技术特征：
技术总结
本发明涉及一种以石墨烯为模板低温熔盐法合成二维SiC超薄纳米结构及其制备方法。该方法以Si粉为原料，以石墨烯为模板，以NaCl和NaF混合物为熔盐介质，在一定的气氛和1050℃~1200℃低温条件下通过熔盐法进行合成，随后用水对含有熔盐的产物分别进行溶解、离心、过滤等反复操作3‑6次，将残存的熔盐去除，干燥后即可得到本发明所述的二维SiC超薄纳米结构半导体材料。制备n型SiC二维超薄纳米结构材料时，选择在N2气氛下控制工艺对合成SiC进行掺N；制备p型SiC二维超薄纳米结构材料时，选择在Ar气氛下原料中添加B、Al、Ga或Be作为掺杂剂。本发明制备的二维SiC纳米结构可用于在高温、高辐射、强腐蚀性等恶劣环境的高频和高功率微电子器件及锂离子电池负极材料。
技术研发人员：黄军同;张梦;胡智辉;冯志军;闫明格;李喜宝;刘明强
受保护的技术使用者：南昌航空大学
技术研发日：2018.05.10
技术公布日：2018.10.12