮化铝粉体和氧化钇粉体，氮化铝粉体质量为1970g，氧化钇粉体质量30g按球、料、溶剂比为1:1:0.7进行湿法球磨，酒精为1400ml，氧化锆球为2000g，混料12小时，取料烘干，烘干时间为12小时。将烘干后结块的样品捣碎过筛使其能通过20目的筛。称取1650g配好的料，进行等静压成型。将成型后的粉体切割成4个四边形，在四边形的四个侧面刷上一层氮化硼粉后拼接起来（如图2所示）装于模具内。后将模具移入真空热压烧结气氛炉内，进行抽真空真空度保持在3kpa左右，升温速率为10°c/min，温度达到1830°c进行保温保压。其中在升温过程中当温度达到了1300°c时开始加压，当加压压力达到25mpa时进行保压，保温保压时间为3小时。保温保压结束后停止加热，炉内充15kpa氮气，样品随炉冷却。取出样品分成4块四边形。重复制备两炉热压烧结的氮化铝陶瓷，将12块热压烧结致密的氮化铝陶瓷放置于热压烧结炉中关闭炉门进行抽真空真空度保持在-0.1mpa，升温速率为10°c/min。当温度达到1500-1600°c时充氮气，炉膛内部压力为0mpa。当温度达到1830°c进入保温阶段，保温1.5个小时，结束烧结样品随炉冷却。

实施例3

按质量比95:5称取氮化铝粉体和氧化钇粉体，氮化铝粉体质量为1900g，氧化钇粉体质量100g按球、料、溶剂比为1:1:0.7进行湿法球磨，酒精为1400ml，氧化锆球为2000g，混料12小时，取料烘干，烘干时间为12小时。将烘干后结块的样品捣碎过筛使其能通过20目的筛。称取1650g配好的料，进行等静压成型。将成型后的粉体切割成等边六边形，六边形6个侧面刷氮化硼粉按图3所示拼接起来装于模具内。后将模具移入真空热压烧结气氛炉内，进行抽真空真空度保持在3kpa左右，升温速率为10°c/min,温度达到1840°c进行保温保压。其中在升温过程中当温度达到了1300°c时开始加压，当加压压力达到25mpa时进行保压，保温保压时间为3小时。保温保压结束后停止加热，炉内充15kpa氮气，样品随炉冷却。取出样品分成7块六边形。重复制备两炉热压烧结的氮化铝陶瓷，将21块热压烧结致密的六边形氮化铝陶瓷放置于热压烧结炉中关闭炉门进行抽真空真空度保持在-0.1mpa，升温速率为10°c/min。当温度达到1500-1600°c时充氮气，炉膛内部压力为0mpa。当温度达到1820°c进入保温阶段，保温5个小时，结束烧结样品随炉冷却。

表1为实施例1-3所制备的氮化铝陶瓷性能指标。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明申请专利范围所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。